【技术实现步骤摘要】
本说明书涉及半导体管芯和集成电路的封装，具体涉及封装件及将半导体管芯嵌入在嵌入式器件封装件中的方法。
技术介绍
1、在许多集成电路(ic)封装件中，半导体器件管芯位于衬底的顶部上。衬底用作系统中的器件与板之间的桥。在一些封装技术中，半导体管芯嵌入在衬底内。随着对高密度、高速度、高性能ic的需求日益增长，在封装技术方面需要新的改进以发挥ic的性能并缩小封装件大小。
技术实现思路
1、在一般方面，一种封装件包括将第一半导体管芯嵌入的电介质填充材料层、连接器夹具和第二半导体管芯。该连接器夹具具有设置在将该第一半导体管芯嵌入的该电介质填充材料层上方的区段。该连接器夹具的该区段沿着与该第一半导体管芯的顶部表面相同的方向对准。该第二半导体管芯设置在该连接器夹具的设置在该电介质填充材料层上方的该区段上。
2、在一般方面，一种封装件包括第一半导体管芯、第二半导体管芯和第三半导体管芯。该第二半导体管芯设置在该第一半导体管芯的一侧。该第一半导体管芯和该第二半导体管芯被嵌入在第一电介质填充材料层中。该封装件还包括第一连接器夹具(connectorclip)和第二连接器夹具，该第一连接器夹具具有覆盖该第一电介质填充材料层的第一部分的区段，该第二连接器夹具具有覆盖该第一电介质填充材料层的第二部分的区段。该第三半导体管芯设置在该第一连接器夹具的覆盖该第一电介质填充材料层的该第一部分的该区段上。该封装件还包括覆盖该第一电介质填充材料层并且将该第三半导体管芯嵌入的第二电介质填充材料层。
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4、在一方面，该方法包括：将第二半导体管芯设置在该第一半导体管芯上方的该第一连接器夹具上；将第三半导体管芯设置在该电介质填充材料层上；以及用第二连接器夹具将该第二半导体管芯的源极焊盘连接到该衬底的该电介质填充材料层外部的该部分上的第二连接器焊盘。
5、在又一方面，该方法还包括对该第三半导体管芯与该第一半导体管芯和该第二半导体管芯上的栅极接触焊盘之间的连接引线进行引线键合。
6、在又一方面，该方法包括将该嵌入式器件封装件的部件包封在模制材料中。
7、一个或多个具体实施的细节在附随附图和以下描述中阐明。其他特征将从说明书和附图中以及从权利要求书中显而易见。
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1.一种封装件，所述封装件包括：
2.根据权利要求1所述的封装件，其中所述连接器夹具的焊盘接触元件接触所述第一半导体管芯的穿过所述电介质填充材料层暴露的源极焊盘，并且其中所述第一半导体管芯的源极焊盘和栅极接触焊盘穿过所述电介质填充材料层暴露，并且所述连接器夹具将所述第一半导体管芯的所述源极焊盘连接到所述电介质填充材料层外部的第一连接器焊盘。
3.根据权利要求2所述的封装件，所述封装件还包括另一个连接器夹具，所述另一个连接器夹具将所述第二半导体管芯的源极焊盘连接到所述电介质填充材料层外部的第二连接器焊盘。
4.根据权利要求1所述的封装件，所述封装件还包括：
5.一种封装件，所述封装件包括：
6.根据权利要求5所述的封装件，其中所述第一连接器夹具将所述第一半导体管芯的穿过所述第一电介质填充材料层暴露的源极焊盘连接到所述第一电介质填充材料层外部的第一连接器焊盘，并且其中所述第二连接器夹具将所述第一半导体管芯的穿过所述第一电介质填充材料层暴露的栅极接触焊盘连接到所述第二半导体管芯的第一信号接触焊盘。
7.根据权利要求
8.一种将半导体管芯嵌入在嵌入式器件封装件中的方法，所述方法包括：
9.根据权利要求8所述的方法，其中将所述第一半导体管芯嵌入在所述电介质填充材料层中包括：
10.一种将半导体管芯嵌入在嵌入式器件封装件中的方法，所述方法包括：
11.根据权利要求10所述的方法，其中：
...【技术特征摘要】
1.一种封装件，所述封装件包括：
2.根据权利要求1所述的封装件，其中所述连接器夹具的焊盘接触元件接触所述第一半导体管芯的穿过所述电介质填充材料层暴露的源极焊盘，并且其中所述第一半导体管芯的源极焊盘和栅极接触焊盘穿过所述电介质填充材料层暴露，并且所述连接器夹具将所述第一半导体管芯的所述源极焊盘连接到所述电介质填充材料层外部的第一连接器焊盘。
3.根据权利要求2所述的封装件，所述封装件还包括另一个连接器夹具，所述另一个连接器夹具将所述第二半导体管芯的源极焊盘连接到所述电介质填充材料层外部的第二连接器焊盘。
4.根据权利要求1所述的封装件，所述封装件还包括：
5.一种封装件，所述封装件包括：
6.根据权利要求5所述的封装件，其中所述第一连接器夹具将所述第一半导体管芯的穿过所述第一电介质填充材料层暴露的源极焊盘连接到所述第一电介质填充材料层外部的第一连接器焊盘，并且其中所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·克里南，周志雄，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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