【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、本专利技术涉及半导体器件及其制造方法，并且特别涉及具有在沟槽中形成的栅极电极的半导体器件及其制造方法。
2、近年来，具有功率半导体元件诸如igbt(绝缘栅双极晶体管)的半导体器件已经得到了广泛的应用。此外，沟槽栅极型igbt也被称为具有低导通电阻的igbt。
3、公开了下文列出的技术。
4、【专利文献1】日本未审查专利申请公开号2013-140885。
5、例如，专利文献1公开了具有ggee结构的igbt。在此类igbt中，在n型半导体衬底中形成沟槽，并且经由栅极绝缘膜将栅极电极埋入沟槽中。在专利文献1中，在蚀刻工艺中使用cl2气体和o2气体形成沟槽，然后在沟槽内壁上形成栅极绝缘膜。
技术实现思路
1、作为功率半导体元件可靠性评估的一种，可以提出对击穿电压的耐受的评估。如果在沟槽底部附近的栅极绝缘膜的厚度发生变化，则会形成局部具有低耐压的部分，从而导致栅极耐压的可靠性降低。这样的问题造成了成品率的下降和检验成本的增加。
2、本申请的主要目的是通过抑制在沟槽底部附近的栅极绝缘膜厚度的变化来提高半导体器件的可靠性。其他问题和新特征将从本说明书的描述和附图中变得明显。
3、下文将简要描述本申请中公开的代表性实施例的概述。
4、根据一个实施例的半导体器件包括：半导体衬底，具有上表面和下表面的第一导电类型；第一沟槽，形成在在半导体衬底的上表面侧的半导体衬底中；第一绝缘膜，形成在第一沟槽中；以及
5、根据一个实施例的制造半导体器件的方法包括：(a)制备第一导电类型的半导体衬底，该半导体衬底具有上表面和下表面；(b)在该半导体衬底的上表面侧上的半导体衬底中形成第一沟槽；(c)在第一沟槽中形成第一绝缘膜；以及(d)形成导电膜，以便经由第一绝缘膜填充第一沟槽。此处，第一沟槽包括：第一侧壁部，从半导体衬底的上表面朝向半导体衬底的内部形成至预定深度；第一底部，位于半导体衬底内部；以及第一角部，连接该第一侧壁部和该第一底部。此外，形成在第一角部上的第一绝缘膜的厚度与形成在第一底部上的第一绝缘膜的厚度之差的绝对值δtb、小于形成在第一角部上的第一绝缘膜的厚度与形成在第一侧壁部上的第一绝缘膜的厚度之差的绝对值δta。
6、根据一个实施例，可以提高半导体器件的可靠性。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，
3.根据权利要求2所述的半导体器件，
4.根据权利要求3所述的半导体器件，
5.根据权利要求1所述的半导体器件，
6.根据权利要求1所述的半导体器件，包括：
7.根据权利要求6的半导体器件，包括：
8.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
9.根据权利要求8所述的方法，
10.根据权利要求8所述的方法，
11.根据权利要求8所述的方法，
12.根据权利要求11所述的方法，
13.根据权利要求12所述的方法，
14.根据权利要求8所述的方法，
15.根据权利要求8所述的方法，包括：
16.根据权利要求15所述的方法，
17.根据权利要求8所述的方法，
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，
3.根据权利要求2所述的半导体器件，
4.根据权利要求3所述的半导体器件，
5.根据权利要求1所述的半导体器件，
6.根据权利要求1所述的半导体器件，包括：
7.根据权利要求6的半导体器件，包括：
8.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
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【专利技术属性】
技术研发人员：镰田拓步，大形公士，佐藤圣幸，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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