本主题申请涉及回波消除方法、音频系统和音频处理设备。至少一个示例性实施方案是一种方法，该方法包括：由扬声器基于远麦克风信号产生声波；在本地麦克风处基于该声波接收回波，并且接收本地生成的声波，该接收形成本地麦克风信号；基于该远麦克风信号和...

本申请涉及图像传感器及其操作方法、图像传感器系统。本技术的各种实施方案提供用于图像传感器的方法和装置。在各种实施方案中，该装置提供连接至多个电性不同的像素组的驱动器电路，以向该像素组提供控制信号。延迟测量电路被连接至驱动器电路和该像素组...

本申请涉及电源适配器系统以及用于控制电源适配器系统的方法和分流稳压器。至少一个示例是一种方法，该方法包括：通过耦接到链路电压的DC

本发明涉及一种图像传感器及其操作方法，该图像传感器可以包括具有布置成行和列的像素的像素阵列、列读出电路和控制电路。列读出电路可以包括对应的读出电路，该对应的读出电路各自耦接到针对相应像素列的对应的列路径。该读出电路可以各自包括信号处理电...

本发明题为半导体器件的扇出型晶圆级封装。在总体方面，半导体器件组件可以包括具有背侧和前侧的半导体管芯，该背侧与基部联接，该前侧包括有源电路。该组件可以包括设置在前侧的第一部分上的第一树脂封装层。该第一树脂封装层可以被图案化以限定第一开口...

本申请涉及具有介电弛豫校正电路的图像传感器。一些图像传感器包括具有电容器的像素。电容器可用于在读出之前将电荷存储在成像像素中。电容器可以是易于受介电驰豫影响的金属

本发明题为“具有减少的列固定模式噪声的图像传感器”。图像传感器可包括被布置成行和列的图像像素阵列。每列像素可耦接到电流源晶体管和阈值电压减轻电路。阈值电压减轻电路可以包括长p沟道器件，其产生用于电流源晶体管的参考电流。该减轻电路还包括自...

本发明题为“与用于模拟集成电路的可控制薄膜电阻器相关的方法和设备”。本发明提供一种集成电路裸片，该集成电路裸片包括设置在第一氧化物层上的硅铬(SiCr)薄膜电阻器。该SiCr薄膜电阻器具有电阻器主体和电阻器头。第二氧化物层覆盖该SiCr...

本发明题为“具有有源电容消除电路以减少像素输出稳定时间的图像传感器。”图像传感器可包括被布置成行和列的图像像素阵列。每列像素可耦接到电流源晶体管和电容消除电路。电容消除电路可以包括电容器、共源放大器晶体管、自动归零开关、用于在取样保持复...

本发明涉及一种成像系统、成像系统操作方法及编码装置。该系统被配置为根据可变分辨率图像格式来编码图像。可变分辨率图像格式允许依据它们的位置和分辨率来指定窗口数量。图像可被分解成最小数量的正方形超像素，使得所有指定窗口均处于指定分辨率或更好...

本发明公开了图像传感器像素和图像传感器。该图像传感器可包括图像像素阵列。该图像像素阵列可耦接到行控制电路和列读出电路。该阵列中的图像像素可以包括电荷积聚部分，该电荷积聚部分具有光电二极管、浮动扩散区和耦接到该浮动扩散区的电容器，并且该阵...

本公开涉及具有耦合栅极结构的图像像素。本发明公开了一种图像传感器，该图像传感器可包括图像像素阵列。该图像像素阵列可耦合到控制电路和读出电路。该阵列中的一个或多个图像像素可以各自包括耦合栅极结构，该耦合栅极结构将一个输入端子处的光电二极管...

本申请涉及半导体器件及形成半导体器件的方法。在一个实施方案中，一种晶体管具有被形成为具有多个区的漂移区域，该多个区具有跨该区的不同垂直掺杂分布。这些区中的至少一个区具有垂直掺杂分布，该垂直掺杂分布在该区的顶表面附近具有第一峰值并且在底表...

本发明题为“用于正电子发射断层扫描成像系统的硅光电倍增器。”本公开提供了一种正电子发射断层扫描(PET)成像系统，该PET成像系统可包括多个检测器单元。每个检测器单元可包括将伽马射线转换为可见光的闪烁体。每个检测器单元还包括具有单光子雪...

本发明公开了一种升压器电路及操作升压器电路的方法。所述升压器电路包括：第一放大器，所述第一放大器具有至少一个输入端以及第一输出端；第一开关，所述第一开关插置在所述第一输出端和输出节点之间；第二放大器，所述第二放大器具有至少一个输入端以及...

本发明题为“包括非易失性存储单元的电子器件及其形成方法”。本公开涉及一种包括NVM单元的电子器件。该NVM单元可包括漏极/源极区、源极/漏极区、浮栅电极、控制栅电极和选择栅电极。可能使用在同一管芯上形成功率晶体管、高压晶体管和低压晶体管...

公开了感测方法、总线主设备和传感器设备。感测方法包括：在耦接到包括一个或多个激活的传感器的传感器阵列的信号导体上生成电压脉冲，电压脉冲表示广播读取命令(BRC)，BRC定义一个或多个时分多址(TDMA)时隙的帧，一个时隙用于每个激活的传...

公开了一种场效应管(FET)及制造场效应管的方法。场效应晶体管可以包括半导体区和设置在半导体区中的沟槽。FET还可以包括设置在FET有源区中沟槽上部的沟槽栅极。场效应晶体管进一步可以包括设置在沟槽底部的导电流道。导电流道可以与场效应晶体...

本申请涉及半导体器件封装和制造半导体器件封装的方法。半导体器件封装可以包括具有第一部分和第二部分的引线框，该第一部分具有第一延伸部分，该第二部分具有第二延伸部分。模制材料可以对引线框的一部分和安装到引线框的半导体管芯的一部分进行包封。半...

本公开涉及具有电子快门的成像系统。在实施例中一种成像系统可包括电子快门。该电子快门可以定位在图像传感器与透镜模块之间，或者可以集成为该图像传感器的封装盖。该电子快门可以选择性地衰减传递到该图像传感器的入射光。为了增加该成像系统的动态范围...