一种抵抗寄生双极晶体管的形成的半导体元件和使用数量减少的掩模步骤来制造该半导体元件的方法。提供了具有Ｐ型传导性的区域的Ｎ型传导性的半导体材料。Ｎ型传导性的掺杂区在Ｐ型传导性的区域内形成。沟槽在半导体材料中形成并延伸通过Ｎ型和Ｐ型传导性的...

一种半导体元件及制造半导体元件的方法，其中所述半导体元件包括肖特基器件、边缘终端结构、非肖特基半导体器件及其组合。半导体材料包括布置在半导体基片上的第一外延层和布置在第一外延层上的第二外延层。第二外延层的电阻系数高于半导体基片的电阻系数...

本发明公开了一种肖特基二极管及其形成方法。在一个实施方案中，肖特基二极管与其他半导体器件一起在半导体衬底上形成，并且还形成有高的击穿电压和低的正向电阻。

在一实施方式中，垂直型ＭＯＳ晶体管的形成不需要厚场氧化层，尤其是不需要所述晶体管的所述终止区中的厚场氧化层。

形成可编程电压调节器的方法及其结构。在一实施例中，一个可编程电压调节器储存表示该调节器的可编程配置的数据。电压调节器设置为在用所储存的数据控制可编程电压调节器的运行之前，验证该数据的有效性。

以小于百分之百的占空比操作电压发生器（１０）的可选择带隙基准（１１）。可选择电压基准（１１）在使能时具有大电流消耗，在禁止时具有低电流消耗。当使能可选择电压基准（１１）时，使能可选择电压基准（１１）的输出电压存储在存储元件（１３）中。高...

用于反馈装置的反馈电路（１０），包括一个输入端（１２），用于从反馈装置的输出接收反馈信号。一个输出端（１４）与反馈装置的调节装置相连接。联样装置（１６）连接到输入端，用于提供延迟的反馈信号。另外的装置（１８，２０，２２，２４，２６，２８...

电压调节器（１０）形成为产生补偿电流以当电压调节器（１０）的输出电压超出补偿值时流动。该补偿电流至少等于输出晶体管（２４）的漏电流。

本发明涉及电流调节器及其方法。在一个实施例中，将电流调节器配置成形成代表流过功率开关的电流的第一信号，并使用第一信号来确定功率开关的截止时间。

一种用于使电路特性的温度依赖性无效的电路和方法。该电路包括多个晶体管，配置该多个晶体管使其产生包含门限电压作为分量的栅电压。将该栅电压施加到晶体管上，以便产生与工艺跨导参数成比例的电流。将该电流施加到具有一对差分晶体管的比较器上，其中每...

线性稳压器及其制造方法。在一个实施例中，以可变密勒补偿电路形成线性稳压器，该密勒补偿网络与由稳压器提供的负载电流成比例地改变线性稳压器的零点。

一种调节输出电压的混合调节器电路及方法。混合调节器电路包括开关调节器、线性调节器、选择器电路以及由开关调节器和线性调节器共享的输出电容器。选择器电路激活线性调节器以提供少量的负载电流。当负载电流增加到第一预定电平时，选择器电路激活开关调...

形成反馈网络的方法及其结构。在一个实施例中，电压调节器的反馈网络设置成响应于控制字调节分压器的值。

本发明公开了一种精密电压参考电路及其形成方法。该电压参考电路包括：第一晶体管，其第一有效面积配置成形成第一Ｖｂｅ；第二晶体管，其具有小于第一有效面积的第二有效面积，第二有效面积配置成形成大于第一Ｖｂｅ的第二Ｖｂｅ；第一电阻器，其耦合成接...

在一个实施例中，一种电压参考电路配置成利用差分耦合的晶体管来形成电压参考电路的ΔＶｂｅ。

高分辨率的峰值电压和峰值斜率检测器电路在一个电池充电工序内检测电池电压。取样电池电压以消除因噪声引起的误差时，电池充电电路被阻塞。电池电压在取样计时器确定的预定的时段内按预定间隔取样。电压－频率变换器把一个电池电压转换成为一个信号，该信...

在一实施方案中，电源控制器设置成在测试模式下工作，其有助于测量所述电源控制器的误差放大器的输出信号的值。

在一个实施例中，低功率电压检测电路包括从输入电压接收功率的第一电压检测设备和从低功率电压检测电路的输出接收功率的第二电压检测设备。

在一个实施例中，电流感测电路以一对串联的开关形成，所述串联开关用于导引负载电流并形成电流感测信号。

本发明涉及一种形成ＥＳＤ检测器的方法及其结构。在一个实施方式中，静电放电检测器形成有多个通道并配置成检测正静电放电和负静电放电。