【技术实现步骤摘要】
本专利技术一般涉及半导体元件，尤其是涉及功率开关半导体元件。
技术介绍
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是一般类型的功 率开关器件。MOSFET器件包括源极区、漏极区、在源极区和漏极 区之间延伸的沟道区以及与沟道区相邻的栅极结构。栅极结构包括与 沟道区相邻并通过薄的电介质层与沟道区分离的传导栅极电极层。当 足够强度的电压施加到栅极结构以将MOSFET器件置于开启状态 时，传导沟道区在源极区和漏极区之间形成，因而允许电流流过器件。 当施加到栅极的电压不足以引起沟道的形成时，电流不流动且 MOSFET器件处于关闭状态。MOSFET的制造包括用于将杂质材料堆积到功率MOSFET的 半导体基底中、蚀刻半导体基底的部分、蚀刻电介质材料的部分、蚀 刻传导材料的部分等几个掩模步骤，增加掩模步骤的数量增加了制造 功率MOSFET的成本。然而，为了提高性能，功率MOSFET的制造 商一般增加掩模步骤的数量。图1示出用于功率MOSFET的制造的 掩模步骤。图l示出的是现有技术的功率MOSFET 100，其具有有源 区(active area )和周边区，并包括半导体基...
【技术保护点】
一种用于制造半导体元件的方法，包括：提供具有主表面的半导体材料；在所述半导体材料中形成一个或更多沟槽；以及由所述半导体材料的周边区形成场氧化物，其中所述一个或更多沟槽延伸到所述场氧化物之下。
【技术特征摘要】
US 2007-4-20 11/737,9231.一种用于制造半导体元件的方法，包括提供具有主表面的半导体材料；在所述半导体材料中形成一个或更多沟槽；以及由所述半导体材料的周边区形成场氧化物，其中所述一个或更多沟槽延伸到所述场氧化物之下。2. 如权利要求l所述的方法，进一步包括在所述一个或更多沟 槽中形成多晶硅以及在所述场氧化物的一部分之上形成多晶硅。3. 如权利要求2所述的方法，进一步包括在所述半导体材料的第一部分中形成第一传导类型的第一掺杂区以及在所述半导体材料 的第二部分中形成第二传导类型的第二摻杂区，其中形成所述第二掺杂区的所述步骤包括在所述一个或更多沟槽中的所述多晶硅之上以及在所述场氧化 物之上的所述多晶硅之上形成电介质材料层；去除在所述场氧化物和所述一个或更多沟槽的第一沟槽之间的 所述电介质材料层的一部分；以及给所述半导体材料的所述第二部分加入掺杂剂以形成所述第二 掺杂区。4. 如权利要求2所述的方法，进一步包括 在形成所述一个或更多沟槽之后在所述半导体材料中形成第一传导类型的第一掺杂区，其中所述一个或更多沟槽从所述主表面延伸 到比所述第一摻杂区更远的所述半导体材料中，以及 通过下列步骤形成第二掺杂区在所述一个或更多沟槽中的所述多晶硅之上以及在所述场 氧化物之上的所述多晶硅之上形成电介质材料层；去除在所述场氧化物和所述一个或更多沟槽的第一沟槽之 间的所述电介质材料层的 一部分以及所述场氧化物的 一部分，以 暴露所述笫 一掺杂区的第 一部分；通过所述第一掺杂区的所述暴露的第一部分进行蚀刻，以暴露所述半导体材料的第二部分；以及用第二传导类型的杂质材料掺入所述半导体材料的所述第二部分。5. 如权利要求4所述的方法，进一步包括形成与所述第一和第 二掺杂区以及与所述半导体材料的所述第二表面的金属接触。6. —种用于制造半导体元件的方法，包括 提供具有第一和第二主表面的半导体材料，所述半导体材料包括设置在半导体基底上的外延层并具有有源区和周边区；在所述半导体材料中形成多个沟槽结构，其中所述多个沟槽结构从所述第一主表面垂直地延伸到所述外延层中并从所述有源区横向延伸到所述周边区；以及由所述周边区形成场氧化物，其中所述多个沟槽的一部分延伸到所述场氧化物之下。7. 如权利要求6所述的方法，其中提供所述半导体材料的所述 步骤包括提供从所述第 一主表面延伸到所述半导体材料中 一段第一 距离的第一传导类型的杂质材料层，且进一步包括在所述有源区和所述周边区之上形成多晶硅层；模制所述多晶硅层，保留下在所述场氧化物的第一部分之上的所述多晶硅层的第一部分以及在至少一个所述多个沟槽结构之上的所述多晶硅层的第二部分；在所述多晶硅层的所述第一部分之上以及在所述多晶硅层的所述第二部分之上形成电介质材料层；由所述电介质材料层形成掩模结构，其中所述电介质材料层的第 一部分保留在所述多晶硅层的所述笫一部分之上，以及所述电介质材料层...
【专利技术属性】
技术研发人员：P文卡特拉曼，GM格利弗纳，FY罗伯，G常，C卡斯蒂尔，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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