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一种抵抗寄生双极晶体管的形成的半导体元件和使用数量减少的掩模步骤来制造该半导体元件的方法。提供了具有Ｐ型传导性的区域的Ｎ型传导性的半导体材料。Ｎ型传导性的掺杂区在Ｐ型传导性的区域内形成。沟槽在半导体材料中形成并延伸通过Ｎ型和Ｐ型传导性的区域...
该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。

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