半导体元件工业有限责任公司专利技术

半导体元件工业有限责任公司共有1660项专利

  • 本申请涉及振荡器、振荡器驱动电路及使用晶体建立振荡的方法。该振荡器包括第一电容器、第二电容器、反相器、电压偏移电路和迟滞缓冲器。该第一电容器和该第二电容器具有适于耦接到相应的第一节点和第二节点的第一端子以及耦接到地电位的第二端子。该反相...
  • 本申请提供了一种音频通信接收器及音频通信方法。一种例示性设备包括:差异元件,该差异元件通过从音频样本减去预测值来产生预测误差值的序列;缩放元件,该缩放元件通过将每个预测误差值除以对应的包络估计来产生经缩放误差值;量化器,该量化器对该经缩...
  • 提供了低延迟音频流式传输方法及设备。一种例示性低延迟音频流式传输方法包括:接收数字音频数据包;应用纠错码解码器,以获取包括经纠错的数据样本的数据流;通过替换所述经纠错的数据样本中任何作为异常值的经纠错的数据样本来提供校正受限的数据流;以...
  • 本公开涉及功率电路模块。一种电路模块,包括具有图案化的金属表面的基板。图案化的金属表面包括导电端子焊盘、第一导电焊盘和不与导电端子焊盘相邻的第二导电焊盘。第一电路部分装配在第一导电焊盘上,第二电路部分装配在第二导电焊盘上。导电桥电耦合所...
  • 本申请涉及一种半导体器件及其制作方法。一种半导体器件包括背侧触点和衬底。外延场阑区可形成在衬底上,具有随着与衬底的距离增大而减小的渐变掺杂分布,并且外延漂移区可与外延场阑区相邻地形成。前侧器件可形成在外延漂移区上。移区上。移区上。
  • 本公开涉及一种功率模块,该功率模块包括具有四个侧壁的框架。在该框架的腔内设置:附接到该框架的底部的功率电子基底,以及设置在该功率电子基底的前表面上的电路迹线和管芯。至少一个信号引脚附接在该功率电子基底的该前表面上的连接点处。传导基板热耦...
  • 本公开涉及具有多增益读出的图像传感器。本发明公开了一种图像传感器,该图像传感器可包括图像像素阵列。该图像像素阵列可耦合到控制电路和读出电路。该阵列中的一个或多个图像像素可以各自包括光电二极管和浮动扩散区。该浮动扩散区可以耦合到用于低转换...
  • 本申请涉及半导体封装件、半导体封装组件及其制造方法。半导体封装件的实施方式可包括:一个或多个功率半导体管芯,该一个或多个功率半导体管芯包括在管芯模块中;第一散热器,该第一散热器直接联接到该管芯模块的一个或多个源极焊盘;第二散热器,该第二...
  • 本公开涉及有温度监测特征的栅极驱动器。实施例公开了一种用于功率晶体管的电隔离栅极驱动器。栅极驱动器提供各种温度保护特征,这些特征通过(i)诊断电路系统以生成故障信号和监测信号,(ii)信号处理以启用跨隔离屏障的共享通信信道的通信,(ii...
  • 本发明题为“利用多级信号传输的通信信道”。系统可以包括多个电子部件。一个电子部件诸如成像子系统可以通信地耦接到另一电子部件诸如系统的控制电路。该成像子系统可以包括发射器电路。该发射器电路可以包括被配置为使用多级信令方案提供发射器电路输出...
  • 本发明提供了用于产生补偿电压基准的方法、系统及设备。示例性方法包括操作电压基准电路。该方法还包括在工作温度小于或等于第一温度阈值时启用第一补偿电路。该第一补偿电路被配置为从该电压基准电路提取第一补偿电流。该方法还包括在该工作温度大于该第...
  • 本申请涉及包括晶体管和缓冲器的电路、以及半导体器件。在一些方面,本文描述的技术涉及一种电路,该电路包括:金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET,包括栅极、源极和漏极;以及缓冲电路,耦接在漏极和源极之间,缓冲电路包括:二极管,具有阴极和...
  • 本公开涉及高功率切换系统中的故障保护测试。公开了一种包括配置有检测故障的测试电路系统的栅极驱动器的功率系统。该功率系统可以被配置为测试故障检测电路系统,以确认其检测故障的能力。公开了各种方法和电路实施方式,以确定系统检测故障的能力。测试...
  • 本公开涉及浸没式冷却封装件。半导体封装件的实施方式可包括一个或多个半导体管芯,该一个或多个半导体管芯嵌入在衬底中;至少三个销翅端子,该至少三个销翅端子耦接到该衬底;至少一个信号引线连接器和固定器部分,该至少一个信号引线连接器和该固定器部...
  • 本公开涉及浸没式直接冷却模块及相关方法。半导体封装的实施方式可包括一个或多个半导体管芯,该一个或多个半导体管芯仅直接耦接到包括两条或更多条引线的直接引线框附接(DLA)引线框;以及涂层,该涂层覆盖该一个或多个半导体管芯和该DLA引线框,...
  • 本申请涉及半导体器件和半导体封装。半导体器件的实施方式可包括耦接在引线框上方的管芯、耦接在该管芯上方的重新分布层(RDL)、耦接在该RDL和该管芯之间的第一多个通孔,以及耦接在该引线框上方并且直接耦接到该引线框的第二多个通孔。该第二多个...
  • 本公开涉及电磁干扰滤波器电路、半导体器件和用于提供电磁干扰滤波的方法。电磁干扰滤波器电路包括:输入端子;输出端子;电接地端子;电阻器,其电耦合在输入端子和输出端子之间;第一双极晶体管,其包括:与输入端子电耦合的集电极端子,与电接地端子电...
  • 本公开涉及用于切换有源箝位反激转换器的系统和方法。一种有源箝位反激(ACF)转换器可用于将AC电压转换为DC电压,并且提供重复使用泄漏能量和负磁化电流以实现零伏特切换的能力。该泄漏能量可随系统设计而变化,并且因此可能会难以控制,但是可以...
  • 本发明题为“用于汽车应用的安全串行总线”。本文公开了适用于汽车应用的安全串行总线通信方法和设备。一种例示性传感器IC包括:传感器控制器,该传感器控制器操作换能器以获得能够格式化为数据分组的测量数据;加扰器,该加扰器在数据块经由串行总线发...
  • 本发明涉及具有单光子雪崩二极管和隔离结构的半导体器件。实施例公开了一种成像设备,该成像设备可包括单光子雪崩二极管(SPAD)。为了减轻串扰,可围绕每个SPAD形成隔离结构。该隔离结构可包括部分地或完全地延伸穿过用于SPAD的半导体衬底的...