【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开整体涉及具有堆叠集成电路管芯的系统，并且更具体地，涉及堆叠集成电路管芯上的互连结构。
技术介绍
1、具体地，电子系统(诸如成像系统)可以包括使用具有一个堆叠在另一个顶上的多个集成电路管芯的集成电路封装实现的电路。可能需要包括不同技术节点和/或管芯尺寸的堆叠集成电路管芯以增强并优化每个管芯的性能，并且因此增强并优化整个封装的性能。
2、然而，可能难以有效地实现具有不同管芯尺寸的堆叠集成电路管芯的紧凑集成电路封装。例如，使用晶片到晶片制造工艺来实现堆叠集成电路管芯可能需要管芯之间的管芯尺寸匹配，这可能限制所使用的管芯的类型且因此限制系统性能。
3、本文的实施方案就是在这种背景下出现的。
技术实现思路
【技术保护点】
1.一种图像传感器(16)，所述图像传感器包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器(16)，其中所述第二集成电路管芯(50)具有互连层(80)，所述互连层形成管芯间连接结构(84-2)，所述互连层的管芯间连接结构(84-2)连接到所述第三集成电路管芯(60)的管芯间连接结构(64)，所述互连层(80)形成在所述第二集成电路管芯(50)的面向所述第一集成电路管芯(40)的侧面上。
3.根据权利要求2所述的图像传感器(16)，其中所述第一集成电路管芯(40)具有互连层(70)，所述互连层形成连接到所述第二集成电路管芯(50)的管芯间连接结构(74-1)，所述第一集成电路管芯(40)的所述互连层(70)形成在所述第一集成电路管芯(40)的面向所述第二集成电路管芯(50)的侧面上。
4.根据权利要求3所述的图像传感器(16)，其中所述第二集成电路管芯(50)的所述互连层(80)形成附加的管芯间连接结构(84-1)，所述附加的管芯间连接结构(84-1)连接到所述第一集成电路管芯(40)的管芯间连接结构(74-1)。
5.根据权利要求4所述的
6.根据权利要求2所述的图像传感器(16)，其中在与所述第二集成电路管芯(50)的所述侧面相对的所述第二集成电路管芯(50)的附加侧面处的重新分布层(96)中的金属结构(102)形成所述第二集成电路管芯(50)的管芯间连接结构(84-2)中的一部分，该部分连接到所述第三集成电路管芯(60)的管芯间连接结构(64)。
7.根据权利要求6所述的图像传感器(16)，其中所述第二集成电路管芯(50)的管芯间连接结构(84-2)和所述第三集成电路管芯(50)的管芯间连接结构(64)形成混合接合。
8.根据权利要求6所述的图像传感器(16)，其中所述第二集成电路管芯(50)的管芯间连接结构(84-2)和所述第三集成电路管芯(60)的管芯间连接结构(64)形成微凸块连接。
9.根据权利要求6所述的图像传感器(16)，其中所述重新分布层(96)中的所述金属结构(102)形成朝向所述第三集成电路管芯(60)的扇入结构。
10.根据权利要求6所述的图像传感器(16)，其中所述重新分布层(96)中的所述金属结构(102)形成朝向所述第三集成电路管芯(60)的扇出结构。
11.一种集成电路封装(34,34',34”)，所述集成电路封装包括：
12.根据权利要求11所述的集成电路封装(34,34',34”)，其中所述第三集成电路管芯(60)的相对横向边缘之间的尺寸小于所述第二集成电路管芯(50)的对应的相对横向边缘之间的尺寸。
13.根据权利要求12所述的集成电路封装(34,34',34”)，其中所述第二集成电路管芯(50)包括在所述第一侧面处的金属层(84-2)和延伸穿过所述第二集成电路管芯(50)的衬底(52)的导电通孔(84-2)，并且其中所述金属层和所述导电通孔(84-2)形成管芯间连接结构(84-2)，所述金属层和所述导电通孔(84-2)的管芯间连接结构(84-2)连接到所述第三集成电路管芯(60)的所述管芯间连接结构(64)中的给定管芯间连接结构。
14.根据权利要求13所述的集成电路封装(34,34',34”)，其中所述第二集成电路管芯(50)包括在所述第二侧面处的附加的金属层(102)，所述附加的金属层形成所述管芯间连接结构(84-2)的至少一部分，所述至少一部分连接到所述第三集成电路管芯(60)的所述管芯间连接结构(64)中的所述给定管芯间连接结构。
15.根据权利要求12所述的集成电路封装(34,34',34”)，其中在所述第三集成电路管芯(60)的所述侧面上的重新分布金属层(156,182)具有被配置为形成引线接合连接的外部连接结构(158,184)。
16.根据权利要求11所述的集成电路封装(34,34',34”)，其中所述第三集成电路管芯(60)的相对横向边缘之间的尺寸大于所述第二集成电路管芯(50)的对应的相对横向边缘之间的尺寸，并且其中在所述第三集成电路管芯(60)的所述侧面上的重新分布金属层(182)具有被配置为形成引线接合连接的外部连接结构(184)。
17.一种图像传感器封装(34,34',34”)，所述图像传感器封装包括：
18.根据权利要求17所述的图像传感器封装(34,34',34”)，其中所述第三集成电路管芯(60)具...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种图像传感器(16)，所述图像传感器包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器(16)，其中所述第二集成电路管芯(50)具有互连层(80)，所述互连层形成管芯间连接结构(84-2)，所述互连层的管芯间连接结构(84-2)连接到所述第三集成电路管芯(60)的管芯间连接结构(64)，所述互连层(80)形成在所述第二集成电路管芯(50)的面向所述第一集成电路管芯(40)的侧面上。
3.根据权利要求2所述的图像传感器(16)，其中所述第一集成电路管芯(40)具有互连层(70)，所述互连层形成连接到所述第二集成电路管芯(50)的管芯间连接结构(74-1)，所述第一集成电路管芯(40)的所述互连层(70)形成在所述第一集成电路管芯(40)的面向所述第二集成电路管芯(50)的侧面上。
4.根据权利要求3所述的图像传感器(16)，其中所述第二集成电路管芯(50)的所述互连层(80)形成附加的管芯间连接结构(84-1)，所述附加的管芯间连接结构(84-1)连接到所述第一集成电路管芯(40)的管芯间连接结构(74-1)。
5.根据权利要求4所述的图像传感器(16)，其中所述第一集成电路管芯(40)的管芯间连接结构(74-1)和所述第二集成电路管芯(40)的附加的管芯间连接结构(84-1)形成混合接合。
6.根据权利要求2所述的图像传感器(16)，其中在与所述第二集成电路管芯(50)的所述侧面相对的所述第二集成电路管芯(50)的附加侧面处的重新分布层(96)中的金属结构(102)形成所述第二集成电路管芯(50)的管芯间连接结构(84-2)中的一部分，该部分连接到所述第三集成电路管芯(60)的管芯间连接结构(64)。
7.根据权利要求6所述的图像传感器(16)，其中所述第二集成电路管芯(50)的管芯间连接结构(84-2)和所述第三集成电路管芯(50)的管芯间连接结构(64)形成混合接合。
8.根据权利要求6所述的图像传感器(16)，其中所述第二集成电路管芯(50)的管芯间连接结构(84-2)和所述第三集成电路管芯(60)的管芯间连接结构(64)形成微凸块连接。
9.根据权利要求6所述的图像传感器(16)，其中所述重新分布层(96)中的所述金属结构(102)形成朝向所述第三集成电路管芯(60)的扇入结构。
10.根据权利要求6所述的图像传感器(16)，其中所述重新分布层(96)中的所述金属结构(102)形成朝向所述第三集成电路管芯(60)的扇出结构。
11.一种集...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·伯萨克，M·M·佩莱拉，钱德拉塞卡兰·科桑达拉曼，马克·艾伦·撒弗里奇，林育圣，拉里·D·金斯曼，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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