一种芯片、芯片的制作方法及电子设备技术

技术编号：40243859 阅读：5 留言：0更新日期：2024-02-02 22:40

本申请提供一种芯片、芯片的制作方法及电子设备，该芯片的制作方法包括：提供一衬底；其中，该衬底的表面具有：多个有源区域，沿第一方向延伸的多个第一条形区域，沿第二方向延伸的多个第二条形区域，以及多个冗余区域；每一个有源区域对应至少一个将要形成的鳍式场效应晶体管，每一个有源区域被第一条形区域和/或第二条形区域构成的区域围绕；在衬底上形成多个鳍条；去除多个第一条形区域和多个第二条形区域内的鳍条，以在每一个有源区域内形成鳍式场效应晶体管的鳍结构，以及每一个冗余区域内形成冗余鳍结构。通过形成冗余鳍结构可以使后续形成的隔离介质层的均匀性较好，使得到的鳍式场效应晶体管的性能较好。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

技术介绍

技术实现思路

【技术保护点】

PCT国内申请，权利要求书已公开。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

pct国内申请，权...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨磊，高健，艾瑞克·吴，叶约翰，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：

全部详细技术资料下载我是这个专利的主人