【技术实现步骤摘要】
本文件的各方面整体涉及半导体封装。更具体的实施方式涉及薄功率半导体封装及制备薄功率半导体封装的方法。
技术介绍
1、减小半导体封装尺寸总体上带来了经济效益以及技术效益，诸如半导体器件的速度和功率的提升。薄半导体封装对于芯片堆叠技术是有利的。半导体封装可由减薄的管芯形成，该减薄的管芯由磨削的半导体晶圆制成。
技术实现思路
1、形成半导体封装的方法的实施方式可包括在晶圆的第一侧中形成多个凹槽，该晶圆的第一侧包括多个电触点。该方法还可包括使用模塑料涂布晶圆的第一侧和所述多个凹槽的内部，磨削晶圆的第二侧以将晶圆减薄到所需厚度，在晶圆的第二侧上形成背金属，通过磨削模塑料的第一侧来暴露所述多个电触点，以及在所述多个凹槽处对晶圆进行切单(singulate)以形成多个半导体封装。
2、形成半导体封装的方法的实施方式可包括以下各项中的一项、全部或任一项：
3、该方法可包括在晶圆的第二侧上形成穿过背金属的沟槽，使用第二模塑料涂布晶圆的第二侧和背金属层，以及将第二模塑料磨削到所需厚度。
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【技术保护点】
1.一种半导体封装，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述金属层延伸到所述管芯的所述第六侧的所述周边。
3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述金属层延伸到所述半导体封装的外侧壁。
4.一种半导体封装，包括：
5.根据权利要求4所述的半导体封装，其中，所述第二模塑料耦接在所述金属层和所述管芯之间。
6.一种半导体封装，包括：
7.根据权利要求6所述的半导体封装，其中，所述管芯的第二侧的一部分、所述管芯的第三侧的一部分、所述管芯的第四侧的一部分和所述管芯的第五侧的一部分暴露在所...
【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述金属层延伸到所述管芯的所述第六侧的所述周边。
3.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述金属层延伸到所述半导体封装的外侧壁。
4.一种半导体封装，包括：
5.根据权利要求4所述的半导体封装，其中，所述第二模塑料耦接在所述金属层和所述管芯之间。
6.一种半导体封装，包括：
【专利技术属性】
技术研发人员：S·克里南，王松伟，周志雄，刘豪杰，陈费费，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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