【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种深孔电镀的预处理方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤（1）选择待镀的具有一个或多个深孔的半导体芯片，选择纯水，并冷却；步骤（2）将所述半导体芯片进行抽真空处理；步骤（3）将所述半导体芯片在真空下浸泡在所述纯水中；步骤（4）将所述半导体芯片使用镀液浸泡、小电流刺激；步骤（5）将所述半导体芯片使用上述镀液进行电镀。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李明，凌惠琴，孙琪，曹海勇，李义，
申请(专利权)人：上海交通大学，
类型：发明
国别省市：
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