一种晶圆的加工方法技术

本发明专利技术公开了一种晶圆的加工方法，在第一衬底的第一端面上进行图形化处理，形成结构层、光刻胶涂层，并在所述光刻胶涂层上定义出对准标识孔；在对准标识孔的区域对结构层、第一衬底进行蚀刻，使得对准标识孔一直延伸至第一衬底上；将第一衬底设置有结构层的一面与第二衬底粘接在一起；对第一衬底的第二端面进行减薄处理，且对准标识孔从第一衬底的第二端面露出；e)通过该对准标识孔进行定位。在两个晶圆粘接前，预先在其中一个晶圆上嵌埋预定深度的对准标识孔，待两个晶圆粘接后，通过研磨制程将晶圆加工至预定的厚度，并通过露出的对准标识孔进行第二次定位，使得可以采用原有的设备对晶圆的表面进行高精度的加工。

Method for processing wafer

The invention discloses a method for processing a wafer, graphic processing in the first end of the first substrate, forming a structure layer and a photoresist coating, and define the alignment marks hole in the photoresist coating; in the area of alignment marks hole structure layer, a first substrate for etching, the alignment mark the hole has been extended to the first substrate; the first substrate provided with structure layer side and second substrate bonding together; on the second surface of the first substrate is thinned, and the alignment mark hole is exposed from the second surface of the first substrate; E) through the positioning hole alignment marks. In the two wafer before bonding, in which a wafer pre alignment block identifies a predetermined depth to be buried hole, two wafer bonding after the polishing process will wafer to a predetermined thickness, and the second position alignment marks through hole is exposed, so that the processing can use original equipment with high precision on the surface of the wafer.

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆的加工方法
本专利技术涉及一种晶圆的加工方法。
技术介绍
晶圆(Wafer)是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。晶圆的制造工艺及相关的制造工具可以包括热氧化、扩散、离子注入、快速热处理(RTP)、化学汽相沉积(CVD)、物理汽相沉积(PVD)、外延形成/生长工艺、蚀刻工艺、光刻工艺和/或其他制造工艺和工具。晶圆在完成两片Wafer粘接制程状态，如果需要进行晶圆外表面的加工，则必须将两片Wafer预先翻印至外表面，这是一种繁琐的加工方式，且晶圆的对准标志经过多次翻印后会出现多次对准误差的产生，其精度已无法满足精密元件的加工需求。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是提供一种晶圆的加工方法的新技术方案。根据本专利技术的第一方面，提供了一种晶圆的加工方法，包括以下步骤：a)在第一衬底的第一端面上进行图形化处理，形成结构层，在结构层的上方设置光刻胶涂层，并在所述光刻胶涂层上定义出对准标识孔；b)在对准标识孔的区域对结构层、第一衬底进行蚀刻，使得对准标识孔一直延伸至第一衬底上；c)将第一衬底设置有结构层的一面与第二衬底粘接在一起；d)对第一衬底的第二端面进行减薄处理，且对准标识孔从第一衬底的第二端面露出；e)通过该对准标识孔进行定位，对第一衬底的第二端面进行图形化处理。可选地，所述步骤b)中，所述对准标识孔蚀刻后形成的是延伸至第一衬底内的盲孔。可选地，所述步骤b)中，所述对准标识孔蚀刻后形成的贯穿第一衬底两端的通孔。可选地，所述步骤d)中通过研磨的方式对第一衬底的第二端面进行减薄处理。本专利技术的制造方法，在两个晶圆粘接前，预先在其中一个晶圆上嵌埋预定深度的对准标识孔，待两个晶圆粘接后，通过研磨制程将晶圆加工至预定的厚度，并通过露出的对准标识孔进行第二次定位，使得可以采用原有的设备对晶圆的表面进行高精度的加工。本专利技术的专利技术人发现，在现有技术中，经常需要将晶圆进行翻转加工，这是一种繁琐的加工方式，且晶圆的对准标志经过多次翻印后会出现多次对准误差的产生，其精度已无法满足精密元件的加工需求。因此，本专利技术所要实现的技术任务或者所要解决的技术问题是本领域技术人员从未想到的或者没有预期到的，故本专利技术是一种新的技术方案。通过以下参照附图对本专利技术的示例性实施例的详细描述，本专利技术的其它特征及其优点将会变得清楚。附图说明被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本专利技术的实施例，并且连同其说明一起用于解释本专利技术的原理。图1至图4是本专利技术加工方法的工艺流程图。具体实施方式现在将参照附图来详细描述本专利技术的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本专利技术的范围。以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本专利技术及其应用或使用的任何限制。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。本专利技术提供了一种晶圆的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：a)在第一衬底1的第一端面上进行图形化处理，形成结构层2；参考图1；第一衬底1可以采用本领域技术人员所熟知的单晶硅材料；所述结构层2的结构可以是麦克风结构，也可以是惯性传感器、环境传感器等结构；在结构层2的上方设置光刻胶涂层3，并在所述光刻胶涂层3上设置对准标识孔4；例如可以采用黄光微影等方式在光刻胶涂层3上定义出用于定位的对准标识孔4；b)在对准标识孔4的区域对结构层2、第一衬底1进行蚀刻，使得对准标识孔4一直延伸至第一衬底1上；通过位于光刻胶涂层3上的对准标识孔4，往下蚀刻到预定的深度，从而完成对准标识孔4的嵌埋制程，参考图2；c)将第一衬底1设置有结构层2的一面与第二衬底5粘接在一起，参考图3；例如可通过粘结层6将第一衬底1上的结构层2与第二衬底5粘接在一起，这种粘接例如可以是硅-硅键合的方式，也可以是本领域技术人员所熟知的其它粘接方式；d)对第一衬底1的第二端面进行减薄处理，并使对准标识孔4从第一衬底1的第二端面露出，参考图4；例如可通过研磨的方式对第一衬底1的第二端面进行减薄，从而得到预定厚度的第一衬底1，所述对准标识孔4从第二端面露出；e)通过位于第二端面上的对准标识孔4进行定位，从而对第一衬底1的第二端面进行图形化处理。本专利技术优选的是，所述步骤b)中，所述对准标识孔4蚀刻后形成的是延伸至第一衬底1内的盲孔，也就是说，所述对准标识孔4并没有贯穿第一衬底1的第二端面，通过后续步骤d)中的研磨将对准标识孔4从第二端面上露出。在本专利技术另一优选的实施方式中，所述步骤b)中，所述对准标识孔4蚀刻后形成的贯穿第一衬底1的通孔，也就是说，该对准标识孔4贯穿至第一衬底1的两端；步骤d)只需要将第一衬底1的第二端面研磨至预定厚度即可。本专利技术的制造方法，在两个晶圆粘接前，预先在其中一个晶圆上嵌埋预定深度的对准标识孔，待两个晶圆粘接后，通过研磨制程将晶圆加工至预定的厚度，并通过露出的对准标识孔进行第二次定位，使得可以采用原有的设备对晶圆的表面进行高精度的加工。虽然已经通过例子对本专利技术的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本专利技术的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本专利技术的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本专利技术的范围由所附权利要求来限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：a)在第一衬底(1)的第一端面上进行图形化处理，形成结构层(2)，在结构层(2)的上方设置光刻胶涂层(3)，并在所述光刻胶涂层(3)上定义出对准标识孔(4)；b)在对准标识孔(4)的区域对结构层(2)、第一衬底(1)进行蚀刻，使得对准标识孔(4)一直延伸至第一衬底(1)上；c)将第一衬底(1)设置有结构层(2)的一面与第二衬底(5)粘接在一起；d)对第一衬底(1)的第二端面进行减薄处理，且对准标识孔(4)从第一衬底(1)的第二端面露出；e)通过该对准标识孔(4)进行定位，对第一衬底(1)的第二端面进行图形化处理。

【技术特征摘要】
1.一种晶圆的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：a)在第一衬底(1)的第一端面上进行图形化处理，形成结构层(2)，在结构层(2)的上方设置光刻胶涂层(3)，并在所述光刻胶涂层(3)上定义出对准标识孔(4)；b)在对准标识孔(4)的区域对结构层(2)、第一衬底(1)进行蚀刻，使得对准标识孔(4)一直延伸至第一衬底(1)上；c)将第一衬底(1)设置有结构层(2)的一面与第二衬底(5)粘接在一起；d)对第一衬底(1)的第二端面进行减薄处理，且对准标识孔(4)从第一衬...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹竣凯，周宗燐，邱冠勋，蔡孟锦，
申请(专利权)人：歌尔股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37