本发明专利技术公开一发光装置，其包含:一基板，具有一第一侧及相对于第一侧的一第二侧；及一发光叠层，形成于第一侧上，并发出一主波长为λ纳米的光；其中，基板包含一位于第一侧的第一表面，第一表面包含一以一第一周期排列的第一图案，第一图案包含一以一第二周期排列的第二图案；且第一周期大于6λ纳米，第二周期小于λ纳米。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开一发光装置，其包含:一基板，具有一第一侧及相对于第一侧的一第二侧；及一发光叠层，形成于第一侧上，并发出一主波长为λ纳米的光；其中，基板包含一位于第一侧的第一表面，第一表面包含一以一第一周期排列的第一图案，第一图案包含一以一第二周期排列的第二图案；且第一周期大于6λ纳米，第二周期小于λ纳米。【专利说明】发光装置
本专利技术涉及一种发光装置，更具体而言，是涉及一种具有第一图案及第二图案基板的发光装置。
技术介绍
固态发光元件中的发光二极管元件(Light Emitting Diode ；LED)具有低耗电量、低发热量、操作寿命长、耐撞击、体积小、反应速度快、以及可发出稳定波长的色光等良好光电特性，因此常应用于家电、仪表的指示灯及光电产品等领域。然而，如何改善发光二极管元件的光取出效率在此领域中是一项很重要的议题。此外，以上发光二极管元件可进一步结合一次载体(sub-mount)而形成一发光装置，例如灯泡。所述发光装置包含一具有至少一电路的次载体；至少一焊料(solder)位于上述次载体上，通过此焊料将上述发光二极管固定于次载体上并使发光二极管的基板与次载体上的电路形成电连接；以及，一电连接结构，以电连接发光二极管的电极垫与次载体上的电路；其中，上述的次载体可以是导线架(lead frame)或大尺寸镶嵌基底(mountingsubstrate)，以方便发光装置的电路规划并提高其散热效果。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供一发光装置，其包含:一基板，具有一第一侧及相对于第一侧的一第二侧；及一发光叠层，形成于第一侧上，并发出一主波长为λ纳米的光；其中，基板包含一位于第一侧的第一表面，第一表面包含一以一第一周期排列的第一图案，第一图案包含一以一第二周期排列的第二图案；且第一周期大于6 λ纳米，第二周期小于λ纳米。【专利附图】【附图说明】图1A为本专利技术第一实施例的一发光装置的一剖视图；图1B为图1A的基板第一表面的局部放大图；图2Α为本专利技术第二实施例的一发光装置的一剖视图；图2Β为图2Α的基板第一表面的局部放大图；图2C为图1A的基板第一表面的局部放大图；图3为本专利技术第三实施例的一发光装置的一剖视图；图4Α为本专利技术第四实施例的一发光装置的一剖视图；图4Β为图4Α的基板第一表面的局部放大图；图5Α为本专利技术第五实施例的一发光装置的一剖视图；图5Β为图5Α的基板第一表面的放大图；图6Α-图6G为本专利技术第二实施例的发光装置的制造方法剖视图；图7Α-图71为本专利技术第二实施例的发光装置的另一制造方法剖视图。主要元件符号说明100、200、300、400、500:发光装置10、10，、20、30、40:基板101、101’、201、301、401:第一表面102、102’、202、302、402:第二表面11,41:发光叠层110:第三表面111,411:第一型半导体层112、412:活性层113、413:第二型半导体层114:缓冲层121,421:第一电极122、422:第二电极14、14，、24、34、44:第一图案141、141’、241、341:单元图案1411、1411，、1511、2611、3411、4411、4511:第一端1412、1412，、1512、2612、3412、4412、4512:第二端1413、1413，、2613、3413、4413:边缘15、25、35、45:第二图案150，、250、270、350:中间区域151:凹陷部18:金属层181:纳米小球28:光致抗蚀剂281:图案化光致抗蚀剂282:金属层283:图案化金属层351:突起部【具体实施方式】以下实施例将伴随着【专利附图】【附图说明】本专利技术的概念，在附图或说明中，相似或相同的部分使用相同的标号，并且在附图中，元件的形状或厚度可扩大或缩小。需特别注意的是，图中未绘示或描述的元件，可以是熟习此技艺的人士所知的形式。图1A及图1B为本专利技术第一实施例的一发光装置100的示意图。发光装置100包含一基板10 ;—发光叠层11形成于基板10上；一电极单兀12形成于发光叠层11上。基板10具有位于一第一侧的一第一表面101及一位于一第二侧的一第二表面102。发光叠层11形成于基板10的第一表面101上且具有一相对于基板10的第三表面110，并发出一主波长为λ纳米的光。此外，发光叠层11发出的光包含自基板10 —侧穿出的一第一光场及自电极单兀12—侧穿出的一第二光场。其中第一光场的光强度大于第二光场的光强度。发光叠层11包含一第一型半导体层111、一活性层112、及一第二型半导体层113。电极单元12位于发光叠层11的同一侧且形成于第三表面110上。电极单元12包含一第一电极121，形成在第一型半导体层111上；及一第二电极122，形成在第二型半导体层113上。在一实施例中，可形成一反射层(图未不)于第三表面110上以反射发光叠层11所发出的光往基板10的第二侧而离开发光叠层11。基板10的第一表面101包含一以第一周期排列的第一图案14。第一图案14包含多个从基板10的第一侧往基板的第二侧10凹陷(往基板内凹陷)的单元图案141。单元图案141的剖视图形包含至少一种图形选自于V形、半圆形、弧形、以及多边形所组成的群组。图1B为图1A中第一图案14的局部放大图。在本实施例中，单元图案141的剖视图为圆弧形且每一单元图案141的剖面包含一第一端1411、一第二端1412及一连接于第一端1411与第二端1412之间的边缘1413。单元图案141彼此紧密排列，即单元图案141的第一端1411与相邻的单元图案141的第二端1412彼此相邻接。如图1B所示，第一图案14包含一以第二周期排列的第二图案15。第二图案15包含至少两相邻的凹陷部151，凹陷部151形成于单元图案141上。在一实施例中，凹陷部151形成于每一单元图案141上，亦即，每一单元图案141的边缘1413上皆具有凹陷部151。选择性地，部分单元图案141具有第二图案15，部分单元图案141则不具有第二图案15。凹陷部151的凹陷方向大致从基板10的第一侧往第二侧的方向(往基板内凹陷)。第二图案15的凹陷部151的剖视图形包含至少一种图形选自于V形、半圆形、弧形、以及多边形所组成的群组。在本实施例中，第二图案15的剖视图也为圆弧形且每一凹陷部151的剖面包含一第一端1511、一第二端1512，凹陷部151彼此紧密排列，即凹陷部151的第一端1511与相邻的凹陷部151的第二端1512彼此相邻接。选择性地，凹陷部151可非紧密排列，即凹陷部的第一端1511与相邻的凹陷部151的第二端1512非相邻接，且相隔的距离为>0及≤100纳米。在一实施例中，第一图案14具有一大于6 λ纳米的宽度(W1)及第一周期为P1,第二图案15具有一小于λ纳米的宽度(W2)及第二周期为Ρ2。当第一图案14与第二图案15皆为紧密排列时，W1=P1, W2=P20在一实施例中，当h/PAl/15，可有效地使发光叠层11所发出的光往基板10的第二侧射出。此外，第二图案15具有一高度及一宽度，当高度与宽度的比大于1.5，也可有效地使发光叠层11所发出的光往基板10的第二侧射本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种发光装置，包含:基板，具有第一侧及与该第一侧相对的第二侧；及发光叠层，形成于该第一侧上，并发出一主波长为λ纳米的光；其中，该基板包含位于该第一侧的第一表面，该第一表面包含以一第一周期排列的第一图案，该第一图案包含以一第二周期排列的第二图案，且该第一周期大于6λ纳米，该第二周期小于λ纳米。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨於铮，林植南，吴荣宗，沈建赋，巫汉敏，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：台湾;71
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