【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种发光元件及其制造方法，特别是涉及一种可提升制造良率及亮度的发光元件及其制造方法。
技术介绍
1、发光二极管(leds)具有具低耗电量、低产热、寿命长、体积小、反应速度快以及良好光电特性，例如具有稳定的发光波长等特性，故已被广泛的应用于家用装置、指示灯及光电产品等。
2、现有的发光二极管包含一基板、一n型半导体层、一活性层及p型半导体层形成于基板上、以及分别形成于p型/n型半导体层上的p、n电极。当通过电极对发光二极管通电，且在一特定值的顺向偏压时，来自p型半导体层的空穴及来自n型半导体层的电子在活性层内结合以放出光。然而，随着发光二极管应用于不同的光电产品，当发光二极管的尺寸缩小时，如何维持其光电特性并提升其切割良率，为本
人员所研究开发的目标之一。
技术实现思路
1、一种发光元件，包含：一基板，包含一上表面以及多个侧表面，其中多个侧表面包含第一侧表面以及第二侧表面相对于第一侧表面；以及一半导体叠层，位于上表面；其中：第一侧表面包含多个第一改质区，且多个...
【技术保护点】
1.一种发光元件，包含：
2.如权利要求1所述的发光元件，其中该些相邻第一改质区的间距介于5μm～20μm。
3.如权利要求1所述的发光元件，其中该上表面由俯视观之包含边缘，该些褶曲结构于该边缘形成锯齿状，及/或其中该褶曲结构包含多个脊部以及多个谷部，该些脊部由该第一改质条痕往该上表面延伸。
4.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一侧表面包含第一区位于该第一改质条痕与该上表面之间；以及
5.如权利要求4所述的发光元件，其中该些第一改质区更组成第二改质条痕，其中该第一侧表面包含第二区位于该第一改质条痕与该第二改质条痕之间...
【技术特征摘要】
1.一种发光元件，包含：
2.如权利要求1所述的发光元件，其中该些相邻第一改质区的间距介于5μm～20μm。
3.如权利要求1所述的发光元件，其中该上表面由俯视观之包含边缘，该些褶曲结构于该边缘形成锯齿状，及/或其中该褶曲结构包含多个脊部以及多个谷部，该些脊部由该第一改质条痕往该上表面延伸。
4.如权利要求1所述的发光元件，其中该第一侧表面包含第一区位于该第一改质条痕与该上表面之间；以及
5.如权利要求4所述的发光元件，其中该些第一改质区更组成第二改质条痕，其中该第一侧表面包含第二区位于该第一改质条痕与该第二改质条痕之间，其中该褶曲结构更位于该第二区，且该第二区具有第三均方根倾斜rδq_3，其中：rδq_3>0.5×rδq_2。
6.如权利要求1所述的发光元件，其中该基板还包含下表面，该第一侧表面与该下表面的夹角介于84至96度。
7.如权利要求1所述的发光...
【专利技术属性】
技术研发人员：廖嘉哲，陈之皓，吴玮哲，吴笙豪，杨秀卉，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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