【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种LED表面粗化芯片，所述LED芯片包括衬底以及成形在所述衬底上的外延层，所述外延层依次包括n‑GaN层、发光层和p‑GaN层；所述p‑GaN层上成形有透明导电层；以及分别成形在所述n‑GaN层和所述透明导电层上的n型电极和p型电极，其特征在于，所述p‑GaN层表面设有多个粗化图形；所述透明导电层设有多个开孔图形，所述全部或部分粗化图形暴露在该开孔图形中。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：吴飞翔，陈家洛，陈立人，余长治，
申请(专利权)人：聚灿光电科技苏州有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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