基于OpenVPX标准的存储器制造技术

本实用新型专利技术公开了基于OpenVPX标准的存储器，其中，该存储器包括P0连接器、P1连接器和P2连接器；还包括与P1连接器通过串行标准硬盘接口SATA连接的flash控制芯片，与flash控制芯片连接的至少一个flash芯片组；P1连接器接收来自背板的数据，通过SATA发送给flash控制芯片，flash控制芯片将接收的数据发送到闪存芯片组进行存储；P1连接器接收来自背板的读取指令，通过SATA发送给flash控制芯片，flash控制芯片按照读取指令读取闪存芯片组中的数据，通过SATA发送给P1连接器，P1连接器将数据反馈给背板。本实用新型专利技术方案能够增大存储器的容量，提高存储器的力学可靠性。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了基于OpenVPX标准的存储器，其中，该存储器包括P0连接器、P1连接器和P2连接器；还包括与P1连接器通过串行标准硬盘接口SATA连接的flash控制芯片，与flash控制芯片连接的至少一个flash芯片组；P1连接器接收来自背板的数据，通过SATA发送给flash控制芯片，flash控制芯片将接收的数据发送到闪存芯片组进行存储；P1连接器接收来自背板的读取指令，通过SATA发送给flash控制芯片，flash控制芯片按照读取指令读取闪存芯片组中的数据，通过SATA发送给P1连接器，P1连接器将数据反馈给背板。本技术方案能够增大存储器的容量，提高存储器的力学可靠性。【专利说明】基于OpenVPX标准的存储器
本技术涉及存储技术，尤其涉及基于OpenVPX标准的存储器。
技术介绍
随着嵌入式系统设备的飞速发展与广泛普及应用，以及不断增加的复杂性，使嵌入式系统设备中需要存储的数据量越来越大，速度要求越来越高。因此，对嵌入式系统设备中的存储器提出了更高要求；尤其是在电信、雷达、军工和航天领域。目前在普通的嵌入式系统设备中常米用全数码卡(SD, Secure Digital MemoryCard)卡、多媒体芯片(MMC, MultiMedia Card)卡、U盘、机械硬盘等存储介质,实现大容量的数据存储。现有嵌入式系统设备的存储器存在以下缺陷:SD卡、MMC卡、U盘等存储介质采用传统串行外设接口(SPI，Serial PeripheralInterface)总线、集成线路总线(IIC, Inter-1ntegrated Circuit)、通用串行总线(USB,Universal Serial Bus)、并行总线等传输接口与设备进行连接。这些接口速度有限,且能实现的存储容量也非常有限，通常最多只能到几十GB。并且，SD卡、MMC卡、U盘等技术采用插座方式接入系统设备，导致可靠性较低，特别是在使用环境比较恶劣的场合。对于基于OpenVPX标准的嵌入式系统设备，为了提高存储器容量，可以在其主板芯片的背板上可以插入存储器，且其可靠性高，能使用于环境比较恶劣的场合，提高抗损坏能力，增强力学可靠性，但目前没有实现这类存储器的实现方案。
技术实现思路
本技术提供了一种基于OpenVPX标准的存储器，该存储器能够增大存储容量，提高力学可靠性。一种基于OpenVPX标准的存储器，该存储器包括该存储器包括PO连接器、Pl连接器和P2连接器，PO连接器、Pl连接器和P2连接器与OpenVPX设备的背板连接；还包括与Pl连接器通过串行标准硬盘接口 SATA连接的flash控制芯片，以及与flash控制芯片连接的至少一个flash芯片组；P1连接器接收来自背板的数据，通过SATA发送给flash控制芯片，flash控制芯片将接收的数据发送到闪存芯片组进行存储；P1连接器接收来自背板的读取指令，通过SATA发送给flash控制芯片，flash控制芯片按照读取指令读取闪存芯片组中的数据，通过SATA发送给Pl连接器，Pl连接器将数据反馈给背板。从上述方案可以看出，本技术提供的存储器包括PO连接器、Pl连接器和P2连接器，PO连接器、Pl连接器和P2连接器与OpenVPX设备的背板连接；还包括与Pl连接器通过串行标准硬盘接口 SATA连接的flash控制芯片，以及与flash控制芯片连接的至少一个flash芯片组。该存储器采用至少一个flash芯片组进行数据存储，增大了存储容量，并且，PO连接器、Pl连接器和P2连接器与OpenVPX设备的背板连接，其可靠性高，能使用于环境比较恶劣的场合，提高了力学可靠性。【专利附图】【附图说明】图1为本技术基于OpenVPX标准的3U结构示意图；图2为本技术与图1中Pl连接器相连的存储器结构示意图实例；图3为本技术与图1中PO连接器相连的存储器结构示意图实例。【具体实施方式】为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本技术进一步详细说明。OpenVPX是新一代高可靠性计算机平台的标准,本技术基于OpenVPX标准的存储器，采用标准的3U结构实现，3U结构如图1所示，包括PO连接器、Pl连接器和P2连接器。该存储器包括PO连接器、Pl连接器和P2连接器，PO连接器、Pl连接器和P2连接器与OpenVPX设备的背板连接；还包括与Pl连接器通过串行标准硬盘接口(SATA，SerialAdvanced Technology Attachment)连接的flash控制芯片，以及与flash控制芯片连接的至少一个flash芯片组；P1连接器接收来自背板的数据，通过SATA发送给flash控制芯片，flash控制芯片将接收的数据发送到闪存芯片组进行存储；P1连接器接收来自背板的读取指令，通过SATA发送给flash控制芯片，flash控制芯片按照读取指令读取闪存芯片组中的数据，通过SATA发送给Pl连接器，Pl连接器将数据反馈给背板。与Pl连接器连接的部分参见图2，图中的OpenVPX连接器，即图1中的Pl连接器。3U结构中，3个连接器可具体选用美国Tyco公司的VPX RT2差分连接器实现。flash管理芯片为存储器的主芯片，它负责管理所有的flash芯片组，并且提供一个SATA实现与背板之间的数据读写。进一步地，该存储器还可以包括与flash控制芯片连接的同步动态随机存储器(SDRAM, Synchronous Dynamic Random Access Memory)芯片,进行读写数据的缓存；具体包括:写入数据时，flash控制芯片通过SATA接收来自Pl连接器的数据后，缓存到SDRAM芯片，再将缓存的数据发送到闪存芯片组进行存储；读取数据时，flash控制芯片按照来自Pl连接器的读取指令，读取闪存芯片组中的数据，缓存到SDRAM芯片，然后再通过SATA发送给Pl连接器。Pl连接器中有多对连接线,每对连接线可以连接一个flash控制芯片，每个flash控制芯片连接至少一个flash芯片组，这样可进一步扩展存储器的容量。具体地，可采用两对连接线分别连接两个flash控制芯片，每个flash控制芯片连接至少一个flash芯片组；相应地，因为有2片FLASH管理芯片，所以连接到图2中OpenVPX连接器上的有2个SATA，SATA为标准的SATA2.0接口。每个flash芯片组可以由至少一片NAND flash芯片组成,例如由4片NAND flash芯片组成。图2的实例中，flash管理芯片给出4个片选使能(CE，Chip Enable)，每个CE连接的flash芯片组由4片NAND flash芯片构成。单片NAND flash芯片的容量为16GB，这样每个CE片选下面就有64GB的容量，每片flash管理芯片最多可以管理256GB的容量。CE为选片信号，当CE为低电平时，表明选中与之连接的flash芯片组进行数据存储；当CE为高电平时，表明与之连接的flash芯片组不被选中。NAND flash芯片是东芝公司开发的一种非易失闪存，具较高的单元密度，可以达到高存储密度，写入和擦除速度较快。图1和图2组本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于OpenVPX标准的存储器，其特征在于，该存储器包括P0连接器、P1连接器和P2连接器，P0连接器、P1连接器和P2连接器与OpenVPX设备的背板连接；还包括与P1连接器通过串行标准硬盘接口SATA连接的flash控制芯片，以及与flash控制芯片连接的至少一个flash芯片组；P1连接器接收来自背板的数据，通过SATA发送给flash控制芯片，flash控制芯片将接收的数据发送到闪存芯片组进行存储；P1连接器接收来自背板的读取指令，通过SATA发送给flash控制芯片，flash控制芯片按照读取指令读取闪存芯片组中的数据，通过SATA发送给P1连接器，P1连接器将数据反馈给背板。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：何浩，
申请(专利权)人：北京国科环宇空间技术有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11