在一面或两面上具有有机-无机杂化材料层的绝缘膜被覆金属箔，所述有机-无机杂化材料层含有二甲基硅氧烷和包含Si以外的金属的金属氧烷。沿上述有机-无机杂化材料层的厚度方向从该层的表面算起的1/4t深度处的Si的浓度［Si］1/4t，相对于沿该杂化材料层的厚度方向、从该层的表面算起的3/4t深度处的Si的浓度［Si］3/4t，为［Si］1/4t＜［Si］3/4t，（［Si］3/4t-［Si］1/4t）/［Si］3/4t为0.02～0.23。提供金属箔，其可适用于太阳能电池基板或挠性电路基板等，具有绝缘性、耐热性、柔软性、表面平坦性，且在搬送或转装等的对基板操作的过程中，在该层的表面难以留下伤痕。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】绝缘膜被覆金属箱
本专利技术涉及用包含有机.无机杂化材料的绝缘膜实施了被覆的绝缘膜被覆金属箔。本专利技术的绝缘膜被覆金属箔可以合适地用于例如薄膜晶体管(TFT)、有机EL显示器、电子纸等电子装置的微细部件的安装。
技术介绍
二氧化硅(SiO2)膜为无机氧化物，因此耐热性、电绝缘性等优异，可容易地得到平坦的膜，从而在各种领域中用作电绝缘膜。另外，二氧化硅膜一般利用PVD (物理气相沉积Physical Vapor Deposition)、CVD (化学气相沉积 Chemical Vapor Deposition)等的气相法、和溶胶.凝胶法等的液相法制作。伴随着近年来对于电子装置.电子部件配置的要求的提高，在它们中使用的电场强度也有变大的倾向。这样对于电场强度变大这样的装置或电子部件配置，需要更高的绝缘性，因此在将二氧化硅膜作为绝缘膜时，需要进而使该二氧化硅膜变厚。但是，在上述的气相法、液相法等任意的制作方法中，难以形成二氧化硅厚膜，通常对于Iym以上的膜厚，发生裂纹的倾向变强。认为其原因是构成膜的“二氧化硅”本身的杨氏模量高，从而对于成膜时产生的由与基板材料的热膨胀系数差导致的内部应力、或由膜自身的收缩产生的内部应力，膜很难追随变化而使应力缓和。另外，在以电子纸为代表这样的、可变形至弯曲等的电子装置中，对于柔软性低的(即，杨氏模量高)二氧化硅绝缘膜，难以追随上述变形，因此认为对于可进行这样的变形的电子装置，二氧化硅绝缘膜一般是不合适的。作为上述这样的问题的解决方法，在非专利文献I或2中，提出了在二氧化硅的硅氧烷骨架中引入了有机基团的有机修饰硅酸盐膜。其公开了对于称为有机?无机杂化材料(无机.有机杂化材料)、有机改性娃化合物(Ormosils)、陶瓷体(Ceramers)等的材料的膜，在硅氧烷骨架中引入甲基等的有机基团时，硅氧烷骨架的刚直性缓和，杨氏模量变低，由此即使为I μ m以上的膜厚，也能够不产生裂纹而进行成膜。在专利文献I中，公开了利用将有机烷氧基硅烷RxSi (0R’)4_x (其中，R为有机基团，0R’为烷氧基。X为1、2、或3)作为原料、通过水解.缩聚反应而形成在硅氧烷骨架中引入了有机基团R的结构的方法(一般称为“溶胶.凝胶法”)来制作这样的有机修饰硅酸盐膜；即使在硅氧烷骨架中引入了有机基团R的结构中，具有在Si上键合了 2个有机基团的二有机硅氧烷-O-Si (R)2-O-的结构进而具有柔软性，对于上述目的更为优选，特别地，上述二有机硅氧烷的有机基团R为甲基的二甲基硅氧烷-O-Si (CH3)2-O-的柔软性更为优异，耐热性也优异；作为含有二甲基硅氧烷的结构，有将聚二甲基硅氧烷X- [-Si (CH3)2-O]m-Si (CH3)2-X (其中，X为反应性官能团，m为聚二甲基硅氧烷的单元数。)作为起始原料、使其与金属醇盐M (OR)n (η为烷氧基的数目，通常为M的价数)的原料一起反应而得到的结构，特别地，上述聚二甲基硅氧烷的质均分子量Mw为900以上时，I μ m以上的厚膜制作变得容易，能够容易地得到具有可追随基板的变形的柔软性的绝缘膜。在专利文献2中，作为与上述有机修饰硅酸盐类似的物质，公开了作为耐热绝缘电线的绝缘被覆层的、由聚二甲基硅氧烷等的链状硅氧烷低聚物、金属醇盐、和无机填充剂形成的硅氧烷树脂组合物。在专利文献3中，出于作为薄膜太阳能电池基板而使其集光效率提高的目的，作为形成在表面形成了凹凸结构的绝缘膜的方法，公开了在由聚二甲基硅氧烷和金属醇盐形成的膜中产生的利用了疏水相与亲水相的相分离的表面凹凸结构的形成。在专利文献4中，公开了用由聚(二有机)硅氧烷和金属醇盐形成的绝缘被膜使表面平坦的内容。公开了下述主旨:上述绝缘被膜是平坦性优异的膜，因此可以适合用作薄膜晶体管、液晶显示器、有机EL显示器、电子纸等的电子装置中使用的膜厚度厚的绝缘膜的被覆基材。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2003-247078号公报专利文献2:日本特开平5-239359号公报专利文献3:日本特开2005-79405号公报专利文献4:日本特开2008-255242号公报非专利文献:非专利文献1:作花済夫著「'/> - 斤法O科学」了 彳、承風社(作花济夫著“溶胶-凝胶法的科学” 7夕'' +承風社)(1990)ρ.115-153非专利文献2:作花済夫著「'/> - 法O応用」7 彳、承風社(作花济夫著“溶胶-凝胶法的应用” 7 V +承風社)(1997) p.57-115
技术实现思路
专利技术欲解决的课题但是，专利文献I至4中公开的施加了有机-无机杂化材料层的金属箔存在以下这样的问题。通过调整与二甲基硅氧烷交联而使其硬化的金属醇盐的配合，可以控制有机-无机杂化材料层的柔软性的程度，但上述有机-无机杂化材料层过于柔软时，表面容易留下伤痕，在该基板的搬送或转装等的工序中有机-无机杂化材料层留下伤痕，有时形成产出次品的原因，如果为了使表面上难以留下伤痕而使该层变硬，则在成膜时产生裂纹，不能得到平坦、绝缘性优异的膜，或在将基板弯曲时在该层上产生裂纹。因此，仅仅调整成分，难以兼顾柔软性和表面硬度。本专利技术提供一种金属箔，其具有绝缘性、耐热性、表面平坦性、而且具有柔软性，且在对基板进行操作的过程(例如搬送或转装等)中，难以在其表面留下伤痕，具有有机-无机杂化材料层。用于解决课题的手段本专利技术人等进行了努力研究，结果发现:为了保持绝缘性、耐热性、柔软性、表面平坦性这样的、对于可变形至弯曲等的电子装置所需要的特性，同时在施加于金属箔上的有机-无机杂化材料层的表面上难以留有伤痕，极其有效的作法是使该有机-无机杂化材料层为将聚二甲基硅氧烷和金属醇盐配合而成的层，所述金属醇盐通过具有选自Mg、Ca、Y、Al、Sn、T1、Zr、Nb、Ta、W中的I种以上而成，进而对上述有机-无机杂化材料层的厚度方向上的Si的浓度[Si]赋予特定的倾斜，在从金属箔侧向该层的表面的方向上使Si的浓度减少，从而完成了本专利技术。本专利技术的主旨如以下所述。〔I〕一种绝缘膜被覆金属箔的制造方法，其是具有有机-无机杂化材料层的绝缘膜被覆金属箔的制造方法，其特征在于，将配合有聚二甲基硅氧烷和金属醇盐的液体进行涂布，所述金属醇盐具有选自Mg、Ca、Y、Al、Sn、T1、Zr、Nb、Ta、W 中的 I 种以上的金属，在70°C以上且210°C以下进行干燥， 以30~80°C /min的升温速度升温，在250~600°C保持30~240分钟，[0031 ] 由此沿上述有机-无机杂化材料层的厚度方向、从该层的表面算起的l/4t深度处的Si的浓度[Si]1/4t，相对于沿上述有机-无机杂化材料层的厚度方向、从该层的表面算起的3/4t深度处的Si的浓度[Si] 3/4t具有以下的关系，[Si]1/4t < [Si]3/4t且上述Si浓度的相对比、Rsi= [Si]3/4t- [Si] 1/4t/ [Si] 3/4t的值为0.02以上且.0.23以下。[2]根据[I]所述的绝缘膜被覆金属箔的制造方法，其特征在于，~2,与仏/1(|,具有以下的关系，1.0XA1/2t < Al7l0t < 2.0XAl72t其中，所述A1/2t是沿上述有机本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种绝缘膜被覆金属箔的制造方法，其是具有有机?无机杂化材料层的绝缘膜被覆金属箔的制造方法，其特征在于，将配合有聚二甲基硅氧烷和金属醇盐的液体进行涂布，所述金属醇盐具有选自Mg、Ca、Y、Al、Sn、Ti、Zr、Nb、Ta、W中的1种以上的金属，在70℃以上且210℃以下进行干燥，以30～80℃/min的升温速度升温，在250～600℃保持30～240分钟，由此沿上述有机?无机杂化材料层的厚度方向、从该层的表面算起的1/4t深度处的Si的浓度［Si］1/4t，相对于沿上述有机?无机杂化材料层的厚度方向、从该层的表面算起的3/4t深度处的Si的浓度［Si］3/4t具有以下的关系，［Si］1/4t＜［Si］3/4t且上述Si浓度的相对比、RSi＝［Si］3/4t?［Si］1/4t/［Si］3/4t的值为0.02以上且0.23以下。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.07.20 JP 2011-1591841.一种绝缘膜被覆金属箔的制造方法，其是具有有机-无机杂化材料层的绝缘膜被覆金属箔的制造方法，其特征在于， 将配合有聚二甲基硅氧烷和金属醇盐的液体进行涂布，所述金属醇盐具有选自Mg、Ca、Y、Al、Sn、T1、Zr、Nb、Ta、W中的I种以上的金属， 在70°C以上且210°C以下进行干燥， 以30~80°C /min的升温速度升温，在250~600°C保持30~240分钟， 由此沿上述有机-无机杂化材料层的厚度方向、从该层的表面算起的l/4t深度处的Si的浓度[Si] 1/4t，相对于沿上述有机-无机杂化材料层的厚度方向、从该层的表面算起的.3/4t深度处的Si的浓度[Si] 3/4t具有以下的关系，[Si] 1/4t< [si]3/4t 且上述Si浓度的相对比、Rsi = [Si]3/4t- [Si]1/4t/ [Si]3/4t的值为0.02以上且0.23以下。2.根据权利要求1所述的绝缘膜被覆金属箔的制造方法，其特征在于，Al72t与Avitlt具有以下的关系，.1.0XAl72t < Al7l0t <2.0XAl72t 其中，所述A1/2t是沿上述有机-无机杂化材料层的厚度方向、从该层的表面算起的l/2t深度处的Si的浓度[Si]1/2t与包含Si以外的金属元素的金属氧烷的金属元素M的浓度[M] 1/2t 之比，即，A1/2t = [Μ] 1/2t/ [Si] 1/2t， 所述Avitlt是沿上述有机-无机杂化材料层的厚度方向、从该层的表面算起的l/10t深度处的Si的浓度[Si] 1/10t与金...
【专利技术属性】
技术研发人员：小仓丰史，山田纪子，久保祐治，伊藤左和子，
申请(专利权)人：新日铁住金高新材料株式会社，
类型：
国别省市：
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