【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】扩散剂组合物、杂质扩散层的形成方法及太阳能电池
[0001 ] 本专利技术涉及扩散剂组合物、杂质扩散层的形成方法及太阳能电池。
技术介绍
晶体管、二极管、IC等的制造中，使用具有硼扩散而成的P型区域的硅半导体器件。一直以来，作为向硅基板扩散硼的方法，主要使用热分解法、对置NB法、固体掺杂剂源法(dopant host method)、涂布法等。其中涂布法能够在不需要高价装置的情况下达到均匀扩散、且量产性优越，因此适宜采用。特别优选将含有硼的涂布液用旋涂机等进行涂布的方法。一直以来，提出了多种作为用于旋涂法等扩散剂涂布法中的含有硼的扩散剂组合物的聚硼薄膜(Polyboron film ；PBF)(参照专利文献I?6)。但是近年来，在半导体制造相关领域、特别是太阳能电池的制造领域谋求低成本化、高产量(through-put)化和环境负荷的降低。具体而言，谋求例如在制造娃系太阳能电池时进一步减少扩散用涂布液的使用量，还谋求以较少的工序数在同一硅基板内局部形成扩散载体、扩散浓度不同的区域，即局部扩散。这种情况下，若使用现有的旋涂法，则针对单位基板的涂布液的使用量大、成本高而且废液量也大。另外，在局部扩散时需要事先在硅基板上形成扩散保护膜等，因而工序数增多。在这样的背景下，近年来，正在开发采用喷墨印刷法、丝网印刷法等在硅基板上局部印刷涂布液进行局部扩散的方法。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开平9-181010号公报专利文献2:日本特开平4-53127号公报专利文献3:日本特开平9-181009号公报专利文献4:日本专利第3519847号公报专利文献5...
【技术保护点】
一种扩散剂组合物，其特征在于，是用于在半导体基板上形成杂质扩散剂层的扩散剂组合物，其含有：硼酸酯(A)、下述通式(1)所示的多元醇(B)和烷氧基硅烷化合物(C)，通式(1)中，k为0～3的整数；m为1以上的整数；R2及R3分别独立地为氢原子、羟基、碳数1～5的烷基、或碳数1～5的羟基烷基；存在多个R2及R3时，多个R2及R3可以分别相同或不同；k为2以上时，多个R2及R3必定含有一个以上的羟基或碳数1～5的羟基烷基；R4及R5分别独立地为氢原子或碳数1～3的烷基。FDA0000456077440000011.jpg
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.09.12 JP 2011-198734;2012.07.11 JP 2012-155801.一种扩散剂组合物，其特征在于，是用于在半导体基板上形成杂质扩散剂层的扩散剂组合物， 其含有: 硼酸酯㈧、 下述通式(I)所示的多元醇(B)和 烷氧基娃焼化合物(C)， 2.根据权利要求1所述的扩散剂组合物，其中， 所述硼酸酯(A)由下述通 式(2)表示， B(OR1)3O 通式(2)中，R1分别独立地为碳数I~10的烷基，或碳数6~10的芳基，三个R1可以相同或不同。3.根据权利要求1所述的扩散剂组合物，其中， 所述硼酸酯(A)的含量是所述多元醇(B)的含量的5倍摩尔以下。4.根据权利要求1所述的扩散剂组合物，其实质上不含水。5.根据权利要求1所述的扩散剂组合物，其中， 所述烷氧基...
【专利技术属性】
技术研发人员：神园乔，森田敏郎，
申请(专利权)人：东京应化工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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