片式层压电子元件、用于安装该元件的板及其封装单元制造技术

技术编号:9844292 阅读:105 留言:0更新日期:2014-04-02 14:41
一种片式层压电子元件,该片式层压电子元件包括:陶瓷本体,该陶瓷本体包括内电极和电介质层;外电极,该外电极形成为覆盖所述陶瓷本体的沿长度方向的两个端部;工作层,该工作层内相对布置有所述内电极且所述电介质层插入所述内电极之间,以形成电容;以及上覆盖层和下覆盖层,该上覆盖层和下覆盖层形成在所述工作层的沿厚度方向的上部和下部,所述下覆盖层的厚度大于所述上覆盖层的厚度。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种片式层压电子元件,该片式层压电子元件包括:陶瓷本体,该陶瓷本体包括内电极和电介质层;外电极,该外电极形成为覆盖所述陶瓷本体的沿长度方向的两个端部;工作层,该工作层内相对布置有所述内电极且所述电介质层插入所述内电极之间,以形成电容;以及上覆盖层和下覆盖层,该上覆盖层和下覆盖层形成在所述工作层的沿厚度方向的上部和下部,所述下覆盖层的厚度大于所述上覆盖层的厚度。【专利说明】片式层压电子元件、用于安装该元件的板及其封装单元相关申请的交叉引用本申请要求于2012年9月27日在韩国知识产权局申请的韩国专利申请N0.10-2012-0108328的优先权,在此通过引用将上述申请的全部内容并入本申请中。
本专利技术涉及一种用于降低由片式层压电子元件所产生的噪声的片式层压电子元件、用于安装该元件的板及其封装单元。
技术介绍
多层电容器是一种片式层压电子元件,其包括形成在多个电介质层之间的内电极。当直流和交流电压施加在具有内电极且所述内电极与介于所述内电极之间的电介质层重叠的多层电容器(该多层电容器),在内电极之间会产生压电效应,从而产生振动。随着电介质层的电容率升高以及基于相同电容的基片的尺寸增大,产生的振动变得更为强烈。产生的振动从多层电容器的外电极转移至安装该多层电容器的印刷电路板(PCB)上。这里,印刷电路板振动产生噪声。当由于印刷电路板的振动而产生的噪声包括在音频里时,相应的振动声音会使用户感到不适,该声音被称为噪声。为了降低噪声,本专利技术的【专利技术者】已经对多层电容器内的内电极的相对于印刷电路板的安装方向进行了研究。作为研究结果,已经认识到,与将多层电容器在印刷电路板上的方向安装为使得多层电容器的内电极与印刷电路板相垂直的情况相比,将多层电容器在印刷电路板上安装为具有使得多层电容器的内电极与印刷电路板水平的方向性可以降低噪声。然而,即使在多层电容器在印刷电路板上安装为使得多层电容器的内电极与印刷电路板水平的情况下,仍可以测量到噪声并确定为仍处于一定的噪声水平或更高的噪声水平,所以进一步降低噪声值得研究。另外,由于多层电容器的外部颜色为深棕色,难以区分多层电容器的上侧和下侧。因此,也需要研究将多层电容器在印刷电路板上安装为具有使得多层电容器的内电极与印刷电路板水平的方向性。下述专利文件I公开了内电极安装成相对于印刷电路板呈水平的方向,但是该内电极具有减小信号线之间的间距以降低高频噪声的技术特征。同时,专利文件2和专利文件3公开了多层电容器中的不同厚度的上覆盖层和下覆盖层。然而,这些文件没有提出任何增强或降低噪声的启示或解决方案。此外,这些文件完全没有公开或预示本专利技术的权利要求和实施方式中提出的用于降低噪声的工作层的中心部偏离片式层压电容器的中心部的程度、上覆盖层和下覆盖层之间的比值、下覆盖层与陶瓷本体的厚度之间的比值、以及下覆盖层与工作层的厚度之间的比值等。此外,专利文件4和专利文件5公开了在片式层压电容器的上表面上形成标记以区分(或辨别)片式层压电容器的上部和下部的技术,但是并未公开或暗示本专利技术的权利要求和实施方式中提出的在陶瓷本体内的覆盖层上形成半透明标识层。【现有技术文件】(专利文件1)日本专利公开N0.1994-268464(专利文件2)日本专利公开N0.1994-215978(专利文件3)日本专利公开N0.1996-130160(专利文件4)日本专利公开N0.2006-203165(专利文件5)日本专利公开N0.1996-330174
技术实现思路
本专利技术的一方面提供一种作为片式层压电容器的多层电容器,在该片式层压电容器中,下覆盖层比上覆盖层厚,工作层的中心部设置为处于偏离陶瓷本体的中心部的范围。本专利技术的另一方面提供一种多层电容器,在该多层电容器中,半透明的标识层形成在厚度比上覆盖层厚的下覆盖层上,以使得上覆盖层和下覆盖层彼此区分。本专利技术的另一方面提供一种用于安装片式层压电子元件的板,片式层压电子元件在所述板上安装为使得该片式层压元件的内电极相对于印刷电路板(PCB)水平,且下覆盖层邻近于所述印刷电路板,以此降低噪声。本专利技术的另一方面提供一种片式层压电子元件的封装单元,在该封装单元中,片式层压电子元件的内电极基于封装片的容纳部的下表面水平布置和定位。根据本专利技术的第一种实施方式,提供了一种片式层压电子元件,该片式层压电子元件包括陶瓷本体,该陶瓷本体包括内电极和电介质层;外电极,该外电极形成为覆盖所述陶瓷本体的沿长度方向的两个端部;工作层,该工作层内相对布置有所述内电极且所述电介质层插入所述内电极之间,以形成电容;以及上覆盖层和下覆盖层,该上覆盖层和下覆盖层形成在所述工作层的沿厚度方向的上部和下部,所述下覆盖层的厚度大于所述上覆盖层的厚度;其中当所述陶瓷本体的厚度的一半定义为A、所述下覆盖层的厚度定义为B、所述工作层的厚度的一半定义为C以及所述上覆盖层的厚度定义为D时,所述上覆盖层的厚度D满足D > 4μ m的范围,所述工作层的中心部偏离所述陶瓷本体的中心部的比值(B+C)/A满足1.063 ( (B+C)/A ( 1.745的范围,所述下覆盖层包括标识层,该标识层的颜色区别于所述上覆盖层的颜色,并且所述标识层的厚度在30 μ m至与所述下覆盖层的厚度相等的厚度的范围内。所述上覆盖层的厚度D与所述下覆盖层的厚度B的比值D/B可以满足0.021 ^ D/B ≤ 0.422。所述下覆盖层的厚度B与所述陶瓷本体的厚度的一半A的比值B/A可以满足0.329 ( B/A ( 1.522。所述工作层的厚度的一半C与所述下覆盖层的厚度B的比值C/B可以满足0.146 ( C/B ( 2.458。所述标识层可以为白色。所述标识层的颜色可以比所述上覆盖层的颜色明亮。所述标识层可以包括表示为ABO3的化合物作为主要成分,其中A包括钡或者包括钙、锆以及锶中的至少一者和钡,B包括钛或者包括锆以及铪中的至少一者和钛,并且相对于IOOmol的所述主要成分,所述标识层可以包括1.0mol至30mol的硅和铝作为辅助成分。相对于IOOmol的所述主要成分,所述标识层可以包括1.0mol至1.5mol的硅和0.2mol至0.8mol的招作为辅助成分。相对于IOOmol的所述主要成分,所述标识层可以包括Omol至2mol的镁和Omol至0.09mol的猛。相对于IOOmol的所述主要成分,镁的含量和锰的含量可以分别小于0.0Olmol0相对于IOOmol的所述主要成分,所述标识层可以包括Imol或更少的从钙和锆中选择的一种添加剂。根据本专利技术的另一方面,提供了一种用于安装片式层压电子元件的板,该板包括:根据第一种实施方式的片式层压电子元件;电极极板,该电极极板通过焊料与所述外电极连接;以及印刷电路板,该印刷电路板中形成有所述电极极板,且所述片式层压电子元件安装在所述电极极板上以使得所述内电极水平,所述下覆盖层布置为沿所述厚度方向低于所述上覆盖层。当施加电压时由于所述工作层的中心部所产生的应变与所述下覆盖层上所产生的应变的不同,所述陶瓷本体的沿所述长度方向的两个端部所形成的变形拐点可以形成在等于或者低于所述焊料的高度的位置。根据本专利技术的另一方面,提供了一种封装单元,该封装单元包括:根据第一种实施方式的片式层压本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种片式层压电子元件,该片式层压电子元件包括:陶瓷本体,该陶瓷本体包括内电极和电介质层;外电极,该外电极形成为覆盖所述陶瓷本体的沿长度方向的两个端部;工作层,该工作层内相对布置有所述内电极且所述电介质层插入所述内电极之间,以形成电容;以及上覆盖层和下覆盖层,该上覆盖层和下覆盖层形成在所述工作层的沿厚度方向的上部和下部,所述下覆盖层的厚度大于所述上覆盖层的厚度;其中当所述陶瓷本体的厚度的一半定义为A、所述下覆盖层的厚度定义为B、所述工作层的厚度的一半定义为C以及所述上覆盖层的厚度定义为D时,所述上覆盖层的厚度D满足D≥4μm的范围,所述工作层的中心部偏离所述陶瓷本体的中心部的比值(B+C)/A满足1.063≤(B+C)/A≤1.745的范围,所述下覆盖层包括标识层,该标识层的颜色区别于所述上覆盖层的颜色,并且所述标识层的厚度在30μm至与所述下覆盖层的厚度相等的厚度的范围内。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员:李淳哲金佑燮金东建金璟俊李圭镐
申请(专利权)人:三星电机株式会社
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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