半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：在基底上沿第一方向延伸的导电线和绝缘覆盖线的堆叠结构；多个接触塞，沿第一方向按行布置，并且具有面对导电线的侧壁表面，在侧壁表面和导电线之间具有空气空间；支撑件，设置在绝缘覆盖线和接触塞之间，以限制空气空间的高度。支撑件的宽度沿第一方向改变或者支撑件仅沿第一方向不连续地存在。在制造半导体装置的方法中，在堆叠结构的侧部上形成牺牲间隔件，使间隔件凹陷，在凹陷中形成支撑层，蚀刻支撑层以形成支撑件，然后去除间隔件的剩余部分以提供空气空间。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种。半导体装置包括：在基底上沿第一方向延伸的导电线和绝缘覆盖线的堆叠结构；多个接触塞，沿第一方向按行布置，并且具有面对导电线的侧壁表面，在侧壁表面和导电线之间具有空气空间；支撑件，设置在绝缘覆盖线和接触塞之间，以限制空气空间的高度。支撑件的宽度沿第一方向改变或者支撑件仅沿第一方向不连续地存在。在制造半导体装置的方法中，在堆叠结构的侧部上形成牺牲间隔件，使间隔件凹陷，在凹陷中形成支撑层，蚀刻支撑层以形成支撑件，然后去除间隔件的剩余部分以提供空气空间。【专利说明】本申请要求于2012年9月6日提交到韩国知识产权局的第10-2012-0098852号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
本专利技术构思涉及一种。更具体地说，本专利技术构思涉及一种包括多条彼此相邻地设置的导电线以及与导电线相邻的埋置接触件的。例如，本专利技术构思涉及一种包括多条位线以及与位线并置的接触塞的。
技术介绍
半导体装置的集成密度的增加已经引起半导体装置的元件的设计规则的缩小。在满足这些设计规则时，半导体装置的零件变得更小，并且互连线与设置在它们之间的接触塞之间的距离正在逐渐变得更短。结果，相邻的导电图案之间的负载电容日益增大。高的负载电容会不利地影响装置的操作速度或刷新特性。
技术实现思路
根据本专利技术构思的一方面，提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括:基底；线性堆叠结构，设置在基底上，在基底上沿第一方向纵向地延伸，并且包括导电线和设置在导电线上的绝缘覆盖线；多个接触塞，沿第一方向按行布置，并且分别具有面对导电线的侧壁表面，在侧壁表面和导电线之间分别具有空气空间；以及支撑件，设置在绝缘覆盖线和所述多个接触塞之间。支撑件设置在空气空间顶部上方并且可对空气空间的顶部定界。另夕卜，支撑件的在与第一方向垂直的第二方向上的宽度沿着第一方向变化，或者，支撑件沿第一方向是不连续的。根据本专利技术构思的另一方面，提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括:基底，具有多个有源区；线性堆叠结构，包括位线和设置在位线上的绝缘覆盖线，堆叠结构在基底上沿第一方向跨过多个有源区线性地延伸；接触塞，与有源区中的一个接触，并且具有分别面对位线的侧壁表面，在侧壁表面和位线之间具有空气空间；以及支撑件，具有被空气空间暴露的底表面以及分别面对绝缘覆盖线和接触塞的相对的侧壁表面。支撑件的在与第一方向垂直的第二方向上的宽度沿第一方向改变，或者，支撑件沿第一方向是不连续的。根据本专利技术构思的又一方面，提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括:基底，具有有源区；位线，设置在基底上，沿第一方向彼此平行地延伸，并且电连接到有源区；对应行的接触塞，设置在每对对应的位线的相邻的位线之间；电容器，设置在接触塞上并电连接到接触塞，从而接触塞将电容器电连接到基底的有源区；以及支撑件，支撑接触塞的上部。每个接触塞具有面对位线的相对的侧表面，所述接触塞设置在位线之间，在侧壁表面和位线之间分别具有空气空间。另外，每个接触塞电连接到基底的有源区之一。支撑件在空气空间的顶部，即，设置在空气空间上方或对空气空间的顶部定界。根据本专利技术构思的另一方面，提供了一种制造半导体装置的方法，其中，在基底上形成一对线性堆叠结构，每个堆叠结构沿第一方向纵向地延伸，并且包括导电线和设置在导电线上的绝缘覆盖线；在每个堆叠结构的相对侧上形成牺牲间隔件，使得在所述一对线性堆叠结构之间留有第一空间；在第一空间中形成第二导电线，使得第二导电线沿第一方向延伸；通过去除牺牲间隔件的一部分在堆叠结构和第二导电线之间形成凹陷；在凹陷中形成支撑层；通过将第二导电线图案化来形成沿第一方向按行布置的多个接触塞；通过去除支撑层的暴露部分来形成支撑件，使得每个支撑件的在与第一方向垂直的第二方向上的宽度沿第一方向改变，或者使得每个支撑件沿第一方向是不连续的；以及通过去除牺牲间隔件的剩余部分在导电线和接触塞之间形成空气空间。根据本专利技术构思的另一方面，提供了一种制造半导体装置的方法。该方法包括在基底上形成一对堆叠结构。每个堆叠结构包括导电线和沿第一方向延伸的绝缘覆盖线。在所述一对堆叠结构的每个堆叠结构的侧壁上形成牺牲间隔件，以在所述一对堆叠结构之间保留第一空间。在第一空间件中形成第二导电线。第二导电线沿第一方向延伸。去除牺牲间隔件的一部分，以在堆叠结构和第二导电线之间形成凹陷。在凹陷中形成支撑层。将第二导电线图案化以形成沿第一方向按行布置的多个接触塞。部分地去除支撑层的暴露的表面，以形成具有根据沿第一方向的位置而变化的宽度的支撑件。去除牺牲间隔件的剩余部分，以在第一导电线和多个接触塞之间形成空气空间。根据本专利技术构思的另一方面，提供了一种制造半导体装置的方法，其中，在具有多个有源区的基底上形成一对位线堆叠结构，每个位线堆叠结构包括位线和设置在位线上的绝缘覆盖线，每个位线堆叠结构跨过所述多个有源区延伸；在位线堆叠结构的顶表面和相对的侧壁表面上形成绝缘衬；在位线堆叠结构的相对的侧壁表面上形成覆盖绝缘衬的牺牲间隔件，同时在位线堆叠结构之间保留使多个有源区暴露的第一空间；在第一空间中形成导电(接触塞形成)线，使得导电线的相对的侧壁表面分别面对位线；去除牺牲间隔件的一部分，以在位线堆叠结构和导电线之间形成凹陷；在凹陷中形成支撑层；去除导电(接触塞形成)线的一部分，以形成与多个有源区接触的接触塞，从而暴露牺牲间隔件；去除支撑层的位于接触塞之间的部分，以形成支撑件，使得每个支撑件的在与第一方向垂直的第二方向上的宽度沿第一方向改变，或者使得每个支撑件在第一方向上是不连续的；去除牺牲层的剩余部分，以在位线堆叠结构和接触塞之间形成空气空间。【专利附图】【附图说明】通过下面结合附图对本专利技术构思的优选实施例的详细描述，本专利技术构思将被更清楚地理解,在附图中:图1是根据本专利技术构思的可以被半导体装置采用的导电结构的一种形式的透视图；图2是根据本专利技术构思的可以被半导体装置采用的导电结构的另一种形式的透视图；图3A是根据本专利技术构思的半导体装置的布局的图；图3B是沿图3A的线B-B’截取的剖视图；图3C是沿图3A的线C-C’截取的剖视图；图3D是图3A至图3C的半导体装置的导电结构的平面图；图4A和图4B均是根据本专利技术构思的半导体装置的导电结构的一部分的剖视图；图5A和图5B是根据本专利技术构思的半导体装置的另一示例的剖视图；图6A是根据本专利技术构思的半导体装置的另一示例的布局的图；图6B是沿图6A的线B-B’截取的剖视图；图6C是沿图6A的线C-C’截取的剖视图；图6D是图6A至图6C的半导体装置的导电结构的平面图；图7A是根据本专利技术构思的半导体装置的另一示例的布局的图；图7B是沿图7A的线B-B’截取的剖视图；图7C是沿图7A的线C-C’截取的剖视图；图7D是图7A至图7C的半导体装置的导电结构的平面图；图8是根据本专利技术构思的另一示例性实施例的半导体装置的剖视图；图9A是根据本专利技术构思的半导体装置的另一示例的示意性布局；图9B是沿图9A的线B_B’截取的剖视图；图9C是沿图9A的线C-C’截取的剖视图；图9D是图9A至图9C的半导体装置的导电结构的平面图；图1OA至图19B示出了根据本专利技术构思的半导体装置的制造方法，其中，图10A、图1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底；线性堆叠结构，设置在基底上，并且在基底上沿第一方向纵向地延伸，堆叠结构包括导电线和设置在导电线上的绝缘覆盖线；多个接触塞，沿第一方向按行布置，并且分别具有面对导电线的侧壁表面，在侧壁表面和导电线之间分别具有空气空间；以及支撑件，设置在绝缘覆盖线和所述多个接触塞之间并且在空气空间的顶部，支撑件的在与第一方向垂直的第二方向上的宽度沿着第一方向变化，或者支撑件在第一方向上是不连续的。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：黄有商，郑铉雨，金大益，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR