【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】稠合杂芳香族衍生物、有机电致发光元件用材料及使用其 的有机电致发光元件
本专利技术涉及一种稠合杂芳香族衍生物、有机电致发光元件用材料及使用该有机电致发光元件用材料的有机电致发光元件。
技术介绍
有机电致发光(EL)兀件包括突光型和磷光型,根据各自的发光机制对最佳的兀件设计进行了研究。对于磷光型的有机EL元件而言,已知由于其发光特性而无法通过荧光元件技术的简单转用来得到高性能的元件。其理由一般被认为如下所述。首先,磷光发光为利用了三线态激子的发光,因此用于发光层的化合物的能隙必须较大。其原因在于:某种化合物的能隙(以下,也称为单线态能量。)的值通常大于该化合物的三线态能量(在本专利技术中是指最低激发三线态与基态的能量差。)的值。因此,为了将磷光发光性掺杂材料的三线态能量有效地限制在发光层内,首先,必须在发光层中使用三线态能量比磷光发光性掺杂材料的三线态能量大的主体材料。进而,优选设置与发光层邻接的电子传输层及空穴传输层、且在电子传输层及空穴传输层中使用三线态能量比磷光发光性掺杂材料的三线态能量大的化合物。由此,在基于以往的有机EL元件的元件设计思想的情况下,由于在磷光型的有机EL元件中使用具有比用于荧光型的有机EL元件的化合物更大能隙的化合物,因而使有机EL元件整体的驱动电压上升。此外,对于荧光元件有用的耐氧化性或耐还原性高的烃系化合物而言,由于其π电子云的扩展度大,故能隙小。因此,对于磷光型的有机EL元件,难以选择此类烃系化合物而选择含有氧、氮等杂原子的有机化合物,其结果使磷光型的有机EL元件具有寿命比荧光型的有机EL元件短的间题。进而,磷光发 ...
【技术保护点】
一种下述式(1)所示的化合物,式(1)中,X1~X3分别独立地表示O或S,Y1~Y4及Y21~Y24分别独立地表示C(Ra1)或N,在Y5~Y12中,Y5~Y8中的一个和Y9~Y12中的一个表示相互键合的碳原子,除此以外的Y5~Y12分别独立地表示C(Ra1)或N,在Y13~Y16中,与A1键合的Y13~Y16表示碳原子,除此以外的Y13~Y16分别独立地表示C(Ra1)或N,在Y17~Y20中,与A1键合的Y17~Y20表示碳原子,除此以外的Y17~Y20分别独立地表示C(Ra1)或N,A1表示O、S、Si(Ar1)(Ar2)、P(=O)(Ar3)(Ar4)、取代或未取代的成环碳原子数6~30的亚芳基、或者取代或未取代的成环原子数5~30的亚杂芳基,n表示1~4的整数,Ar1~Ar4分别独立地表示取代或未取代的成环碳原子数6~30的芳基、或者取代或未取代的成环原子数5~30的杂芳基,Ra1表示氢原子、取代或未取代的成环碳原子数6~30的芳基、取代或未取代的成环原子数5~30的杂芳基、取代或未取代的碳原子数1~30的烷基、取代或未取代的碳原子数1~30的氟代烷基、取代或未取代的碳原子数 ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.09.13 JP 2011-1997351.一种下述式(I)所示的化合物, 2.根据权利要求1所述的化合物,其以下述式⑵表示, 3.根据权利要求2所述的化合物,其以下述式(3)表示, 4.根据权利要求3所述的化合物,其以下述式(4)表示, 5.根据权利要求1~4中任一项所述的化合物,其中,所述A1或A2为取代或未取代的成环碳原子数6~30的亚芳基。6.根据权利要求1~4中任一项所述的化合物,其中,所述A1或A2为取代或未取代的成环原子数5~20的除亚咔唑基外的亚杂芳基。7.根据权利要求4所述的化合物,其以下述式(5)表示, 8.一种有机电致发光元件用材料,其包含权利要求1~7中任一项所述的化合物。9.一种有机电致发光兀件,其在阴极和阳极之间具有包含发光层在内的一层以上的有机薄膜层,所述有机薄膜层中的至少一层含有权利要求8所述的有机电致发...
【专利技术属性】
技术研发人员:中野裕基,吉田圭,长岛英明,桥本亮平,
申请(专利权)人:出光兴产株式会社,
类型:
国别省市:
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