一种有机发光元件(10)，具有：在基板(11)上形成的阳极层(12)；在阳极层(12)上形成的第1电介质层(13)；在第1电介质层(13)上形成的阴极层(14)；至少贯通阳极层(12)和第1电介质层(13)的多个贯通部(16)；与贯通部(16)内的基板(11)的上表面和阳极层(12)的侧面相接触地形成的第2电介质层(19)；和，与贯通部(16)内的阳极层12的侧面、第2电介质层(19)的上表面和阴极层(14)接触而形成的发光部(17)。由此，提供一种光的取出效率高、发光效率高的有机发光元件等。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
[0001 ] 本专利技术涉及例如用于显示装置、照明装置的有机发光元件等。
技术介绍
近年来，期待应用于显示装置、照明装置等的有机发光元件发光原理如下:通过对由发光材料呈层状形成的发光层设置由阳极和阴极构成的一对电极，并施加电压，从阳极和阴极分别注入空穴和电子，注入来的电子和空穴在发光层进行再结合，利用由此产生的能量进行发光。作为有机发光元件的一例，例如，在专利文献I中提出了如下空洞发光元件:具备被插在空穴注入电极层和电子注入电极层之间的电介质层，在至少穿过电介质层和电极层之一而延伸的、具备空穴注入电极区域、电子注入电极区域和电介质区域的空洞的内表面涂敷发光涂敷材料。另外在专利文献2中公开了在发光区域内设有由折射率比基板的折射率低的物质构成的低折射率区域的有机发光元件。进而在专利文献3中公开了一种电致发光器件，其具备:空穴注入电极层、电子注入电极层和被插在空穴注入电极层和电子注入电极层之间的电介质层、以及至少穿过电介质层和电极层之一而延伸的具有内部空洞表面的空洞，所述内部空洞表面具有空穴注入电极区域、电子注入电 极区域和电介质区域，电致发光涂敷材料与内部空洞表面的空穴注入电极区域和电子注入电极区域电接触。进而在专利文献4中公开了一种有机LED元件，其在形成有电介质膜的透明基板的上方依次层叠有透明电极的阳极、有机层、和阴极，电介质层的膜厚为0.5pm以上，在450nm~650nm的波长域中，有机层的折射率Ii1、阳极的折射率n2和电介质膜的折射率n3之间满足 |n3-n2| ^ 0.25 以及 In1-1i2I ^ 0.20 的关系。进而在专利文献5中公开了一种有机电致发光元件，其在基板的表层具有衍射光栅，在该衍射光栅上介由中间层而设有在阳极和阴极之间包含发光层的有机EL层。进而在专利文献6中公开了一种光学用部件，由微透镜阵列、基材、结构层、平坦化层、第一气体阻绝层依次层叠而成，第一气体阻绝层为具有低于50dyn/cm(JIS K6768)的湿润指数的透明无机氧化物层。进而在专利文献7中公开了一种有源矩阵型显示装置，其具有基板和在该基板上形成的电路部，在该电路部上与各驱动用TFT对应地形成像素区域，在各像素区域内分别设有有机EL元件，该有机EL元件具有的阳极缓冲层，是通过向将前体(单体)进行等离子聚合得到的聚硅氧烷衍生物的被膜照射紫外线，使聚硅氧烷衍生物变为SiO2而形成的。现有技术文献专利文献1:日本特表2010-509729号公报专利文献2:美国专利申请公开第2008/0238310号说明书专利文献3:日本特表2003-522371号公报专利文献4:日本特开2006-338954号公报专利文献5:日本特开2004-349111号公报专利文献6:日本特开2008-117735号公报专利文献7:日本特开2007-123052号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题在此，通常在空洞发光元件中，由于能够将从发光涂敷材料发出来的光通过空洞直接取出，所以容易提高光的利用效率。但是，根据到达光的取出面的光的角度的不同，有时容易发生反射，因此有时光的利用效率降低。进而作为形成空洞构造的手段，有时为使基板侧电极和电介质层图案化而进行蚀亥IJ。此时由于电介质层与电极的蚀刻条件通常不同，所以工序容易繁杂。另外由于通常与电介质层相比，电极层的蚀刻的蚀刻条件更加严酷，所以需要加厚作为掩膜使用的抗蚀剂。因此，存在抗蚀剂层的形成和蚀刻总共所需的时间容易变长这一缺点。另外，其结果，难以稳定制作期待的形状。进而存在只能使用可蚀刻的材料作为电介质层这一材料选择中的限制。另外、在发光区域内设置低折射率区域的有机发光元件，由氧化铟锡(以下，也记为“IT0”。)构成的电极层位于低折射率区域的下部。由于ITO的光的透过率比低折射率区域的光的透过率小，所以从低折射率区域射进电极层中的光的强度大大衰减。进而，由于ITO具有高折射率，所以射进电极层中的光容易通过全反射而被封闭在电极层内部。因此，光的取出效率下降。本专利技术的目的在于,提供一种能够抑制发光部发射出的光被封闭在发光兀件内部、具有高发光效率的有机发光元件等。用于解决问题的手段为了解决上述的问题，本专利技术的【专利技术者】们发现:在一对电极间夹着电介质层、在贯通电极和电介质层而形成的贯通部内具有发光部的有机发光元件中，通过在贯通部内还形成电介质层，能够从发光层内部、电极层内部取出更多的光，从而完成了本专利技术。即，本专利技术可以归纳如下。本专利技术的有机发光元件特征在于，具有:在基板上形成的第I电极层；在第I电极层上形成的第I电介质层；在第I电介质层上形成的第2电极层；至少贯通第I电极层和第I电介质层的多个贯通部；与贯通部内的基板的上表面和第I电极层的侧面相接触地形成的第2电介质层；和与贯通部内的第I电极层的侧面、第2电介质层的上表面以及第2电极层接触而形成的发光部。在此，优选以基板上表面为基准的第2电介质层的厚度比第I电极层的厚度小。优选贯通部在第I电介质层上表面具有最大宽度为IOym以下的圆形形状或多边形形状，或者形成为宽度为10 Pm以下的彼此平行的多条带状。另外在贯通部为圆形形状或多边形形状时，优选在所述第I电介质层上的任意的Imm见方的面内形成IO3?IO8个。在贯通部为带状时，优选贯通部的间隔为IOiim以下。并且第2电介质层优选由对400nm?750nm的可见光透明的材料形成。进而优选第I电介质层和第2电介质层的折射率都比第I电极层的折射率小，第I电介质层的折射率比发光部的折射率小。并且优选第I电介质层的厚度比第2电介质层的厚度小。另外贯通部也能够由至少贯通第I电极层和第I电介质层而形成的贯通上部、和在基板上形成的穿孔部构成。另外本专利技术的有机发光元件的制造方法的特征在于，包含:第I工序，在基板上形成第I电极层;第2工序，形成贯通第I电极层的多个贯通孔；第3工序，在第I电极层上形成第I电介质层，并且、与在贯通孔内露出来的基板的上表面和该第I电极层的侧面相接触地形成第2电介质层，由此，形成包含该贯通孔的、贯通该第I电极层和该第I电介质层的多个贯通部；第4工序，与在贯通部内露出来的第I电极层的侧面和第2电介质层的上表面相接触地形成发光部；和第5工序，覆盖在第I电介质层上和发光部上、并与该发光部相接触地形成第2电极层。在此，优选在第3工序和第4工序之间还包含使第I电介质层的厚度减小的薄膜化工序，优选在第3工序和第4工序之间还包含使被第I电介质层和/或第2电介质层覆盖的第I电极层的一部分露出来的工序。并且在第2工序中，还能够在贯通孔的底部的基板形成穿孔部。进而本专利技术的有机发光元件的制造方法的特征在于，包含:第I工序，在基板上形成第I电极层；第2工序，在第I电极层上形成第I电介质层；第3工序，形成至少贯通第I电极层和第I电介质层的多个贯通部；第4工序，在贯通部内，与在该贯通部内露出来的基板的上表面和第I电极层的侧面相接触地形成第2电介质层；第5工序，与在贯通部内露出来的第I电极层的侧面和第2电介质层的上表面相接触地形成发光部；和第6工序，覆盖在第I电介质层上和发光部上、并与该发光部相接触地形成第2电极层。在此，优选在第4工序和第5工序之间还包含使被第I电介质层和/或第2电介质层覆盖的第I电极层本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种有机发光元件，具有：在基板上形成的第1电极层；在所述第1电极层上形成的第1电介质层；在所述第1电介质层上形成的第2电极层；至少贯通所述第1电极层和所述第1电介质层的多个贯通部；与所述贯通部内的所述基板的上表面和所述第1电极层的侧面相接触地形成的第2电介质层；和与所述贯通部内的所述第1电极层的侧面、所述第2电介质层的上表面以及所述第2电极层接触而形成的发光部。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种有机发光兀件,具有: 在基板上形成的第I电极层； 在所述第I电极层上形成的第I电介质层； 在所述第I电介质层上形成的第2电极层； 至少贯通所述第I电极层和所述第I电介质层的多个贯通部； 与所述贯通部内的所述基板的上表面和所述第I电极层的侧面相接触地形成的第2电介质层；和 与所述贯通部内的所述第I电极层的侧面、所述第2电介质层的上表面以及所述第2电极层接触而形成的发光部。2.根据权利要求1所述的有机发光元件，其中， 以所述基板上表面为基准的所述第2电介质层的厚度比所述第I电极层的厚度小。3.根据权利要求1或2所述的有机发光元件，其中， 所述贯通部，在所述第I电介质层上表面具有最大宽度为IOum以下的圆形形状或多边形形状、或者形成宽度为IOum以下的彼此平行的多条带状。4.根据权利要求3所述的有机发光元件，其中， 在所述第I电介质层上的任意的Imm见方的面内形成有IO3~IO8个圆形形状或多边形形状的所述贯通部。5.根据权利要求3所述的有机发光元件，其中， 带状的所述贯通部的间隔为IOym以下。6.根据权利要求1~5中任一项所述的有机发光兀件,其中， 所述第2电介质层由相对于400nm~750nm的可见光透明的材料形成。7.根据权利要求1~6中任一项所述的有机发光兀件,其中， 所述第I电介质层和所述第2电介质层的折射率都比所述第I电极层的折射率小。8.根据权利要求1~7中任一项所述的有机发光兀件,其中， 所述第I电介质层的折射率比所述发光部的折射率小。9.根据权利要求1~8中任一项所述的有机发光兀件,其中， 所述第I电介质层的厚度比所述第2电介质层的厚度小。10.根据权利要求1~9中任一项所述的有机发光兀件,其中， 所述贯通部由至少贯通所述第I电极层和所述第I电介质层而形成的贯通上部、和形成于所述基板的穿孔部构成。11.一种有机发光元件的制造方法，包含以下工序: 第1工序，在基板上形成第I电极层； 第2工序，形成贯通所述第I电极层的多个...
【专利技术属性】
技术研发人员：近藤邦夫，迫勘治朗，田岛胜，广濑克昌，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：
国别省市：
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