半导体芯片分离方法技术

本发明专利技术涉及半导体芯片分离方法。在一个实施方案中，半导体芯片通过下列步骤从具有背金属层的半导体晶圆分离：将半导体晶圆放置于载带上，使背金属层与载带相邻；形成穿过半导体晶圆的分离线以在分离线内暴露背金属层；以及流体加工半导体晶圆以从分离线移除背金属层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术大体上涉及电子，并且更具体地来讲，涉及形成半导体的方法。
技术介绍
过去，半导体行业使用了各种方法和设备以从半导体晶圆分离单独的半导体芯片，该芯片在该半导体晶圆上制造。通常，使用称为划片或切割的技术以利用钻石刀盘沿着在晶圆上单独芯片之间形成的划片网格或分离线来部分或全部切穿晶圆。为了允许进行校准并且考虑到切割轮的宽度，每个划片网格通常具有较大宽度，一般大约一百五十(150)微米，这消耗了半导体晶圆的一大部分。另外，在半导体晶圆上划每个分离线所需的时间可能超过一小时或更长时间。这个时间降低了生产设施的产量和制造能力。已探索其他方法作为划片的替代方法，这些方法已包括热激光切割(TLS)、隐形切害I](从晶圆的背面进行激光切割)和等离子切割。相比于划片和其他替代工艺，等离子切割是一种具有前景的工艺，因为它支持较窄的划片线，增加了产量，并可以以各种和灵活的图案分离芯片。然而，等离子切割已具有制造实施方面的难题。这种难题已包括与晶圆背面层(如背金属层)的不相符，因为蚀刻工艺还不能有效地从分离线移除背面层。从划片线移除背面层对于促进后续工艺(如贴装和组装工艺)是必要的。因此，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种从半导体晶圆分离半导体芯片的方法，其包括：提供半导体晶圆，所述半导体晶圆具有形成在所述半导体晶圆上并且彼此间隔开间距的多个半导体芯片，其中半导体层具有第一和第二相对的主表面，并且其中材料层沿着所述第二主表面形成；将所述半导体晶圆放置于第一承载基底上，其中所述材料层与所述第一承载基底相邻；通过所述间距分离所述半导体晶圆以形成分离线，其中分离包括在接近于所述材料层处停止；以及使用加压流体从所述分离线移除所述材料层的部分。

【技术特征摘要】
2012.08.20 US 13/589,9851.一种从半导体晶圆分离半导体芯片的方法，其包括: 提供半导体晶圆，所述半导体晶圆具有形成在所述半导体晶圆上并且彼此间隔开间距的多个半导体芯片，其中半导体层具有第一和第二相对的主表面，并且其中材料层沿着所述第二主表面形成； 将所述半导体晶圆放置于第一承载基底上，其中所述材料层与所述第一承载基底相邻; 通过所述间距分离所述半导体晶圆以形成分离线，其中分离包括在接近于所述材料层处停止；以及 使用加压流体从所述分离线移除所述材料层的部分。2.如权利要求1所述的方法，其中移除所述材料层的部分包括: 在所述材料层附着到所述第一承载基底期间，使用第一加压流体移除所述材料层的第一部分； 将第二承载基底附着到所述半导体晶圆的所述第一主表面； 移除所述第一承载基底；以及 使用第二加压流体移除所述材料层的第二部分。3.如权利要求1所述的方法，其中移除所述材料层的部分包括下列步骤: 将第二承载基底附着到 所述半导体晶圆的所述第一主表面； 移除所述第一承载基底；以及 使用所述加压流体从所述分离线移除所述材料层的所述部分。4.如权利要求1所述的方法，其中分离所述半导体晶圆包括等离子蚀刻所述半导体晶圆。5.—种分离基底的方法,其包括: 提供基底，所述基底具有形成在所述基底上并且彼此间隔开间距的多个芯片，其中所述基底具有第一和第二相对的主表面，并且其中材料层形成在所述第二主表面上面； 将第一载带放置于所述材料层上； 通过所述间距等离子蚀刻所述基底以形成分离线，其中所述分离线在接近于所述材料层处终止；以及 使用加压流体从所述分离线移除所...

【专利技术属性】
技术研发人员：W·F·博格奥特，D·L·柯奈尔，M·J·塞登，J·A·尤德，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：