The invention provides a wafer laser processing method, which comprises the following steps: providing a wafer; the back side of the wafer and the wafer is placed in a film film machine; in the film on the periphery of the wafer machine cover ring element, inner ring outer covering element wafer, ring the bottom surface of the film element; will film wafers and annular element located in the laser cutting machines, laser exposed along the wafer to the ring road cutting element of laser cutting; removing the annular member; the back film removal of the wafer; metal plating on the back of the the wafer. Wafer laser processing method of the invention, the ring member the outer edge of the wafer covered without being cut, the wafer after cutting to ensure the strength of the edge in the subsequent processing, on the whole, to ensure the integrity of the wafer operational intensity, also it is not easy to break, greatly increased the yield of processing, reducing fragmentation rate.
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
随着市场需求的不断增加,LED制造业对产能、成品率和发光亮度的要求越来越高。激光加工技术已经成为LED制造业首要的工具,成为高亮度LED晶圆加工的行业标准。激光划片使得晶圆微裂纹以及微裂纹扩张大大减少,LED单体之间的距离大大减小,这样不但提高产能,而且增加了生产效率。这里所说的激光划片指的是激光切割晶圆片。目前,晶圆片的生产工艺开始转向在晶圆片上背镀金属,以达到提高辉度的目的。然而在背镀金属之后,再进行划片工艺,就无法在晶圆片上形成划痕,所以目前的生产工艺改为背镀金属之前进行划片,然而,在划片时,激光由所述晶圆片的边缘沿切割道切割所述晶圆片。在后续去除所述晶圆片背面的贴膜的工序中,所述晶圆片边缘极易因撕膜力的作用而破裂,影响后续加工,无法满足生产的要求。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的在于提供一种,旨在解决传统的晶圆片加工工艺中划片后晶圆片边缘因撕膜力作用而破裂的问题。本专利技术实施例是这样实现的,一种,其包括如下步骤:提供一晶圆片,所述晶圆片具有正面及带有电极的背面,所述晶圆片的背面设置有切割道;将所述晶圆片置于 ...
【技术保护点】
一种晶圆片激光加工方法,其包括如下步骤:提供一晶圆片,所述晶圆片具有正面及带有电极的背面,所述晶圆片的背面设置有切割道;将所述晶圆片置于一贴膜机上进行晶圆片背面贴膜;在贴膜机上于所述晶圆片的外围罩设一环状元件,所述环状元件的内缘覆盖所述晶圆片的外缘,所述环状元件的底面贴膜;将贴膜的晶圆片及环状元件定位于一激光切割设备中,所述激光切割设备发出的激光沿所述晶圆片的外露于所述环状元件外的切割道进行激光切割;拆卸所述环状元件;去除所述晶圆片的背面贴膜;在所述晶圆片的正面镀金属。
【技术特征摘要】
1.一种晶圆片激光加工方法,其包括如下步骤: 提供一晶圆片,所述晶圆片具有正面及带有电极的背面,所述晶圆片的背面设置有切割道; 将所述晶圆片置于一贴膜机上进行晶圆片背面贴膜; 在贴膜机上于所述晶圆片的外围罩设一环状元件,所述环状元件的内缘覆盖所述晶圆片的外缘,所述环状元件的底面贴膜; 将贴膜的晶圆片及环状元件定位于一激光切割设备中,所述激光切割设备发出的激光沿所述晶圆片的外露于所述环状元件外的切割道进行激光切割; 拆卸所述环状元件; 去除所述晶圆片的背面贴膜; 在所述晶圆片的正面镀金属。2.如权利要求1所述的晶圆片激光加工方法,其特征在于:在晶圆片的正面镀金属...
【专利技术属性】
技术研发人员:高昆,叶树铃,庄昌辉,邴虹,李瑜,马国东,刘立文,杨振华,高云峰,
申请(专利权)人:深圳市大族激光科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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