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本发明涉及半导体芯片分离方法。在一个实施方案中，半导体芯片通过下列步骤从具有背金属层的半导体晶圆分离：将半导体晶圆放置于载带上，使背金属层与载带相邻；形成穿过半导体晶圆的分离线以在分离线内暴露背金属层；以及流体加工半导体晶圆以从分离线移除背...
该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。

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