位查找电路、旁路转换缓冲器、存储器及微处理器制造技术

本实用新型专利技术提供一种位查找电路、旁路转换缓冲器、存储器及微处理器，其中位查找电路包括位存储单元和至少两个位查找单元，所述位存储单元的输出端分别与所述至少两个位查找单元的控制端相连，以将所述位存储单元中的存储数据传送给所述至少两个位查找单元用于比较。旁路转换缓冲器包括可寻址存储器阵列、静态存储阵列及写信号生成电路，所述可寻址存储器阵列包括多个位查找电路。本实用新型专利技术提供的位查找电路及旁路转换缓冲器及存储器能够提高微处理器进行数据查找的速度。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
位查找电路、旁路转换缓冲器、存储器及微处理器
本技术涉及电路技术，尤其涉及一种位查找电路、旁路转换缓冲器、存储器及微处理器。
技术介绍
自1971年研发出第一块微处理器至今，微处理器技术得到了迅猛发展，在工业生产、航天航空及电子产品等领域有着广泛的应用。微处理器通常包括控制器、运算器和存储器，其中控制器用于控制微处理器中各器件的工作，起协调的作用，运算器用于进行各种逻辑运算。微处理器在运行过程中的程序、原始数据、临时数据及运行结果都写入存储器中用于存储，且控制器会频繁地从存储器中读取程序用于执行，或读取数据以控制运算器进行运算，然后将更新的数据再写入存储器。微处理器访问存储器的速度很大程度上影响了微处理器的运行速度。存储器中的旁路转换缓冲器(Translation lookaside buffer, TLB)是存储器的主要组成部分，用于存储虚拟地址到物理地址的转换表，实现快速寻址。可寻址存储器(Content Addressable Memory, CAM)作为TLB中关键器件,用于实现数据查找功能。CAM通常包括多组位查找电路，每组位查找电路包括一个位存储单元和一个位查找单本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种位查找电路，其特征在于，包括位存储单元和至少两个位查找单元，所述位存储单元的输出端分别与所述至少两个位查找单元的控制端相连，以将所述位存储单元中的存储数据传送给所述至少两个位查找单元用于比较。

【技术特征摘要】
2013.06.26 CN 201320372287.11.一种位查找电路，其特征在于，包括位存储单元和至少两个位查找单元，所述位存储单元的输出端分别与所述至少两个位查找单元的控制端相连，以将所述位存储单元中的存储数据传送给所述至少两个位查找单元用于比较。2.根据权利要求1所述的位查找电路，其特征在于，所述位存储单元包括第一场效应管、第二场效应管和具有存储二进制数功能的交叉耦合反相器； 所述第一场效应管和第二场效应管为第一类型场效应管； 所述第一场效应管的控制端连接至写字线，所述第一场效应管的第一数据端用于接收待存储二进制数，所述第一场效应管的第二数据端连接至所述交叉耦合反相器的正相输入端; 所述第二场效应管的控制端连接至所述写字线，所述第二场效应管的第一数据端用于接收反相待存储二进制数，所述第二场效应管的第二数据端连接至所述交叉耦合反相器的反相输入端。3.根据权利要求2所述的位查找电路，其特征在于，所述第一类型场效应管为n沟道场效应管。4.根据权利要求2所述的位查找电路，其特征在于，所述交叉耦合反相器包括第三场效应管、第四场效应管、第五场效应管和第六场效应管； 所述第三场效应管和第四场效应管为第一类型场效应管，所述第五场效应管和第六场效应管为第二类型场效应管； 所述第三场效应管、第四场效应管、第六场效应管和第五场效应管的各数据端顺次连接成环形； 所述第四场效应管的控制端和第六场效应管的控制端连接，且与所述第三场效应管中与第五场效应管连接的数据端连接，并作为所述交叉耦合反相器的正相输入端与所述第一场效应管的第二数据端连接，还作为所述位存储单元的第一输出端与所述位查找单元对应的一控制端连接； 所述第三场效应管的控制端和第五场效应管的控制端连接，并且与第四场效应管中...

【专利技术属性】
技术研发人员：王丽娜，
申请(专利权)人：龙芯中科技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：