具有内嵌半导体以及内建定位件的连线基板及其制造方法技术

本发明专利技术是有关于一种具有内嵌半导体、内建定位件、以及双重增层电路的连线基板，及其制造方法。根据本发明专利技术的一优选实施方面，该方法包括：形成一定位件于一介电层上；使用该定位件作为一半导体元件的一配置导件，以设置该半导体元件于该介电层上；将一加强层贴附于该介电层上；形成一第一增层电路以及一第二增层电路于两侧覆盖该半导体元件、该定位件、以及该加强层；提供一被覆穿孔，该被覆穿孔提供该第一增层电路以及该第二增层电路之间的电性连接。据此，该定位件可准确地限制该半导体元件的设置位置，且避免该半导体以及该增层电路之间电性连接失败。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种用于半导体组件的连线基板，以及其制造方法，尤指一种具有内嵌半导体以及内建定位件的连线基板，以及其制造方法。
技术介绍
电子装置的市场趋势要求更薄、更智能、且更便宜的可携式电子设备，该些电子设备中所使用的半导体元件需更进一步的缩小其规模，并以较低的成本改善其电子性能。各种尝试的方法中，以印刷电路板中嵌埋或内建半导体芯片以形成的模块被认为是最有效率的方法，其可大幅地降低整体的重量、厚度，以及经由内部连接距离的缩短而使能改善电子性能。然而，试图在电路板中嵌埋芯片会遭遇许多的问题，举例来说，被嵌埋的芯片会在附着时以及封装/层压的程序时，因塑料材料的热性质而导致芯片水平及垂直的位移。在各个热处理阶段的金属、介电质、以及硅之间的热膨胀系数(CTE)不匹配将导致设置于其上的内建连接结构的错位。Tanaka等人的美国专利案号7935893 ；Aral的美国专利案号7944039 ;以及Chang的美国专利案号7405103揭露了各种为了解决生产合格率的对准方式，然而其所提出的都无法提供一个适当或有效的方法以控制芯片的位移，其由于芯片下的黏着剂在固化时回流而因此使原本贴附的芯片在预定的设置位置错位，甚至在使用高度清准的对位标记以及设备时也会产生相同问题。Chino的美国专利申请号2010/0184256揭示了树脂密封方法以将半导体元件固定至形成于支撑体上的黏着层，此方法可有效的在密封程序时控制芯片免于进一步位移，然而此方法并无提供任何芯片的贴附程序的控制或调整，且用于贴附芯片的黏着剂的回流所造成芯片的错位是无法避免的。
技术实现思路
本专利技术是有鉴于以上的情形而发展，其目的在于提供一种具有双重增层电路的连线基板，其中半导体元件可经由定位件而被准确的固定于一预定的位置上；可避免半导体元件的变形以及弯曲的现象；且通过导电盲孔，可稳固地维持半导体元件以及增层电路之间的电性连接。在一优选实施例中，本专利技术提供了一种连线基板的制造方法，该连线基板包括一半导体元件、一定位件、一加强层、以及双重增层电路。该连线基板的制造方法可包括:形成一定位件于一介电层上；使用该定位件作为一半导体元件的一配置导件，以设置该半导体元件于该介电层上，该半导体元件包括具有一接触垫于其上的一主动面，以及一非主动面，其中该主动面面朝一第一垂直方向，该非主动面面朝与该第一垂直方向相反的一第二垂直方向，且该定位件靠近该半导体元件的外围边缘，且于垂直该第一垂直方向以及该第二垂直方向的侧面方向上侧向对准该半导体元件的外围边缘，并于该半导体元件的外围边缘外侧向延伸；将一加强层贴附于该介电层上，包括对准该半导体元件以及该定位件于该加强层的一通孔内；形成一第一增层电路，该增层电路于该第一垂直方向覆盖该定位件、该半导体兀件、以及该加强层，且该第一增层电路包括一第一导电盲孔，该第一导电盲孔直接接触该半导体元件的该接触垫，以提供该半导体元件以及该第一增层电路之间的电性连接；形成一第二增层电路，该第二增层电路于该第二垂直方向覆盖该定位件、该半导体元件、以及该加强层；以及提供一被覆穿孔，该被覆穿孔于该第一垂直方向以及该第二垂直方向延伸穿过该加强层，并提供该第一增层电路以及该第二增层电路之间的电性连接。形成该定位件于该介电层上的步骤可包括:提供一层压基板，该层压基板包括一金属层以及该介电层；然后，移除该金属层的一选定部分以形成该定位件。或者，形成该定位件于该介电层上的步骤可包括:提供一层压基板，该层压基板包括一金属层以及该介电层；然后，移除该金属层的一选定部分以形成一凹陷部分；然后，沉积一塑料材料于该凹陷部分；然后，移除该金属层的一剩余部分。据此，该定位件可由金属、光敏性塑料材料、或非光敏性材料制备而成。举例来说，该定位件基本上可由铜、铝、镍、铁、锡、或其合金所制备，该定位件也可由环氧树脂或聚酰亚胺所制备。根据本专利技术的连线基板的制造方法，可更进一步包括:形成一配置导件于该介电层上。据此，将该加强层贴附于该介电层上的步骤可包括:使用该配置导件将该半导体元件以及该定位件对准于该加强层的通孔，该配置导件于侧面方向靠近该加强层的外围边缘，并侧向对准于该加强层的外围边缘，且于侧面方向延伸超过该加强层的外围边缘。于该介电层上形成定位件以及该配置导件的步骤包括:提供一层压基板，该层压基板包括一金属层以及该介电层；然后，移除该金属层的一选定部分以形成该定位件以及该配置导件。或者，形成该定位件以及该配置导件于该介电层上的步骤可包括:提供一层压基板，该层压基板包括一金属层以及该介电层；然后，移除该金属层的一选定部分以形成一凹陷部分；然后，沉积一塑料材料于该凹陷部分以作为该定位件以及该配置导件；然后，移除该金属层的一剩余部分。据此，如同该定位件，该加强层的配置导件可由金属、光敏性塑料材料、或非光敏性材料制备而成，如铜、铝、镍、铁、锡、其合金、环氧树脂、或聚酰亚胺所制备。层压基板可选择性地还包括一支撑板，且该介电层可介于该金属层以及该支撑板之间。且选择性地，根据本专利技术的连线基板的制造方法可更进一步包括:在设置该半导体元件以及贴附该加强层后，移除该支撑板或薄化该支撑板。可使用一黏着剂将该半导体元件贴附于该介电层上，该黏着剂接触该半导体元件以及该介电层，且介于该半导体元件以及该介电层之间。同样地，可使用一黏着剂将该加强层贴附于该介电层上，该黏着剂接触该加强层以及该介电层，且介于该加强层以及该介电层之间。此外，该半导体元件设置于该介电层上，其中，可以该半导体元件的该主动面或该非主动面面朝该介电层。当该半导体元件的该主动面面朝该介电层时，该定位件以及该配置导件自该介电层朝该第二垂直方向延伸，该黏着剂可接触该定位件以及该配置导件，且可于该第一垂直方向与该定位件以及该配置导件共平面，并于该第二垂直方向低于该定位件以及该配置导件。据此，该半导体元件以及该加强层可被固定于第一该增层电路上，位于该定位件以及该配置导件所定义的预定位置上，并机械性的连接于该第一增层电路，该定位件以及该配置导件于该第二垂直方向自该第一增层电路的该第一绝缘层延伸，且分别于该第二垂直方向上延伸超过该半导体元件的该主动面以及该加强层的黏着表面。当该黏着剂于该第二垂直方向低于该定位件以及该配置导件时，该定位件以及该配置导件可于固化该黏着剂时，防止该半导体元件以及该加强层不必要的位移，该黏着剂接触该半导体元件的主动面及该第一增层电路，且介于该半导体元件的主动面与该第一增层电路之间，以及介于该加强层以及该第一增层电路之间。同样地，当该半导体元件的非主动面面朝该介电层时，该定位件以及该配置导件自该介电层朝该第一垂直方向延伸，该黏着剂可接触该定位件以及该配置导件，且于该第二垂直方向与该定位件以及该配置导件共平面，并于该第一垂直方向低于该定位件以及该配置导件。据此，该半导体元件以及该加强层可被固定于该第二增层电路上，位于该定位件以及该配置导件所定义的预定位置上，并机械性的连接于该第二增层电路，该定位件以及该配置导件自该第二增层电路的该第二绝缘层朝该第一垂直方向延伸，且分别于该第一垂直方向延伸超过该半导体元件的该非主动面以及该加强层的贴附表面。该第一增层电路可包括一第一绝缘层以及一个或多个第一导线，同时该第二增层电路可包括一第二绝本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有内嵌元件以及内建定位件的连线基板的制备方法，其特征在于，包括：形成一定位件于一介电层上；使用该定位件作为一半导体元件的一配置导件，以设置该半导体元件于该介电层上，该半导体元件包括具有一接触垫于其上的一主动面，以及一非主动面，其中该主动面面朝一第一垂直方向，该非主动面面朝与该第一垂直方向相反的一第二垂直方向，且该定位件靠近该半导体元件的外围边缘，且于垂直该第一垂直方向以及该第二垂直方向的侧面方向上侧向对准该半导体元件的外围边缘，并于该半导体元件的外围边缘外侧向延伸；将一加强层贴附于该介电层上，包括对准该半导体元件以及该定位件于该加强层的一通孔内；形成一第一增层电路，该增层电路于该第一垂直方向覆盖该定位件、该半导体元件、以及该加强层，且该第一增层电路包括一第一导电盲孔，该第一导电盲孔直接接触该半导体元件的该接触垫，以提供该半导体元件以及该第一增层电路之间的电性连接；形成一第二增层电路，该第二增层电路于该第二垂直方向覆盖该定位件、该半导体元件、以及该加强层；以及提供一被覆穿孔，该被覆穿孔于该第一垂直方向以及该第二垂直方向延伸穿过该加强层，并提供该第一增层电路以及该第二增层电路之间的电性连接。...

【技术特征摘要】
2012.08.14 US 61/682,801;2013.01.10 US 13/738,3141.一种具有内嵌元件以及内建定位件的连线基板的制备方法，其特征在于，包括: 形成一定位件于一介电层上； 使用该定位件作为一半导体元件的一配置导件，以设置该半导体元件于该介电层上，该半导体元件包括具有一接触垫于其上的一主动面，以及一非主动面，其中该主动面面朝一第一垂直方向，该非主动面面朝与该第一垂直方向相反的一第二垂直方向，且该定位件靠近该半导体兀件的外围边缘，且于垂直该第一垂直方向以及该第二垂直方向的侧面方向上侧向对准该半导体元件的外围边缘，并于该半导体元件的外围边缘外侧向延伸； 将一加强层贴附于该介电层上，包括对准该半导体元件以及该定位件于该加强层的一通孔内； 形成一第一增层电路，该增层电路于该第一垂直方向覆盖该定位件、该半导体元件、以及该加强层，且该第一增层电路包括一第一导电盲孔，该第一导电盲孔直接接触该半导体元件的该接触垫，以提供该半导体元件以及该第一增层电路之间的电性连接； 形成一第二增层电路，该第二增层电路于该第二垂直方向覆盖该定位件、该半导体元件、以及该加强层；以及 提供一被覆穿孔，该被覆穿孔于该第一垂直方向以及该第二垂直方向延伸穿过该加强层，并提供该第一增层电路以及该第二增层电路之间的电性连接。2.根据权利要求1所述的方法，其中，该半导体元件以及该第一增层电路之间的电性连接不含焊料。3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成该定位件于该介电层上的步骤包括: 提供一层压基板，该层压基板包括一金属层以及该介电层；然后 移除该金属层的一选定部分以形成该定位件。4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成该定位件于该介电层上的步骤包括: 提供一层压基板，该层压基板包括一金属层以及该介电层；然后 移除该金属层的一选定部分以形成一凹陷部分；然后 沉积一塑料材料于该凹陷部分；然后 移除该金属层的一剩余部分。5.根据权利要求1所述的方法，其中，该半导体元件设置于该介电层上，其该主动面面朝该介电层，且该定位件自该介电层朝该第二垂直方向延伸。6.根据权利要求5所述的方法，其中，使用一黏着剂将该半导体元件贴附于该介电层上，该黏着剂接触该半导体元件以及该介电层，且介于该半导体元件以及该介电层之间。7.根据权利要求6所述的方法,其中，该黏着剂接触该定位件,并于该第一垂直方向与该定位件共平面，且于该第二垂直方向低于该定位件。8.根据权利要求6所述的方法，其中，形成该第一增层电路以及该第二增层电路的步骤包括: 提供一第一绝缘层，该第一绝缘层包括该介电层，且于该第一垂直方向覆盖该定位件、该半导体元件、以及该加强层； 提供一第二绝缘层，该第二绝缘层于该第二垂直方向覆盖该定位件、该半导体元件、以及该加强层； 形成一第一盲孔，该第一盲孔延伸穿过该第一绝缘层以及该黏着剂，且对准该半导体元件的该接触垫； 形成一第一导线，该第一导线自该第一绝缘层朝该第一垂直方向延伸，且于该第一绝缘层上侧向延伸，并于该第二垂直方向延伸穿过该第一盲孔以形成与该半导体元件的该接触垫直接接触的该第一导电盲孔；以及 形成一第二导线，该第二导线自该第二绝缘层朝该第二垂直方向延伸，且于该第二绝缘层上侧向延伸。9.根据权利要求8所述的方法，其中，形成该第一增层电路的步骤包括: 形成一额外第一盲孔，该额外第一盲孔延伸穿过该第一绝缘层，且对准该加强层；然后 形成该第一导线，该第一导线于该第二垂直方向延伸穿过该额外第一盲孔，以形成与该加强层直接接触的一额外第一导电盲孔。10.根据权利要求8所述的方法，其中，形成该第二增层电路的步骤包括: 形成第二盲孔，该些第二盲孔延伸穿过该第二绝缘层，且对准于该半导体元件的该非主动面以及该加强层；然后 形成该些第二导线，该第二导线于该第一垂直方向延伸穿过该第二盲孔，以形成与该半导体元件的该非主动面以及...

【专利技术属性】
技术研发人员：林文强，王家忠，
申请(专利权)人：钰桥半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：