用于LED模块的基板及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种用于LED模块的基板以及制造该基板的方法，所述基板包括：基部基板；绝缘层，形成在基部基板中的除了芯片安装区域A之外的其余区域上；电极层，形成在绝缘层上；氧化物层，形成在基部基板的芯片安装区域A上；以及高反射性层，形成在氧化物层的顶表面上。

【技术实现步骤摘要】
用于LED模块的基板及其制造方法相关申请的交叉引用本申请要求于2012年7月19日提交给韩国知识产权局的韩国专利申请N0.10-2012-0078806的权益，通过引用将其公开内容结合于本文中。
本专利技术涉及一种用于LED模块的基板和制造该基板的方法；并且更具体地涉及一种用于设置有高反射性层的LED模块的基板和制造该基板的方法。
技术介绍
近来，发光二极管(下文中称为LED)已作为能够实现减重、纤薄和节能的照明装置或光发射装置而成为关注焦点。LED装置是在正向电压(forward)中对半导体的PN结施加电流的同时发射光的光装置，并且通过使用II1- V族半导体晶体来制造。由于外延生长技术和半导体的发光装置工艺技术的发展，已开发出具有优良转换效率的LED并且已将其广泛地用于各个领域。这样的LED模块被制造成一本体中的模块，并且通常的情况是，通过利用表面安装技术(SMT)将LED封装安装在用于传统LED模块的印制电路板(PCB)上来制造所述LED模块。对于将用于LED模块的PCB用在LED模块中的情况，由于其形状或者材料必须制造成满足LED装置的形状和材料特性，因而使用具有极高本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于LED模块的基板，所述基板包括：基部基板；绝缘层，形成在所述基部基板中的除了芯片安装区域A之外的其余区域上；电极层，形成在所述绝缘层上；氧化物层，形成在所述基部基板的所述芯片安装区域A上；以及高反射性层，形成在所述氧化物层的顶表面上。

【技术特征摘要】
2012.07.19 KR 10-2012-00788061.一种用于LED模块的基板,所述基板包括: 基部基板； 绝缘层，形成在所述基部基板中的除了芯片安装区域A之外的其余区域上； 电极层，形成在所述绝缘层上； 氧化物层，形成在所述基部基板的所述芯片安装区域A上；以及高反射性层，形成在所述氧化物层的顶表面上。2.根据权利要求1所述的用于LED模块的基板，其中，每个所述氧化物层均由通过将所述基部基板氧化而形成的氧化物制成。3.根据权利要求2所述的用于LED模块的基板，其中，所述氧化物层包括铝的氧化物A1203、镁的氧化物MgO、锰的氧化物MnO、锌的氧化物ZnO^jc TiO2、铪的氧化物HfO2、钽的氧化物Ta2O5以及铌Nb2O3之中的任何一种或者两种。4.根据权利要求1所述的用于LED模块的基板，其中，所述基部基板的所述芯片安装区域A为圆形的形状或者矩形的形状。5.根据权利要求1所述的用于LED模块的基板，其中，所述高反射性层为通过沉积工艺形成的金属薄膜。6.根据权利要求5所述的用于LED模块的基板，其中，所述高反射性层包括铝Al、钛T1、银Ag、镍Ni和铬Cr或者其合金之中的任何一种。7.根据权利要求1所述的用于LED模块的基板，其中，所述基部基板由铝Al、镁Mg、锰Mn、锌Zn、铪Hf、钽Ta和铌Nb或者其合金之中的任何一种制成。8.根据权利要求1所述的用于LED模块的基板，进一步包括: LED芯片，安装在所述反射性层的顶表面上并且通过引线接合连接至所述电极层。9.根据权利要求1所述的用于LED模块的基板，进一步包括: 镀覆层，形成在所述电极层的表面上以便引线接合至所述LED芯片。10.一种用于LED模块的基板,包括: 基部基板； 氧化物层，位于所述基部基板中的一芯片安装区域A和一区域B上，所述区域B从所述芯片安装区域A连接； 高反射性层，形成在所述氧化物层上 绝缘层，形成在所述基部基板中的除了所述芯片安装区域A之外的其余区域上，其中，所述绝缘层覆盖从所述芯片安装区域A延伸的所述区域B中的所述氧化物层和所述高反射性层；以及电极层，形成在所述绝缘层上。11.根据权利要求10所述的用于LED模块的基板，其中，从所述芯片安装区域A延伸的所述区域B的宽度与所述芯片安装区域A的宽度的比在0.01到0....

【专利技术属性】
技术研发人员：许哲豪，
申请(专利权)人：三星电机株式会社，
类型：发明
国别省市：