基于通孔技术的倒装发光二极管芯片封装方法技术
【技术实现步骤摘要】
基于通孔技术的倒装发光二极管芯片封装方法
本专利技术涉及一种基于通孔技术的倒装发光二极管芯片封装方法，属于芯片封装
技术介绍
LED作为新一代照明光源，具有发光效率高、寿命长、绿色环保三大优势，伴随着外延、封装技术的不断提高，已经逐步应用于普通照明领域。目前大部分的LED失效并不是LED芯片本身失效，而是封装的金丝焊点接触不良、脱落、冷热膨胀断裂等原因造成的。伴随着高集成封装趋势的发展，对可靠性的要求也越来越高，因此如何提高LED封装器件的可靠性，是一个非常困难但是又必须去解决的瓶颈。
技术实现思路
本专利技术的目的在于针对已有技术存在的缺陷，提供一种基于通孔技术的倒装发光二极管芯片封装方法。倒装发光二极管芯片通过通孔技术实现正负电极共面，然后与带有阻焊层的通孔基板实现自对位金属互连，无需金丝键合，结构紧凑，工艺简单，有利于在大规模晶片级封装的开展。本专利技术不仅通过通孔提高了散热性能，而且克服了金丝低可靠性的缺陷。为达到上述目的，本专利技术的构思是：针对当前大功率LED对金丝的过度依赖，但是金丝的缺陷又是LED可靠性的主要失效方式之一，通过通孔技术，将n型...
【技术保护点】
一种基于通孔技术的倒装发光二极管芯片封装方法，其特征在于，其工艺步骤如下：1）在蓝宝石衬底（7）上依次生长n型GaN（6）、发光层（5）、p型GaN（4）、ITO电流扩展层（3）、反光层（2），完成发光二极管芯片制作；2）通过刻蚀技术或者激光技术分别在发光二极管芯片上制作盲孔，在硅基板（18）上制作通孔；然后通过物理化学气相沉淀法分别在芯片的盲孔周壁上制作芯片绝缘层（1），在硅基板（18）的通孔周壁上制作基板绝缘层（15），将芯片盲孔底面的芯片绝缘层（1）通过等离子刻蚀法刻蚀掉，露出n型GaN（6）；再通过蒸镀法分别在芯片的盲孔的芯片绝缘层（1）内制作n电极金属导柱（10）...
【技术特征摘要】
1.一种基于通孔技术的倒装发光二极管芯片封装方法，其特征在于，其工艺步骤如下：1）在蓝宝石衬底（7）上依次生长n型GaN（6）、发光层（5）、p型GaN（4）、ITO电流扩展层（3）、反光层（2），完成发光二极管芯片制作，ITO电流扩展层（3）下面有一层金属反光层（2），该反光层（2）是金属银或铝，反光层（2）下面有一层芯片绝缘层（1），该绝缘层是SiO2，在该芯片绝缘层（1）上通过蒸镀技术制作n电极焊盘（8）、p电极焊盘（9），p电极焊盘（9）与n电极焊盘（8）之间有20~150μm的分离槽，该n电极焊盘（8）、p电极焊盘（9）的金属是Au或Ag或Sn或Au80Sn20，厚度为0.5μm~4μm，在蒸镀该金属前先蒸镀一层镍；2）通过刻蚀技术或者激光技术分别在发光二极管芯片上制作盲孔，在硅基板（18）上制作通孔；然后通过物理化学气相沉淀法分别在芯片的盲孔周壁上制作芯片绝缘层（1），在硅基板（18）的通孔周壁上制作基板绝缘层（15），将芯片盲孔底面的芯片绝缘层（1）通过等离子刻蚀法刻蚀掉，露出n型GaN（6），再通过蒸镀法分别在芯片的盲孔的芯片绝缘层（1）内制作n电极金属导柱（10）、p电极金属导柱（11），在硅基板（18）的通孔的基板绝缘层（15）内制作基板电极金属导柱（16）；3）在硅基板（18）表面制作基板上表面金属线路层（14）、背面正电极焊盘（17）、散热焊盘（19）、背面负电极焊盘（20），其中金属线路层（14）是金属锡或Au镀层或Ag镀层，在该镀层的底部是一层金属阻挡层镍/铜，其中金属阻挡层的厚度为35μm~100μm之间；4）通过丝网印刷技术在基板上表面金属线路层（14）上除需要与倒装发光二极管芯片互连的位置外的地方进行阻焊层（13）的制作，该阻焊层（13）是具有高反光率的线路板用白色油墨，或进行一层金属Al的蒸镀作为阻焊...
【专利技术属性】
技术研发人员：殷录桥，张建华，宋鹏，张金龙，翁菲，
申请(专利权)人：上海大学，
类型：发明
国别省市：
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