【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种物理气相沉积装置，包括一反应腔室，所述反应腔室包括：位于所述反应腔室内以将所述反应腔室隔离成上部腔室和下部腔室的介质窗，所述介质窗具有透光性且密封所述下部腔室；位于所述下部腔室内的基片支撑部件；设在所述上部腔室的顶壁、用于加热所述待加工基片的加热部件；基片传输口，所述基片传输口位于所述下部腔室的侧壁上，用于将加工完的基片从所述下部腔室传出或将待加工的基片传入所述下部腔室；和加热约束桶，所述加热约束桶位于所述下部腔室内且能够通过升降机构在所述下部腔室内升降。本专利技术提供的物理气相沉积设备，可大大提高基片加热时的均匀性，提高基片的去气效果。本专利技术还公开了一种物理气相沉积工艺。【专利说明】物理气相沉积设备及物理气相沉积工艺
本专利技术涉及半导体加工领域，特别涉及一种物理气相沉积装置及利用该装置的物理气相沉积工艺。
技术介绍
铜互连物理气相沉积工艺主要包括四个工艺过程:1)去气；2)预清洗；3)Ta(N)沉积；4)Cu沉积。对于去气工艺过程，主要是在去气腔内将基片加热至一定温度，以去除基片上吸附的水蒸气以及其它易挥发杂质，实...
【技术保护点】
一种物理气相沉积装置，包括一反应腔室，其特征在于，所述反应腔室包括：介质窗，所述介质窗位于所述反应腔室内，将所述反应腔室隔离成上部腔室和下部腔室，所述介质窗具有透光性且密封所述下部腔室；基片支撑部件，所述基片支撑部件位于所述下部腔室内；加热部件，所述加热部件设在所述上部腔室的顶壁，用于加热所述待加工基片；基片传输口，所述基片传输口位于所述下部腔室的侧壁上，用于将加工完的基片从所述下部腔室传出或将待加工的基片传入所述下部腔室；和加热约束桶，所述加热约束桶位于所述下部腔室内且能够通过升降机构在所述下部腔室内升降。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：边国栋，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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