【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供了一种，包括如下步骤：提供一第一衬底及第二衬底；在第一衬底和/或第二衬底的表面形成绝缘层；以绝缘层为中间层，将第一衬底与第二衬底键合在一起；对键合后的第一衬底及绝缘层实施倒角处理；对倒角处理后的第一衬底及绝缘层实施边缘抛光。本专利技术的优点在于，对实施倒角步骤后的第一衬底及绝缘层进行边缘抛光处理，显著降低倒角步骤带来的绝缘层材料碎屑在边缘区域的残留，提高产品良率。【专利说明】
本专利技术涉及绝缘体上硅衬底的制备方法，尤其涉及一种。
技术介绍
现有的键合SOI晶片的做法是:将两片氧化后的硅片分别作为支撑衬底和器件衬底键合在一起，随后在高于1000°c的温度下加固2小时以上，然后对键合后的衬底采用研磨等方式制造倒角，最后采用研磨、抛光等方式将器件衬底减薄到SOI器件所需要的厚度，即得到最终的键合SOI晶片。在制造倒角时，所述氧化层，例如，二氧化硅层，也被研磨制造出倒角，则研磨时产生的氧化层材料碎屑容易残留在衬底边缘，残留的氧化层材料碎屑无法通过正常清洗工艺去除。附图1所示是现有技术中键合SOI晶片的透射电镜图，氧化层材料为二氧化硅，从...
【技术保护点】
一种边缘光滑的半导体衬底的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：?提供一第一衬底及第二衬底；??在第一衬底和/或第二衬底的表面形成绝缘层；?以绝缘层为中间层，将第一衬底与第二衬底键合在一起；?对键合后的第一衬底及绝缘层实施倒角处理；?对倒角处理后的第一衬底及绝缘层实施边缘抛光。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：叶斐，陈国兴，陈猛，
申请(专利权)人：上海新傲科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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