密封的浅沟槽隔离区域及其形成方法技术
Sealed shallow trench isolation region and method of forming the same
A semiconductor device for forming a shallow trench isolation seal (STI) including the area of the STI region: formed in the substrate, including the STI STI area filling; form a seal in the STI region of STI sag and STI filling; filling in on the seal in forming sealing layer.
【技术实现步骤摘要】
密封的浅沟槽隔离区域及其形成方法
本公开内容主要地涉及半导体器件制作领域，并且更具体地涉及一种用于半导体器件的密封的浅沟槽隔离(STI)区域。
技术介绍
集成电路(IC)可以包括形成于芯片上的大量器件，诸如互补金属氧化物半导体(CMOS)场效应晶态管(FET)。产生更小、更高性能的器件对于增强IC的性能和提高IC的可靠性是重要的。随着按比例缩减器件，为了生产这样的器件而需要的技术变得更复杂。可以通过外延沉积来形成FET中的各种区域(诸如源极/漏极区域)以提供相对高性能的器件。外延是指在晶态衬底上沉积晶态覆盖层，其中覆盖层与衬底配准。覆盖层称为外延膜或者外延层。希望沉积的材料形成相对于衬底晶体结构具有一个定义好的定向的晶态覆盖层。可以从气态或者液体前体生长外延膜，并且外延膜可以包括材料，诸如嵌入的锗化硅(eSiGe)。外延沉积可能需要在衬底中形成其中随后沉积材料的凹陷。可以通过电抗离子蚀刻(RIE)形成凹陷。此外，可以存在在沉积之前的预清理步骤。预清理步骤可以包括使用氢氟(HF)酸。凹陷的形成和预清理步骤可能引起所不希望的从器件的材料去除并且可能在后续半导体处理步骤...
【技术保护点】
一种用于为半导体器件形成密封的浅沟槽隔离(STI)区域的方法，所述方法包括：在衬底中形成STI区域，所述STI区域包括STI填充；在所述STI区域的所述STI填充中形成密封凹陷；并且在所述STI填充之上的所述密封凹陷中形成密封层。
【技术特征摘要】
2012.07.13 US 13/548,2371.一种用于为半导体器件形成密封的浅沟槽隔离STI区域的方法，所述方法包括：在衬底中形成STI区域，所述STI区域包括STI填充；在所述STI区域的所述STI填充中形成密封凹陷；并且在所述STI填充之上的所述密封凹陷中形成密封层，其中所述密封层包括高k材料；在所述密封层之上形成氧化物填充；平坦化所述氧化物的顶表面，使得所述氧化物填充的所述顶表面与焊盘氮化物层的顶表面齐平，其中所述焊盘氮化物层位于焊盘氧化物层上面，所述焊盘氧化物层位于所述衬底的顶表面上；在平坦化所述氧化物填充的所述顶表面之后，去除所述密封层的翼部，所述密封层的所述翼部位于所述氧化物填充与所述焊盘氮化物层之间；在去除所述密封层的所述翼部之后去除所述焊盘氮化物层；并且在去除所述焊盘氮化物层之后去除所述焊盘氧化物层和所述氧化物填充。2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述密封凹陷中形成所述密封层包括在所述密封凹陷中沉积所述密封层的材料，使得所述密封层的厚度等于所述STI填充中的所述密封凹陷相对于所述衬底的顶表面的深度。3.根据权利要求1所述的方法，其中在所述衬底中形成所述STI区域包括：在所述衬底中形成STI凹陷；在所述STI凹陷中形成密封衬垫，所述密封衬垫包括与所述密封层相同的材料；并且在所述密封衬垫之上形成所述STI填充。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述密封层的一部分形成于所述焊盘氮化物层上面，并且其中平坦化所述氧化物填充的所述顶表面去除所述密封层的位于所述焊盘氮化物层上面的所述部分。5.根据权利要求1所述的方法，还包括在去除所述密封层的所述翼部之前执行对所述密封层的所述翼部的非结晶注入，所述非结晶注入具有与所述衬底的顶表面的水平面相等的非结晶深度。6.根据权利要求5所述的方法，还包括退火所述密封层，使得在去除所述焊盘氧化物层和所述氧化物填充之前由所述退火结晶所述密封层。7.一种用于为半导体器件形成密封的浅沟槽隔离STI区域的方法，所述方法包括...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·V·阿奎利纳，胡项，D·J·耶格，金烈，Y·M·李，李瑛，R·A·维加，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，环球铸造新加坡私人有限公司，
类型：发明
国别省市：
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