一种降低静态随机存储器制备工艺中阴影效应的方法技术

一种降低静态随机存储器制备工艺中阴影效应的方法，包括：步骤S1：提供硅基衬底，并形成浅沟槽隔离；步骤S2：在硅基衬底上设置栅氧化层和多晶硅栅，并在栅氧化层两侧设置源极区和漏极区；步骤S3：在硅基衬底表面设置光阻层，且光阻层之侧壁与硅基衬底之上表面具有倾角α，0＜α＜90°；步骤S4：通过环状注入工艺，对目标区域进行离子注入。本发明专利技术通过在所述硅基衬底之异于所述栅氧化层的表面设置光阻层，且光阻层之侧壁与硅基衬底之上表面具有倾角α，0＜α＜90°，使得所述环状注入之注入方向在所述硅基衬底上的投影面积减小，故在进行所述环状注入工艺时，所述环状注入离子便可注入到目标区域，以降低静态随机存储器制备工艺中的阴影效应。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】，包括：步骤S1：提供硅基衬底，并形成浅沟槽隔离；步骤S2：在硅基衬底上设置栅氧化层和多晶硅栅，并在栅氧化层两侧设置源极区和漏极区；步骤S3：在硅基衬底表面设置光阻层，且光阻层之侧壁与硅基衬底之上表面具有倾角α，0＜α＜90°；步骤S4：通过环状注入工艺，对目标区域进行离子注入。本专利技术通过在所述硅基衬底之异于所述栅氧化层的表面设置光阻层，且光阻层之侧壁与硅基衬底之上表面具有倾角α，0＜α＜90°，使得所述环状注入之注入方向在所述硅基衬底上的投影面积减小，故在进行所述环状注入工艺时，所述环状注入离子便可注入到目标区域，以降低静态随机存储器制备工艺中的阴影效应。【专利说明】
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及。
技术介绍
静态随机存储器(Static Random Access Memory, SRAM)作为半导体存储器中的一类重要产品，在计算机、通信、多媒体等高速数据交换系统中得到了广泛的应用。面积是所述静态随机存储器的一个重要衡量指标。为了节约面积，通常地，所述90nm以下的静态随机存储器之版图包括有源区、多晶硅栅，以及接触孔三个层次。随着工艺技术的不断进步，所述静态随机存储器的调节也越来越复杂，必要时需要专门对所述控制晶体管(Pass Gate)进行阈值(Vt)调节。即，通过对所述静态随机存储器进行环状注入(Hole Implantation),从而达到调节控制管阈值电压的目的。但是，作为本领域技术人员，容易理解地，在所述静态随机存储器进行环状注入工艺时，由于光阻层之侧壁垂直于所述衬底，则离子注入方向在所述衬底上的投影面积较大，在所述投影区域内，环状注入离子无法注入到衬底。更严重地，随着静态随机存储器之尺寸不断缩小，所述光阻层与多晶硅栅、栅氧化层之间的距离越来越小，当所述注入方向在所述衬底上的投影延伸至所述栅氧化层下方时，则所述环状注入离子无法注入到衬底之目标区域，进而产生阴影效应，使得所述控制晶体管无法通过环状注入进行阈值电压调节。故针对现有技术存在的问题，本案设计人凭借从事此行业多年的经验，积极研究改良，于是有了本专利技术。
技术实现思路
本专利技术是针对现有技术中，所述传统的静态随机存储器之尺寸不断缩小，所述光阻层与多晶硅栅、栅氧化层之间的距离越来越小，当所述注入方向在所述衬底上的投影延伸至所述栅氧化层下方时，则所述环状注入离子无法注入到衬底之目标区域，进而产生阴影效应，使得所述控制晶体管无法通过环状注入进行阈值电压调节等缺陷提供。为实现本专利技术之目的，本专利技术提供，所述方法包括:执行步骤S1:提供硅基衬底，并在所述硅基衬底内形成间隔设置的所述浅沟槽隔离；执行步骤S2:在所述硅基衬底上依次设置栅氧化层和多晶硅栅，并在所述栅氧化层两侧设置轻掺杂源极区和轻掺杂漏极区，以形成所述控制晶体管；执行步骤S3:在所述硅基衬底之异于所述栅氧化层的表面设置光阻层，且所述光阻层之临近所述栅氧化层一侧的侧壁与所述硅基衬底之上表面具有倾角α，0< α< 90° ;执行步骤S4:通过所述环状注入工艺，对所述目标区域进行离子注入。可选地，所述光阻层之临近所述栅氧化层一侧的侧壁与所述硅基衬底之上表面具有的倾角α根据所述环状注入之目标区域的位置进行设置。可选地，所述倾角α的设置进一步包括减小所述倾角α，使得所述光阻层之临近所述栅氧化层一侧的侧壁与所述环状注入之注入方向之间的夹角β变小，进而使得所述环状注入之注入方向在所述硅基衬底上的投影面积减小。可选地，所述环状注入工艺对所述目标区域进行离子注入，进行所述静态随机存储器之控制晶体管的阈值电压调节。综上所述，本专利技术通过在所述硅基衬底之异于所述栅氧化层的表面设置光阻层，且所述光阻层之临近所述栅氧化层一侧的侧壁与所述硅基衬底之上表面具有倾角α，0<α <90°，当减小所述倾角α，使得所述光阻层之临近所述栅氧化层一侧的侧壁与所述环状注入之注入方向之间的夹角β变小，进而使得所述环状注入之注入方向在所述硅基衬底上的投影面积减小，故在进行所述环状注入工艺时，所述环状注入离子便可注入到目标区域，以降低静态随机存储器制备工艺中的阴影效应。【专利附图】【附图说明】图1所示为本专利技术降低静态随机存储器制备工艺中阴影效应的方法之流程图；图2所示为本专利技术降低静态随机存储器制备工艺中阴影效应的方法之阶段性结构示意图。【具体实施方式】为详细说明本专利技术创造的
技术实现思路
、构造特征、所达成目的及功效，下面将结合实施例并配合附图予以详细说明。请参阅图1，图1所示为本专利技术降低静态随机存储器制备工艺中阴影效应的方法之流程图。所述降低静态随机存储器制备工艺中阴影效应的方法，包括:执行步骤S1:提供硅基衬底，并在所述硅基衬底内形成间隔设置的所述浅沟槽隔离；执行步骤S2:在所述硅基衬底上依次设置栅氧化层和多晶硅栅，并在所述栅氧化层两侧设置轻掺杂源极区和轻掺杂漏极区，以形成所述控制晶体管；执行步骤S3:在所述硅基衬底之异于所述栅氧化层的表面设置光阻层，且所述光阻层之临近所述栅氧化层一侧的侧壁与所述硅基衬底之上表面具有倾角α，0< α<90° ;执行步骤S4:通过所述环状注入工艺，对所述目标区域进行离子注入。请参阅图2，并结合参阅图1，图2所示为本专利技术降低静态随机存储器制备工艺中阴影效应的方法之阶段性结构示意图。所述降低静态随机存储器制备工艺中阴影效应的方法，包括:执行步骤S1:提供硅基衬底11，并在所述硅基衬底11内形成间隔设置的所述浅沟槽隔离12 ；执行步骤S2:在所述硅基衬底11上依次设置栅氧化层13和多晶硅栅14，并在所述栅氧化层13之两侧设置轻掺杂源极区15和轻掺杂漏极区16，以形成所述控制晶体管10 ；执行步骤S3:在所述硅基衬底11之异于所述栅氧化层13的表面设置光阻层17，且所述光阻层17之临近所述栅氧化层13 —侧的侧壁171与所述硅基衬底11之上表面111具有倾角α，0 < α < 90° ;作为本领域技术人员，容易理解地，所述光阻层17之临近所述栅氧化层13—侧的侧壁171与所述硅基衬底11之上表面111具有的倾角α可根据所述环状注入之目标区域18的位置进行设置。具体地，减小所述倾角α，使得所述光阻层17之临近所述栅氧化层13一侧的侧壁171与所述环状注入之注入方向19之间的夹角β变小，进而使得所述环状注入之注入方向19在所述硅基衬底11上的投影面积减小，以降低静态随机存储器制备工艺中的阴影效应。执行步骤S4:通过所述环状注入工艺，对所述硅基衬底11之目标区域18进行离子注入。在所述步骤S4中，所述光阻层17之临近所述栅氧化层13 —侧的侧壁171与所述硅基衬底11之上表面111具有倾角α，0 < α < 90°，当减小所述倾角α，使得所述光阻层17之临近所述栅氧化层13 —侧的侧壁171与所述环状注入之注入方向19之间的夹角β变小，进而使得所述环状注入之注入方向19在所述硅基衬底11上的投影面积减小，故在进行所述环状注入工艺时，所述环状注入离子便可注入到目标区域18，以降低静态随机存储器制备工艺中的阴影效应。显然地，当所述注入离子注入到所述目标区域18后，所述静态随机存储器之控制晶体管10的阈值电压便可通过所述环状注入工本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种降低静态随机存储器制备工艺中阴影效应的方法，其特征在于，所述方法包括：执行步骤S1：提供硅基衬底，并在所述硅基衬底内形成间隔设置的所述浅沟槽隔离；执行步骤S2：在所述硅基衬底上依次设置栅氧化层和多晶硅栅，并在所述栅氧化层两侧设置轻掺杂源极区和轻掺杂漏极区，以形成所述控制晶体管；执行步骤S3：在所述硅基衬底之异于所述栅氧化层的表面设置光阻层，且所述光阻层之临近所述栅氧化层一侧的侧壁与所述硅基衬底之上表面具有倾角α，0＜α＜90°；执行步骤S4：通过所述环状注入工艺，对所述目标区域进行离子注入。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：俞柳江，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：