半导体装置用胶粘剂组合物、半导体装置用胶粘薄膜、带有切割薄膜的胶粘薄膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体装置用胶粘剂组合物、半导体装置用胶粘薄膜、带有切割薄膜的胶粘薄膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置。本发明专利技术提供能够制造空隙少、可靠性高的半导体装置的半导体装置用胶粘剂组合物、半导体装置用胶粘薄膜以及带有切割薄膜的胶粘薄膜。本发明专利技术涉及一种半导体装置用胶粘剂组合物，该半导体装置用胶粘剂组合物在175℃加热1小时后的动态粘弹性测定中的175℃的损耗角正切值(tanδ)为0.2～0.6。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及半导体装置用胶粘剂组合物、半导体装置用胶粘薄膜、带有切割薄膜的胶粘薄膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置。本专利技术提供能够制造空隙少、可靠性高的半导体装置的半导体装置用胶粘剂组合物、半导体装置用胶粘薄膜以及带有切割薄膜的胶粘薄膜。本专利技术涉及一种半导体装置用胶粘剂组合物，该半导体装置用胶粘剂组合物在175℃加热1小时后的动态粘弹性测定中的175℃的损耗角正切值(tanδ)为0.2～0.6。【专利说明】半导体装置用胶粘剂组合物、半导体装置用胶粘薄膜、带有切割薄膜的胶粘薄膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置
本专利技术涉及半导体装置用胶粘剂组合物、半导体装置用胶粘薄膜、带有切割薄膜的胶粘薄膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置。
技术介绍
近年的半导体封装，出于封装的小型化、功能的高密度安装化的目的，由DIP (双排直插封装)为代表的插入安装型过渡到BGA(球栅阵列)为代表的表面安装型。这些半导体封装的制造中，在将半导体芯片胶粘固定到引线框或内插板等被粘物上时，有时使用芯片粘贴(芯片接合)材料。另外，出于高容量化的目的，在将半导体芯片堆叠(重叠)时，有时也使用芯片粘贴材料。不过，在内插板等被粘物表面存在数微米的凹凸，即使使用芯片粘贴材料，也不能将被粘物表面的凹凸充分地掩埋，在被粘物与芯片粘贴材料之间产生空隙，存在半导体封装的可靠性下降的问题 (例如专利文献I)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2008-231366号公报
技术实现思路
本专利技术鉴于前述问题而创立，其目的在于提供能够制造空隙少、可靠性高的半导体装置的半导体装置用胶粘剂组合物、半导体装置用胶粘薄膜以及带有切割薄膜的胶粘薄膜。本专利技术人为了解决上述现有技术的问题进行了研究，结果发现，通过将树脂密封工序时的一般温度(175°C )下的损耗角正切值(tanS)调节为特定的值，利用密封树脂的注入压力，半导体装置用胶粘剂组合物可以将被粘物表面的凹凸良好地掩埋，并且完成了本专利技术。即，本专利技术涉及一种半导体装置用胶粘剂组合物，该半导体装置用胶粘剂组合物在175°C加热I小时后的动态粘弹性测定中的175°c的损耗角正切值(tan δ )为0.2~0.6。通过将树脂密封工序时的一般温度(175°C )下的损耗角正切值(tan δ )调节为特定的值，利用密封树脂的注入压力，半导体装置用胶粘剂组合物可以将被粘物表面的凹凸良好地掩埋，可以抑制空隙的产生，可以制造可靠性高的半导体装置。本专利技术中规定了在175°C加热I小时后的损耗角正切值(tan δ )。这设想的是:在将半导体芯片堆叠的半导体装置的制造中，通过芯片粘贴工序和丝焊工序而施加给半导体装置用胶粘剂组合物的热历史。近年来，出于高容量化的目的，芯片的堆叠数增加，因此芯片粘贴工序和丝焊工序增加。本专利技术中，由于设想这些热历史，因此在芯片粘贴工序和丝焊工序后进行的树脂密封工序中，即使半导体装置用胶粘剂组合物长时间暴露于高温，也可以将被粘物表面的凹凸良好地掩埋，可以抑制空隙的产生，可以制造可靠性高的半导体装置。损耗角正切值(tan δ )优选在施加频率IHz的剪切应变的同时以10°C /分钟的升温速度测定。在175°C加热5小时后，动态粘弹性测定中的损耗角正切值(tan δ )达到最大的温度优选为-30~75V。在175°C加热5小时这样的条件，设想了在将半导体芯片堆叠的半导体装置的制造中的芯片粘贴工序、丝焊工序及树脂密封工序的热历史，并且所述构成规定了在这些工序后半导体装置用胶粘剂组合物的损耗角正切值(tan δ )达到最大的温度范围。根据所述构成，在半导体装置的日常使用温度范围-30~75°C中，可以得到良好的振动缓和性，可以减少所得到的半导体装置的故障。相对于有机树脂成分100重量份，热活化型潜伏性固化催化剂的含量优选为0.05重量份以下。为0.05重量份以下时，半导体装置用胶粘剂组合物的固化不会受到芯片粘贴工序和丝焊工序的影响而过度进行，可以将175°C的损耗角正切值(tanS)适当地调节到0.2~0.6的范围，可以良好地掩埋被粘物表面的凹凸。有机树脂成分100重量％中的丙烯酸类树脂的含量优选为60~100重量％。由此，可以将被粘物表面的凹凸良好地掩埋，可以抑制空隙的产生，可以制造可靠性高的半导体装置。本专利技术还涉及一种半导体装置用胶粘薄膜，该半导体装置用胶粘薄膜在175°C加热I小时后的动态粘弹性测定中的175°C的损耗角正切值(tan δ )为0.2~0.6。半导体装置用胶粘薄膜优选作为芯片粘贴薄膜使用。本专利技术还涉及一种带有切割薄膜的胶粘薄膜，其中，在切割薄膜上层叠有半导体装置用胶粘薄膜。本专利技术还涉及一种半导体装置的制造方法，包括使用半导体装置用胶粘薄膜将半导体芯片芯片粘贴到被粘物上的工序。本专利技术还涉及通过前述制造方法得到的半导体装置。【专利附图】【附图说明】图1是本专利技术的一个实施方式的带有切割薄膜的胶粘薄膜的示意剖视图。图2是本专利技术的另一个实施方式的带有切割薄膜的胶粘薄膜的示意剖视图。图3是用于说明本专利技术的半导体装置的一种制造方法的图。标号说明I基材2 粘合剂层3、3’胶粘薄膜(热固型胶粘薄膜)4 半导体晶片5半导体芯片6被粘物7焊线8密封树脂10、12带有切割薄膜的胶粘薄膜11 切割薄膜【具体实施方式】 本专利技术的胶粘剂组合物，在175°C加热I小时后的动态粘弹性测定中的175°C的损耗角正切值(tanS)为0.2以上，优选0.25以上。为0.2以上时，可以将被粘物表面的凹凸良好地掩埋。在175°C加热I小时后的动态粘弹性测定中的175°C的损耗角正切值(tan δ )为0.6以下，优选0.55以下。为0.6以下时，可以将被粘物表面的凹凸良好地掩埋。另外，可以良好地进行丝焊。该损耗角正切值(tan δ )可以通过热活化型潜伏性固化催化剂的含量、交联剂的含量、丙烯酸类树脂的含量、丙烯酸类树脂的重均分子量、丙烯酸类树脂的玻璃化转变温度等进行控制。另外，在175°C加热I小时后的动态粘弹性测定中的175°C的损耗角正切值(tan δ )，可以在对胶粘剂组合物施加频率IHz的剪切应变的同时以10°C /分钟的升温速度测定。具体而言，可以通过实施例中所述的方法测定。本专利技术的胶粘剂组合物通常含有有机树脂成分。作为有机树脂成分，可以列举丙烯酸类树脂等热塑性树脂、热固性树脂等。从离子性杂质少、耐热性高、能够保证半导体元件的可靠性的观点考虑，本专利技术的胶粘剂组合物优选含有丙烯酸类树脂。作为所述丙烯酸类树脂，没有特别限制，可以列举以一种或两种以上具有碳原子数30以下、特别是碳原子数4~18的直链或支链烷基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯为成分的聚合物(丙烯酸类聚合物)等。作为所述烷基，可以列举例如:甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、环己基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基或者二十烷基等。另外，作为形成所述聚合物的其它单体，没有特别限制，可以列举例如:含羧基单体如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸或巴豆酸等；酸酐单体如马来酸酐或衣康酸酐等；含本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置用胶粘剂组合物，该半导体装置用胶粘剂组合物在175℃加热1小时后的动态粘弹性测定中的175℃的损耗角正切值(tanδ)为0.2～0.6。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：菅生悠树，大西谦司，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：