【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：相互电隔离的第一布线和第二布线；电耦合在所述第一布线和所述第二布线之间的电子组件；以及半导体芯片，包括与所述电子组件并联地电耦合在所述第一布线和所述第二布线之间保护性二极管并且具有第一表面及在其背面的第二表面，所述保护性二极管的电极对位于所述第一表面上，其中所述保护性二极管的电极对中的一个电极在所述半导体芯片内没有PN结的情况下电耦合至所述第二表面，并且其中所述半导体芯片安装在所述第一布线或所述第二布线中的电耦合至所述一个电极的那个布线之上，其中所述第二表面朝向所述布线。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：二井手亮，山田伸一，一之濑八州治，野泽俊哉，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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