【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种。
技术介绍
以往，已知利用液层外延生长法或有机金属化学气相生长法在GaAs、GaP、蓝宝石、SiC等功能层形成用基板上形成功能层的方法。功能层可以利用于光电元件等中。但是，用于形成功能层的功能层形成用基板，通常导热性低，要求改善散热特性。为此，近年来，尝试了通过将功能层从功能层形成用基板剥离并转印于高导热基板来提高散热特性。作为将较薄的功能层从功能层形成用基板剥离的方法(提离(lift-off)法)，以往已知以下方法:在功能层的与功能层形成用基板相反侧的一面暂时贴合转印用基板，之后，利用YAG激光、Excimer激光进行剥离(例如参照专利文献1、2)。此外，还已知以下方法:在功能层与功能层形成用基板之间预先设置蚀刻层，将该蚀刻层进行蚀刻并剥离的方法(例如参照专利文献3)。以下，对于以往的采用湿法蚀刻时的功能层转印方法进行说明。图7?图11为用于说明以往的基板转印方法的剖面示意图。首先，如图7所示，在功能层形成用基板100上形成第I蚀刻层102。接着，利用液层外延生长法或有机金属化学气相生长法在第I蚀刻层102上形成功能层104。进而，...
【技术保护点】
一种半导体元件的制造方法，其特征在于，其具有以下工序：将转印用基板和形成于功能层形成用基板上的功能层借助临时固定层进行贴合的工序；除去所述功能层形成用基板而使所述功能层露出的工序；将最终基板贴合于露出的所述功能层的工序；和将所述临时固定层和所述转印用基板从所述功能层分离的工序，其中，对于所述临时固定层而言，(A)在200℃保持1分钟后在该温度下对硅晶片的剪切粘接力为0.25kg/5×5mm以上，并且在大于200℃且500℃以下的温度区域中的任意温度下保持3分钟后在该温度下对硅晶片的剪切粘接力小于0.25kg/5×5mm；或者(B)在50℃的N?甲基?2?吡咯烷酮中浸渍60秒...
【技术特征摘要】
2012.06.27 JP 2012-1443691.一种半导体元件的制造方法，其特征在于，其具有以下工序: 将转印用基板和形成于功能层形成用基板上的功能层借助临时固定层进行贴合的工序; 除去所述功能层形成用基板而使所述功能层露出的工序； 将最终基板贴合于露出的所述功能层的工序；和 将所述临时固定层和所述转印用基板从所述功能层分离的工序， 其中，对于所述临时固定层而言，(A)在200°C保持I分钟后在该温度下对硅晶片的剪切粘接力为0.25kg/5X5mm以上，并且在大于200°C且500°C以下的温度区域中的任意温度下保持3分钟后在该温度下对硅晶片的剪切粘接力小于0.25kg/5X5mm ;或者(B)在50°C的N-甲基-2-吡咯烷酮中浸溃60秒钟并且在150°C下干燥30分钟后的重量减少率为1.0重量％以上。2.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于， 所述临时固定层的冲击硬度为0.01以上且10以下。3.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其特征在于， 所述临时固定层在3%...
【专利技术属性】
技术研发人员：秋月伸也，杉村敏正，宇圆田大介，松村健，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：
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