本发明专利技术公开了一种基板支撑用的支撑板以及使用该支撑板的基板处理装置。本发明专利技术的基板支撑用的支撑板以及使用该支撑板的基板处理装置，基板接触并支撑在可拆卸地结合于托板的支撑销上，而支撑销对基板的升温或冷却带来微小的影响，因此基板的升温或冷却所需要的时间较短，从而提高基板处理的生产率。此外，由于基板处于隔离于托板的状态，因此，无需用于从托板隔离基板的其他装置，从而节约了成本。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术公开了一种基板支撑用的支撑板以及使用该支撑板的基板处理装置。本专利技术的基板支撑用的支撑板以及使用该支撑板的基板处理装置，基板接触并支撑在可拆卸地结合于托板的支撑销上，而支撑销对基板的升温或冷却带来微小的影响，因此基板的升温或冷却所需要的时间较短，从而提高基板处理的生产率。此外，由于基板处于隔离于托板的状态，因此，无需用于从托板隔离基板的其他装置，从而节约了成本。【专利说明】基板支撑用的支撑板以及使用该支撑板的基板处理装置
本专利技术涉及基板支撑用的支撑板以及使用该支撑板的基板处理装置，其通过在基板上设置多个支撑销来支撑基板。
技术介绍
基板处理装置应用于平板显示器的生产，并大致分为蒸镀(Vapor D印osition)装置和退火(Annealing)装置。蒸镀装置作为形成构成平板显示器核心结构的透明导电层、绝缘层、金属层或硅层的装置， 分为低压化学气相沉积(LPCVD:Low Pressure Chemical Vapor Deposition)或等离子体增强化学气相沉积(PECVD:Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition)等方式的化学蒸镀装置和溅射(Sputtering)等方式的物理蒸镀装置。退火装置在基板上蒸镀膜以后，提高蒸镀后的膜的特性，是对蒸镀后的膜进行结晶化或相变化的热处理装置。通常，热处理装置分为对一个基板进行热处理的单片式(Single SubstrateType)热处理装置和对多个基板进行热处理的批处理式(Batch Type)热处理装置。虽然单片式热处理装置结构简单，但生产率较低，因此，在大批量的生产中多使用批处理式热处理>J-U ρ?α装直。批处理式热处理装置包括提供热处理空间的腔室，在腔室内必须使用对装载于腔室的多个基板提供支撑的板状的托板。但是，由于现有的基板处理装置是基板的下表面直接接触和支撑于托板的上表面，这样，由于所述托板的潜热，提高基板温度或冷却基板需要很长的时间，导致生产率下降。此外，需要其他的装置从所述托板隔离出接触于所述托板的所述基板，因此导致成本上升。
技术实现思路
技术问题本专利技术是为了解决上述的现有技术的问题点而提出的，本专利技术的目的在于提供一种基板支撑用的支撑板以及使用该支撑板的基板处理装置，通过在托板上设置多个支撑销来支撑基板，从而能够提高生产率，同时可节约成本。解决问题的手段为了实现上述目的，本专利技术的基板支撑用的支撑板包括:托板；多个支撑销，可拆卸地结合于所述托板用以支撑基板。此外，为了实现上述目的，本专利技术的基板处理装置包括:本体，提供用于投入基板并进行处理的腔室；多个支架，其设置在所述腔室的内部；基板支撑用的支撑板，其具备:多个托板，上下隔着间隔，并支撑于所述支架；多个支撑销，可拆卸地结合于所述托板用以支撑所述基板。专利技术效果本专利技术的基板支撑用的支撑板以及使用该支撑板的基板处理装置，基板接触和支撑在可拆卸地结合于托板的支撑销上，而支撑销对基板的升温或冷却带来微小的影响，因此对基板进行升温或冷却所需要的时间较短，从而提高基板处理的生产率。此外，由于基板处于隔离于托板的状态，因此，无需用于从托板隔离基板的其他装置，从而节约成本。【专利附图】【附图说明】图1是本专利技术一实施例的基板处理装置的概略立体图。图2是图1所示的支架和支撑板的立体图。图3是图2所示的支撑板的立体图。图4是图3的“A-A”线的剖视图。图5是本专利技术的另一实施例的支撑板的立体图。【具体实施方式】以下，参照附图对本专利技术的特定实施例进行详细说明。通过这些实施例，所属领域的技术人员能够充分实施本专利技术。本专利技术的多种实施例虽然有所不同，但不应理解为相互排斥。例如，记载于此的一实施例的特定的形状、特征以及特性，在不超过本专利技术的精神以及范围的基础上，可以以其他实施例的形式体现。此外，应理解为，每个公开的实施例中的个别的构成要素的位置或设置，可以在不超过本专利技术的精神以及范围的情况下进行变更。因此，后述的详细的说明并非旨在限定，确定地讲，本专利技术的范围只限定于所有权利要求中以及其等同范围。为了便于说明，附图所示的实施例的长度、面积以及厚度及形态可能夸大表不。以下参考附图来详细说明本专利技术的基板支撑用的支撑板以及使用该支撑板的基板处理装置。本实施例的说明中，基板的处理应理解为包括:加热以及冷却基板的工艺；在基板上蒸镀规定的膜的所有工艺；对蒸镀在基板上的规定的膜进行退火、结晶化或相变化的所有热处理工艺。图1是本专利技术的一实施例的基板处理装置的概略立体图，图2是图1所示的支架和支撑板的立体图。如图所示，基板处理装置包括大体呈直六面体形状且构成基板处理装置的外观的本体110，并且在本体110的内部形成有投入基板50并进行处理的作为封闭空间的腔室113。本体110的形状不限于直六面体形状，可根据基板50的形状形成为多种形状。本体110的前侧形成为开放的状态，并设置有门115，门115用于开闭腔室113。在打开门115开放腔室113的状态下，通过机器臂(未图示)等支撑基板50并将基板50装载至腔室113内部。在关闭门115封闭腔室113的状态下，对基板50进行处理。基板50的材质无特定的限制，可以以如玻璃、塑料、聚合物、硅晶片或不锈钢等材质形成。本体110的上侧也可以开放，为此，本体110的上侧设置有端盖17。端盖17在对设置在腔室13内的、处理基板50所需的部件进行维修或更换时开放腔室13。优选为，端盖17的材质由石英构成，但并不限定于此。处理基板50所需的部件包括支架120、支撑在支架120上以用于支撑基板50的支撑板130、用于加热基板50的加热器(未图不)、以及用于冷却基板50的冷却管(未图不)坐寸ο支架120包括:底座121，其底面与构成腔室113的本体110的底板接触；支柱123，从底座121的一端垂直延伸；多个支撑肋125，从支柱123的一侧水平延伸，且隔着间隔上下排列。支架120由相互面对的一对构成一组，构成一组的支架120的支撑肋125相互面对。图2表示由四组支架120构成的状态，连接相邻的支架120的虚拟线构成的形状大致为长方形。即，连接相邻的支架120的虚拟线构成的形状与基板50的形状大致对应。支架120的每个支撑肋125上搭载并支撑用于支撑基板50的支撑板130。由于支撑板130设置在腔室113内，因此，优选为，支撑板130由在基板50处理过程中能够耐高温且结构几乎没有变化的石英等构成。支撑于每个支撑肋125上的支撑板130上下排列且平行。图1中未说明的附图标记140是支撑基板处理装置的支撑框架。参照图1至图4对本专利技术的一实施例的支撑板130进行说明。图3是图2所示的支撑板的立体图，图4是图3的“A-A”线的剖视图。如图所示，支撑板130包括:托板131，形成为矩形板状，其长边侧的下表面被支撑肋125支撑，多个支撑销135，其设置在托板131的上表面以支撑基板50。支撑销135的上端支撑基板50，优选为，支撑销135的上端实施倒圆处理，从而与基板50形成点接触。这样,基板50的下表面也与上表面相同地,处于几乎外露的状态,从而能够均匀地处理基板50。支撑销135可拆卸地结合于托板131。为此，在托板131上形成有结合孔132，且本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：许官善，朴珠泳，赵炳镐，
申请(专利权)人：泰拉半导体株式会社，
类型：
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。