【技术实现步骤摘要】
—种厚多晶硅的制备方法
本专利技术涉及半导体器件技术，尤其涉及半导体器件中的电子级硅这一重要原料的制备方法。
技术介绍
多晶硅是一种重要的半导体材料，广泛应用于集成电路、太阳能器件和微机电系统等领域。制备多晶硅最常用的方法是低压化学气相沉积(LPCVD)，其制备多晶硅的过程是在约630°C的高温下，通过SiH4发生热分解淀积成多晶硅。这种方法生长的多晶硅晶粒较小，但是其生长速度慢，生长厚度一般为I微米左右。当生长的多晶硅太厚时，反应炉内副产物的堆积会对泵等硬件产生损耗。此外，西门子法也是一种常见的多晶硅的制备方法。在西门子法中，要在反应炉中竖立设置许多成为晶种棒的硅芯棒并预先进行通电加热，对反应炉供给包含氯硅烷气体和氢气的原料气体，使得原料气体和加热后的娃芯棒接触。在加热后的娃芯棒的表面就会析出多晶硅。有资料显示，当原料气体的供给量少时，多晶硅的析出变得不充分。提高多晶硅的生长速度的一种方法是给予充分的原料气体的供给。但是，目前尚没有能够很好地解决由于反应炉内副产品的堆积而对硬件产生损耗这一问题的方案。
技术实现思路
为了解决上述问题的至少一个方面，本专利...
【技术保护点】
一种厚多晶硅的制备方法，包括：在硅片的正表面上淀积一层薄的多晶硅层作为种子层；以及在所述种子层上，通过使用外延气体，外延生长出一层厚的多晶硅层。
【技术特征摘要】
1.一种厚多晶硅的制备方法，包括: 在硅片的正表面上淀积一层薄的多晶硅层作为种子层；以及 在所述种子层上，通过使用外延气体，外延生长出一层厚的多晶硅层。2.如权利要求1所述的厚多晶硅的制备方法，其中，所述淀积一层薄的多晶硅层作为种子层的步骤通过低压化学气相淀积来实现。3.如权利要求1所述的厚多晶硅的制备方法，其中，所述淀积一层薄的多晶硅层作为种子层的步骤通过固相晶化法或者金属诱导法来实现。4.如权利要求1所述的厚多晶硅的制备方法，其中，所述淀积一层薄的多晶硅层作为种子层的步骤通过脉冲...
【专利技术属性】
技术研发人员：荆二荣，周国平，夏长奉，苏巍，
申请(专利权)人：无锡华润上华半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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