【技术实现步骤摘要】
利用化学键结形成化合物磊晶层的方法及磊晶产品
本专利技术是关于一种利用化学键结形成化合物磊晶层的方法及磊晶产品，主要是在接触层上形成一不饱和离子键结层，并以能量激发的方式在不饱和离子键结层的非金属离子上形成悬空键结，并利用悬空键结的极性，以化学键结的方式，在不饱和离子键结层上形成化合物磊晶层，令制造厂商在不需采用昂贵的分子束磊晶技术的情况下，即可制作出质量稳定的镜面状平面晶的嘉晶层。
技术介绍
磊晶(Epitaxy)技术是一种应用于半导体元件制造过程中的技术，其目标是在原有芯片上长出新结晶，以制成新半导体层，此种技术又称为嘉晶成长(Epitaxial Growth),而利用磊晶技术成长出的结晶或晶粒即称为磊晶。磊晶技术可用以制造硅晶体管及CMOS (Complementary metal-oxi de-semi conductor)集成电路等各种兀件，且在制作化合物半导体时，磊晶技术更是不可或缺的重要技术。嘉晶技术包括化学气相沉积法(Chemical Vapor Deposition,简称CVD)、分子束嘉晶技术(Molecular Beam Epitax...
【技术保护点】
一种利用化学键结形成化合物磊晶层的方法，其特征在于，包括：在一基材载板上形成一接触层；在200℃以上的温度条件下，使该接触层表面的原子与非金属原子产生化学反应，令该非金属原子形成非金属离子，并使该非金属离子以化学键结方式与该接触层表面的原子相互结合，令该非金属离子在该接触层表面上形成一不饱和离子键结层；以能量激发的方式激发该非金属离子，使该非金属离子上尚未与该接触层表面的原子相互结合的其它键结，成为悬空键结；及利用化学气相沉积法，导入有机金属化合物及反应气体，令该有机金属化合物的金属离子能通过前述悬空键结的电偶极方向导引，与该悬空键结相结合，并使该反应气体的阴离子以离子键结...
【技术特征摘要】
1.一种利用化学键结形成化合物磊晶层的方法，其特征在于，包括: 在一基材载板上形成一接触层； 在200°C以上的温度条件下，使该接触层表面的原子与非金属原子产生化学反应，令该非金属原子形成非金属离子，并使该非金属离子以化学键结方式与该接触层表面的原子相互结合，令该非金属离子在该接触层表面上形成一不饱和离子键结层； 以能量激发的方式激发该非金属离子，使该非金属离子上尚未与该接触层表面的原子相互结合的其它键结，成为悬空键结 '及 利用化学气相沉积法，导入有机金属化合物及反应气体，令该有机金属化合物的金属离子能通过前述悬空键结的电偶极方向导引，与该悬空键结相结合，并使该反应气体的阴离子以离子键结的方式与该金属离子相结合，以形成化合物磊晶层。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该接触层为钛、钽、铝、锌、钪、锆或镁的金属层。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，该接触层为硼或硅的两性元素层。4.如权利要求2或3所述的方法，其特征在于，与该接触层表面原子产生化学反应的非金属原子为氮、磷、氧或硫原子。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，该反应气体为氨气、磷化氢、水、硫化氢或砷化氢，以制造出含氮、磷、氧、硫或砷元素的该化合物磊晶层。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，该有机金属化合物为四(二甲氨基)钛。7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，该基材载板是硅芯片、石英玻璃、铜钥合金、钨或钛材质。8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，是以激光激发的方式激发该非金属离子，使该非金属离子上尚未与该接触层表面的原子相互结合的其它键结，成为悬空键结。9.如权利要求...
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