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本发明公开了一种厚多晶硅的制备方法，包括：在硅片的正表面上淀积一层薄的多晶硅层作为种子层；以及在所述种子层上，通过使用外延气体，外延生长出一层厚的多晶硅层。通过使用本发明能够高效地获得厚多晶硅，同时又能够解决反应炉内副产品的堆积带来的问题。...
该专利属于无锡华润上华半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华半导体有限公司授权不得商用。

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