一种存储器管理方法，用于具有多个物理单元集合的可复写式非易失性存储器模块且每个物理单元集合至少包括第一物理单元。此方法包括：将物理单元集合分组为第一区与第二区，设定第一区的物理单元集合属于表示所有的物理单元都可被编程的第一编程模式，设定第二区的物理单元集合属于表示仅第一物理单元可被编程的第二编程模式。此方法还包括：当第一区或第二区有物理单元集合损坏时，将一个物理单元集合从第一编程模式转变为第二编程模式，且无法再被设定为第一编程模式。藉此，可增加可复写式非易失性存储器的使用寿命。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种存储器管理方法，用于具有多个物理单元集合的可复写式非易失性存储器模块且每个物理单元集合至少包括第一物理单元。此方法包括：将物理单元集合分组为第一区与第二区，设定第一区的物理单元集合属于表示所有的物理单元都可被编程的第一编程模式，设定第二区的物理单元集合属于表示仅第一物理单元可被编程的第二编程模式。此方法还包括：当第一区或第二区有物理单元集合损坏时，将一个物理单元集合从第一编程模式转变为第二编程模式，且无法再被设定为第一编程模式。藉此，可增加可复写式非易失性存储器的使用寿命。【专利说明】存储器管理方法、存储器控制器与存储器储存装置
本专利技术是有关于ー种存储器管理方法，且特别是有关于ー种用于可复写式非易失性存储器模块的存储器管理方法、存储器控制器与存储器储存装置。
技术介绍
数字相机、移动电话与MP3播放器在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对储存媒体的需求也急速増加。由于可复写式非易失性存储器模块(例如，闪存)具有数据非易失性、省电、体积小，以及无机械结构等特性，所以非常适合内建于上述所举例的各种可携式多媒体装置中。依据每个存储单元可储存的位数，与非(NAND)型闪存可区分为单阶储存单元(Single Level Cell, SLC)NAND 型闪存、多阶储存单元(Multi Level Cell, MLC)NAND 型闪存与多阶储存单元(Trinary Level Cell, TLC)NAND型闪存，其中SLC NAND型闪存的每个存储单元可储存I个位的数据(即，“I”与“0”)，MLC NAND型闪存的每个存储单元可储存2个位的数据并且TLC NAND型闪存的每个存储单元可储存3个位的数据。以TLC NAND型闪存来说，每个物理区块会包括多个物理页面组，每个物理页面组会包括下物理页面，中物理页面以及上物理页面。一般来说，闪存中的物理区块会被分为多个使用区域，取代区中也会包括多个物理区块。当使用区域的物理区块损坏时，取代区的物理区块可以被用来替换损坏的物理区块。然而，当其中取代区中已没有物理区块时，即代表闪存的使用寿命已经结束。因此，如何有效地管理物理区块，使得闪存的寿命可以延长，为本领域技术人员所关心的议题。
技术实现思路
本专利技术ー范例实施例提出一种存储器管理方法、存储器控制器与存储器储存装置，可以延长可复写式非易失性存储器模块的使用寿命。本专利技术ー范例实施例提出一种存储器管理方法，用于控制一可复写式非易失性存储器模块。此可复写式非易失性存储器模块包括多个物理単元集合，每ー个物理単元集合包括多个物理単元组，每ー个物理单元组包括多个物理単元，每ー个物理单元组的物理单元至少包括ー个第一物理単元。此存储器管理方法包括:将物理単元集合至少分割为第一区与第二区，设定第一区的物理単元集合属于第一编程模式，设定第二区的物理単元集合属于第二编程模式。其中第一编程模式表示所有的物理単元可被编程，第二编程模式表示仅第一物理単元可被编程。本方法还包括:当第二区的第一物理単元集合符合第二损坏条件时，使用第一区的第二物理単元集合来替换第一物理単元集合，设定第二物理単元集合属于第二编程模式并且第二物理単元集合无法再被设定为第一编程模式。在一范例实施中，上述的第二损坏条件包括:第一物理单元集合的抹除次数达到第二临界值、第一物理単元集合发生编程错误或第一物理単元集合发生错误的位个数超过错误检查与校正码所能更正的上限。在一范例实施中，上述当第二区的第一物理单元集合符合第二损坏条件时，使用第一区的第二物理单元集合来替换第一物理单元集合的步骤包括:从第一区的物理单元集合中，取得符合第一损坏条件的第二物理单元集合来替换第一物理单元集合。第一损坏条件包括:第二物理单元集合的抹除次数达到第一临界值、第二物理单元集合发生一编程错误或第二物理单元集合发生错误的位个数超过错误检查与校正码所能更正的上限。在一范例实施中，上述当第二区的第一物理单元集合符合第二损坏条件时，使用第一区的第二物理单元集合来替换第一物理单元集合的步骤包括:从第一区的物理单元集合中，取得抹除次数介于O至第一临界值的第二物理单元集合来替换第一物理单元集合。在一范例实施中，上述的存储器管理方法还包括:当第一区的第三物理单元集合符合第一损坏条件时，将第三物理单元集合划分为第二区；以及设定第三物理单元集合属于第二编程模式并且第三物理单元集合无法再被设定为第一编程模式。第一损坏条件包括:第三物理单元集合的抹除次数达到第一临界值、第三物理单元集合发生编程错误或第三物理单元集合发生错误的位个数超过错误检查与校正码所能更正的上限。在一范例实施中，上述的存储器管理方法还包括:当第一区的第三物理单元集合符合第一损坏条件时，取得第一区中多个符合第一损坏条件的第四物理单元集合；设定这些第四物理单元集合属于第二编程模式；以及使用第四物理单元集合来替换第三物理单元集合。第一损坏条件包括:第四物理单元集合的抹除次数达到第一临界值、第四物理单元集合发生一编程错误或第四物理单元集合发生错误的位个数超过一错误检查与校正码所能更正的上限。在一范例实施中，上述当第一区的第三物理单元集合符合第一损坏条件时，取得第一区中属于第一损坏条件的第四物理单元集合的步骤包括；判断第一区中是否有物理单元集合可在第一编程模式下储存数据，若否，取得第四物理单元集合来替换第三物理单元隹A 口 O以另外一个角度来说，本专利技术一范例实施例提出一种存储器储存装置，包括连接器、可复写式非易失性存储器模块与存储器控制器。其中连接器是用以电性连接至主机系统。可复写式非易失性存储器模块包括多个物理单元集合，每一个物理单元集合包括多个物理单元组。而每一个物理单元组又包括多个物理单元，每一个物理单元组的物理单元至少包括第一物理单元。存储器控制器是电性连接至连接器与可复写式非易失性存储器模块。存储器控制器会将物理单元集合至少分割为第一区与第二区。并且，存储器控制器会设定第一区的物理单元集合属于第一编程模式，并且设定第二区的物理单元集合属于第二编程模式。其中第一编程模式表示所有的物理单元可被编程，第二编程模式表示仅第一物理单元可被编程。当第二区的第一物理单元集合符合第二损坏条件时，存储器控制器用以使用第一区的第二物理单元集合来替换第一物理单元集合，并且设定第二物理单元集合属于第二编程模式且第二物理单元集合无法再被划分为第一编程模式。在一范例实施中，上述的第二损坏条件包括:第一物理单元集合的抹除次数达到第二临界值、第一物理单元集合发生编程错误或第一物理单元集合发生错误的位个数超过错误检查与校正码所能更正的上限。在一范例实施中，上述的存储器控制器还用以从第一区的物理单元集合中，取得符合第一损坏条件的第二物理单元集合来替换第一物理单元集合。第一损坏条件包括:第ニ物理単元集合的抹除次数达到第一临界值、第二物理単元集合发生编程错误或第二物理単元集合发生错误的位个数超过错误检查与校正码所能更正的上限。在一范例实施中，上述的存储器控制器还用以从第一区的物理単元集合中，取得抹除次数介于0至第一临界值的第二物理単元集合来替换第一物理単元集合。在一范例实施中，当第一区的第三物理単元集合符合第一损坏条件时，存储器控制器还用以将第三物理単元集合划分本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种存储器管理方法，用于控制一可复写式非易失性存储器模块，该可复写式非易失性存储器模块包括多个物理单元集合，每一该多个物理单元集合包括多个物理单元组，每一该多个物理单元组包括多个物理单元，每一该多个物理单元组的该多个物理单元至少包括一第一物理单元，其中该存储器管理方法包括：将该多个物理单元集合至少分割为一第一区与一第二区，设定该第一区的该些物理单元集合属于一第一编程模式，设定该第二区的该些物理单元集合属于一第二编程模式，其中该第一编程模式表示该些物理单元可被编程，该第二编程模式表示仅该第一物理单元可被编程；以及当该第二区的一第一物理单元集合符合一第二损坏条件时，使用该第一区的一第二物理单元集合来替换该第一物理单元集合，其中设定该第二物理单元集合属于该第二编程模式并且该第二物理单元集合无法再被设定为该第一编程模式。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：黄金汉，林盈志，
申请(专利权)人：群联电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。