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存储器管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元制造方法及图纸

技术编号:41391946 阅读:6 留言:0更新日期:2024-05-20 19:14
本发明专利技术提供一种存储器管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。所述方法包括:发送多个读取指令序列,其包括第一读取指令序列与第二读取指令序列,其中第一读取指令序列用以指示对可复写式非易失性存储器模块中的第一实体单元执行第一读取操作,且第二读取指令序列用以指示对第一实体单元执行第二读取操作;根据第一读取操作所对应的第一读取时间点与第二读取操作所对应的第二读取时间点之间的时间间隔,决定系统参数;以及根据所述系统参数指示可复写式非易失性存储器模块执行特定操作。由此,可提高对可复写式非易失性存储器模块执行数据维护的效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种存储器管理技术,尤其涉及一种存储器管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元


技术介绍

1、移动电话与笔记本计算机等可携式电子装置在这几年来的成长十分迅速,使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(rewritable non-volatile memory module)(例如,快闪存储器)具有数据非易失性、省电、体积小,以及无机械结构等特性,所以非常适合内建于上述所举例的各种可携式电子装置中。

2、一般来说,存储器控制器会定期或者根据特定条件(例如从某一个实体页读取的数据包含太多错误比特)来触发对可复写式非易失性存储器模块执行数据扫描和/或数据刷新等数据维护操作,以主动维护存储在可复写式非易失性存储器模块中的数据的正确性。但是,在存储器存储装置使用一段时间后,预设的数据维护操作的触发条件无法针对一或多个实体单元(例如实体页)进行最佳化。例如,针对迫切需要进行数据刷新的实体单元,无法立即指示对其进行数据刷新,而对于非迫切需要进行数据刷新的实体单元,则频繁对其进行数据刷新。由此,导致对可复写式非易失性存储器模块执行的数据维护缺乏效率。


技术实现思路

1、本专利技术提供一种存储器管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元,可改善上述问题并提高对可复写式非易失性存储器模块执行数据维护的效率。

2、本专利技术的范例实施例提供一种存储器管理方法,其用于可复写式非易失性存储器模块,其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体单元,且所述存储器管理方法包括:发送多个读取指令序列,其中所述多个读取指令序列包括第一读取指令序列与第二读取指令序列,所述第一读取指令序列用以指示对所述多个实体单元中的第一实体单元执行第一读取操作,且所述第二读取指令序列用以指示对所述第一实体单元执行第二读取操作;根据所述第一读取操作所对应的第一读取时间点与所述第二读取操作所对应的第二读取时间点之间的时间间隔,决定系统参数;以及根据所述系统参数指示所述可复写式非易失性存储器模块执行特定操作。

3、在本专利技术的范例实施例中,根据所述第一读取操作所对应的所述第一读取时间点与所述第二读取操作所对应的所述第二读取时间点之间的所述时间间隔,决定所述系统参数的步骤包括:根据所述时间间隔更新统计信息,其中所述统计信息反映多个历史时间间隔的平均值;以及根据所述统计信息决定所述系统参数。

4、在本专利技术的范例实施例中,根据所述统计信息决定所述系统参数的步骤包括:根据所述统计信息的变化,调整所述系统参数的参数值。

5、在本专利技术的范例实施例中,所述系统参数包括第一系统参数与第二系统参数的至少其中之一,所述第一系统参数用以触发对所述可复写式非易失性存储器模块的数据扫描操作,以检测所述第一实体单元中的错误,并且所述第二系统参数用以触发对所述可复写式非易失性存储器模块的数据刷新操作,以更新所述第一实体单元中的数据。

6、在本专利技术的范例实施例中,根据所述系统参数指示所述可复写式非易失性存储器模块执行所述特定操作的步骤包括:获得与所述可复写式非易失性存储器模块有关的损耗评估参数,其中所述损耗评估参数包括读取计数,且所述读取计数反映所述第一实体单元被读取的次数;比较所述损耗评估参数与所述系统参数;以及根据比较结果指示所述可复写式非易失性存储器模块执行所述特定操作。

7、在本专利技术的范例实施例中,所述系统参数包括第三系统参数,且所述第三系统参数用以影响解码电路使用的解码模式。

8、本专利技术的范例实施例另提供一种存储器存储装置,其包括连接接口单元、可复写式非易失性存储器模块及存储器控制电路单元。所述连接接口单元用以连接至主机系统。所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体单元。所述存储器控制电路单元连接至所述连接接口单元与所述可复写式非易失性存储器模块。所述存储器控制电路单元用以:发送多个读取指令序列,其中所述多个读取指令序列包括第一读取指令序列与第二读取指令序列,所述第一读取指令序列用以指示对所述多个实体单元中的第一实体单元执行第一读取操作,且所述第二读取指令序列用以指示对所述第一实体单元执行第二读取操作;根据所述第一读取操作所对应的第一读取时间点与所述第二读取操作所对应的第二读取时间点之间的时间间隔,决定系统参数;以及根据所述系统参数指示所述可复写式非易失性存储器模块执行特定操作。

9、在本专利技术的范例实施例中,根据所述第一读取操作所对应的所述第一读取时间点与所述第二读取操作所对应的所述第二读取时间点之间的所述时间间隔,决定所述系统参数的操作包括:根据所述时间间隔更新统计信息,其中所述统计信息反映多个历史时间间隔的平均值;以及根据所述统计信息决定所述系统参数。

10、在本专利技术的范例实施例中,根据所述统计信息决定所述系统参数的操作包括:根据所述统计信息的变化,调整所述系统参数的参数值。

11、在本专利技术的范例实施例中,根据所述系统参数指示所述可复写式非易失性存储器模块执行所述特定操作的操作包括:获得与所述可复写式非易失性存储器模块有关的损耗评估参数,其中所述损耗评估参数包括读取计数,且所述读取计数反映所述第一实体单元被读取的次数;比较所述损耗评估参数与所述系统参数;以及根据比较结果指示所述可复写式非易失性存储器模块执行所述特定操作。

12、本专利技术的范例实施例另提供一种存储器控制电路单元,其用以控制可复写式非易失性存储器模块。所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体单元。所述存储器控制电路单元包括主机接口、存储器接口及存储器管理电路。所述主机接口用以连接至主机系统。所述存储器接口用以连接至所述可复写式非易失性存储器模块。所述存储器管理电路连接至所述主机接口与所述存储器接口。所述存储器管理电路用以:发送多个读取指令序列,其中所述多个读取指令序列包括第一读取指令序列与第二读取指令序列,所述第一读取指令序列用以指示对所述多个实体单元中的第一实体单元执行第一读取操作,且所述第二读取指令序列用以指示对所述第一实体单元执行第二读取操作;根据所述第一读取操作所对应的第一读取时间点与所述第二读取操作所对应的第二读取时间点之间的时间间隔,决定系统参数;以及根据所述系统参数指示所述可复写式非易失性存储器模块执行特定操作。

13、在本专利技术的范例实施例中,所述存储器控制电路单元更包括解码电路。所述系统参数包括第三系统参数。所述第三系统参数用以影响所述解码电路使用的解码模式。

14、基于上述,在发送多个读取指令序列以指示从第一实体单元读取数据后,根据所述多个读取指令序列中的第一读取指令序列所对应的第一读取时间点与所述多个读取指令序列中的第二读取指令序列所对应的第二读取时间点之间的时间间隔,至少一系统参数可被决定,且针对可复写式非易失性存储器模块的至少一特定操作可根据此系统参数执行。由此,可有效提高对可复写式非易失性存储器模块执行数据维护的效率。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储器管理方法,其特征在于,用于可复写式非易失性存储器模块,其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体单元,且所述存储器管理方法包括:

2.根据权利要求1所述的存储器管理方法,其中根据所述第一读取操作所对应的所述第一读取时间点与所述第二读取操作所对应的所述第二读取时间点之间的所述时间间隔,决定所述系统参数的步骤包括:

3.根据权利要求2所述的存储器管理方法,其中根据所述统计信息决定所述系统参数的步骤包括:

4.根据权利要求1所述的存储器管理方法,其中所述系统参数包括第一系统参数与第二系统参数的至少其中之一,

5.根据权利要求1所述的存储器管理方法,其中根据所述系统参数指示所述可复写式非易失性存储器模块执行所述特定操作的步骤包括:

6.根据权利要求1所述的存储器管理方法,其中所述系统参数包括第三系统参数,且所述第三系统参数用以影响解码电路使用的解码模式。

7.一种存储器存储装置,其特征在于,包括:

8.根据权利要求7所述的存储器存储装置,其中根据所述第一读取操作所对应的所述第一读取时间点与所述第二读取操作所对应的所述第二读取时间点之间的所述时间间隔,决定所述系统参数的操作包括:

9.根据权利要求8所述的存储器存储装置,其中根据所述统计信息决定所述系统参数的操作包括:

10.根据权利要求7所述的存储器存储装置,其中所述系统参数包括第一系统参数与第二系统参数的至少其中之一,

11.根据权利要求7所述的存储器存储装置,其中根据所述系统参数指示所述可复写式非易失性存储器模块执行所述特定操作的操作包括:

12.根据权利要求7所述的存储器存储装置,其中所述系统参数包括第三系统参数,且所述第三系统参数用以影响解码电路使用的解码模式。

13.一种存储器控制电路单元,其特征在于,用以控制可复写式非易失性存储器模块,其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体单元,且所述存储器控制电路单元包括:

14.根据权利要求13所述的存储器控制电路单元,其中根据所述第一读取操作所对应的所述第一读取时间点与所述第二读取操作所对应的所述第二读取时间点之间的所述时间间隔,决定所述系统参数的操作包括:

15.根据权利要求14所述的存储器控制电路单元,其中根据所述统计信息决定所述系统参数的操作包括:

16.根据权利要求13所述的存储器控制电路单元,其中所述系统参数包括第一系统参数与第二系统参数的至少其中之一,

17.根据权利要求13所述的存储器控制电路单元,其中根据所述系统参数指示所述可复写式非易失性存储器模块执行所述特定操作的操作包括:

18.根据权利要求13所述的存储器控制电路单元,其中所述存储器控制电路单元还包括解码电路,所述系统参数包括第三系统参数,且所述第三系统参数用以影响所述解码电路使用的解码模式。

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【技术特征摘要】

1.一种存储器管理方法,其特征在于,用于可复写式非易失性存储器模块,其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体单元,且所述存储器管理方法包括:

2.根据权利要求1所述的存储器管理方法,其中根据所述第一读取操作所对应的所述第一读取时间点与所述第二读取操作所对应的所述第二读取时间点之间的所述时间间隔,决定所述系统参数的步骤包括:

3.根据权利要求2所述的存储器管理方法,其中根据所述统计信息决定所述系统参数的步骤包括:

4.根据权利要求1所述的存储器管理方法,其中所述系统参数包括第一系统参数与第二系统参数的至少其中之一,

5.根据权利要求1所述的存储器管理方法,其中根据所述系统参数指示所述可复写式非易失性存储器模块执行所述特定操作的步骤包括:

6.根据权利要求1所述的存储器管理方法,其中所述系统参数包括第三系统参数,且所述第三系统参数用以影响解码电路使用的解码模式。

7.一种存储器存储装置,其特征在于,包括:

8.根据权利要求7所述的存储器存储装置,其中根据所述第一读取操作所对应的所述第一读取时间点与所述第二读取操作所对应的所述第二读取时间点之间的所述时间间隔,决定所述系统参数的操作包括:

9.根据权利要求8所述的存储器存储装置,其中根据所述统计信息决定所述系统参数的操作包括:

10.根据权利要求7所述的存储器存储装置,其中所述系统参数包括...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘宇恒杨宇翔李曜亘刘安城林纬
申请(专利权)人:群联电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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