一种发光二极管外延片接触层制造技术

本实用新型专利技术公开了一种发光二极管外延片接触层，包括蓝宝石衬底层（1）、Buffer—缓冲层（2）、N型GaN层（3）、N—SLS层（4）、MQW发光层（5）以及P型GaN层（6），其特征在于：所述P型GaN层（6）上方设置有掺硅InGaN层（7）构成的接触层，本实用新型专利技术有效解决传统外延片的接触层为掺镁的InGaN层构成，从而发光二极管的Vf电压上升，从而降低发光二极管的光效。?（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种发光二极管外延片接触层，包括蓝宝石衬底层（1）、Buffer—缓冲层（2）、N型GaN层（3）、N—SLS层（4）、MQW发光层（5）以及P型GaN层（6），其特征在于：所述P型GaN层（6）上方设置有掺硅InGaN层（7）构成的接触层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：芦玲，张向飞，钱仁海，刘坚，
申请(专利权)人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司，
类型：实用新型
国别省市：