半导体发光元件制造技术

本发明专利技术的课题是在半导体发光元件的FC（倒装芯片）安装技术中使金属反射膜的可靠性提高。作为解决手段，提供一种半导体发光元件（10），其特征在于，具有：叠层半导体层（126），其层叠有n型半导体层（123）、发光层（124）和p型半导体层（125）；透明导电层（131），其层叠在叠层半导体层（126）的p型半导体层（125）上，且由相对于从发光层（124）射出的光显示透光性的金属氧化物构成；绝缘反射层（132），其层叠在透明导电层（131）上，且设有透明导电层（131）的一部分露出的多个开口部（132h）；金属反射层（133），其形成在绝缘反射层（132）上和绝缘反射层（132）的开口部（132h）内，且由包含铝的金属构成；以及金属接触层（137），其至少设置在透明导电层（131）的在开口部（132h）露出的部分与金属反射层（133）的形成在开口部（132h）内的部分之间，且包含从周期表第6A族和第8族中选出的元素。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体发光元件，其特征在于，具有：叠层半导体层，其层叠有n型半导体层、发光层和p型半导体层；透明导电层，其层叠在所述叠层半导体层的所述p型半导体层上，且由相对于从所述发光层射出的光显示透光性的金属氧化物构成；绝缘反射层，其层叠在所述透明导电层上，且设有该透明导电层的一部分露出的多个开口部；金属反射层，其形成在所述绝缘反射层上和该绝缘反射层的所述开口部内，且由包含铝的金属构成；以及金属接触层，其至少设置在所述透明导电层的在所述开口部露出的部分与所述金属反射层的形成在该开口部内的部分之间，且包含从周期表第6A族和第8族中选出的元素。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：程田高史，
申请(专利权)人：丰田合成株式会社，
类型：发明
国别省市：