一种具有电极反射层的 LED 芯片及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种具有电极反射层的LED芯片制作方法，包括以下步骤，S1，在衬底上依次生长N型GaN层、量子阱层和P型GaN层；S2，采用刻蚀工艺使部分N型GaN层裸露；S3，于P型GaN层以及裸露的N型GaN层上分别蒸镀导电层，并预留有电极区域；S4，于预留的电极区域蒸镀电极反射层；S5，在电极反射层和导电层上蒸镀金属电极，电极与导电层接触。本发明专利技术在电极蒸镀之前制作电极反射层，将电极下方的光子在被金属电极吸收之前反射回去，从而增加光子的出射效率，此外本发明专利技术还提供了上述方法制取的具有电极反射层的LED芯片。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种具有电极反射层的LED芯片制作方法，其特征在于，包括以下步骤，S1，在衬底（1）上依次生长N型GaN层（2）、量子阱层（3）和P型GaN层（4）；S2，采用刻蚀工艺使部分N型GaN层（2）裸露；S3，于所述P型GaN层（4）以及裸露的N型GaN层（2）上分别蒸镀导电层（5），并预留有电极区域；S4，于预留的电极区域蒸镀电极反射层（6）；S5，在所述电极反射层（6）和所述导电层（5）上蒸镀金属电极（7），所述电极（7）与所述导电层（5）接触。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：武乐可，胡国兵，邱国安，曹小明，叶关兴，
申请(专利权)人：江苏中谷光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：