发光二极管及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种发光二极管及其制造方法。发光二极管包括一半导体复合层及一电极。半导体复合层提供空穴和电子并使空穴和电子结合而释放光。电极形成于半导体复合层上，其中电极含有30％至98％的铝含量。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种。发光二极管包括一半导体复合层及一电极。半导体复合层提供空穴和电子并使空穴和电子结合而释放光。电极形成于半导体复合层上，其中电极含有30％至98％的铝含量。【专利说明】
本专利技术是有关于一种，且特别是有关于一种具有高铝含量的电极的。
技术介绍
随着科技的发展，各式照明技术不断创新。发光二极管为照明技术发展上的一项重要里程碑。发光二极管具有效率高、寿命长、不易破损等优点，使得发光二极管广泛地应用于各式电子装置与灯具中。传统发光二极管包括P型半导体层、N型半导体层及二电极，二电极分别形成于P型半导体层及N型半导体层上。一般而言，为了避免电极的铝材料受到后续工艺的化学液侵蚀，电极的铝材料的用量少于10%。然而，为了导电性考量，金的用量却因此而提高，导致传统发光二极管的成本无法有效降低。
技术实现思路
本专利技术是有关于一种，可减少或避免发光二极管的电极发生腐蚀。本专利技术的一实施例提供一种发光二极管，包括一半导体复合层及一电极。半导体复合层用以提供空穴和电子并使空穴和电子结合而释放光。电极形成于半导体复合层上，其中电极含有30%至98%的铝含量。本专利技术的另一实施例提供一种发光二极管的制造方法，包括以下步骤:形成一半导体复合层于一基板上；形成一电极于半导体复合层上；以及，形成一包覆层包覆电极，其中包覆层是由一贱金属所组成。为了对本专利技术的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合附图，作详细说明如下。【专利附图】【附图说明】图1绘示依照本专利技术一实施例的发光二极管的剖视图。图2绘示依照本专利技术另一实施例的发光二极管的剖视图。图3A至3C绘示依照本专利技术一实施例的发光二极管的制造流程图。主要元件符号说明:100、200:发光二极管110:基板120:半导体复合层121:第一半导体层122:发光层123:第二半导体层130、230:第一电极130s:侧面130u:上表面131:第一层结构132:第二层结构140、240:第二电极150:包覆层160:接垫层233:第三层结构【具体实施方式】请参照图1，其绘示依照本专利技术一实施例的发光二极管100的剖视图。发光二极管100包括基板110、半导体复合层120、第一电极130、第二电极140、包覆层150及接垫层160。基板110例如是娃基板、氣化嫁基板、碳化娃基板、监宝石基板或以上述基板再进行图形化等加工的基板，但并不以此为限。半导体复合层120位于基板110上，用以提供空穴和电子并使空穴和电子结合而释放光。详细而言，半导体复合层120是由多层半导体层上下堆迭而成的，其包括第一半导体层121,位于基板110上；发光层122,位于第一半导体层121上且露出部分的第一半导体层121 ;以及第二半导体层123，位于发光层122上。其中第一半导体层121与第二半导体层123实质上平行，而发光层122是夹设于第一半导体层121与第二半导体层123之间。第一半导体层121、发光层122及第二半导体层123可各自为单层或多层结构，端视实际需求而定。半导体复合层120可透过一般半导体工艺(例如金属有机化学气相沉积(Metal-organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)外延工艺、薄膜沉积、微影、蚀刻、掺杂)来形成。第一半导体层121例如是P型半导体层与N型半导体层的其中一者，而第二半导体层123则为P型半导体层与N型半导体层的另一者。其中，P型半导体层例如是掺杂镁(Mg)、硼(B)、铟(In)、镓(Ga)或铝(Al)等元素的氮基半导体层，而N型半导体层例如是掺杂硅(Si)、磷(P)、锑(Sb)、砷(As)等元素的氮基半导体层。发光层122可以是三五族二元素化合物半导体(例如是砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)、氮化镓(GaN))、三五族多元素化合物半导体(例如是砷化铝镓(AlGaAs)、磷砷化镓(GaAsP)、磷化铝镓铟(AlGaInP)、砷化铝铟镓(AlInGaAs))或二六族二元素化合物半导体(例如是硒化镉(CdSe)、硫化镉(CdS)、硒化锌(ZnSe))。第一电极130位于露出部分的第一半导体层121上。第一电极130是由金、招、银、铜、钼、铬、锡、镍、钛、铬合金、镍合金、铜娃合金、招铜娃合金、招娃合金、金锡合金及其组合的至少一者所构成的单层或多层结构，但不以此为限。本实施例的第一电极130是以双层结构为例说明，其包括第一层结构131及第二层结构132。第一层结构131位于第一半导体层121上，其材质较佳是选自铬、铬合金、镍、镍合金、锡、钛或其组合，此些材质的黏结性强，可增加第一电极130与半导体复合层120的结合性。第二层结构132位于第一层结构131上。第二层结构132的材质可选自金、铝、银、铜、钼、铜硅合金、铝铜硅合金、铝硅合金、金锡合金或其组合，较佳是选自铝、金或其组合，此些材质的导电性优良，故可提升第一电极130的整体导电性或使第一电极130的整体导电性符合预期设计。第一电极130可含有约30 %至98 %的铝含量，此可透过设计第一电极130的层厚度实现。例如，第一层结构131的材质采用铬，其厚度约1000埃，而第二层结构132的材质采用铝，其厚度约33000埃，如此可使第一电极130含有约97%的铝含量。由于铝的含量大，可节省价格相对昂贵的金用量，因此可降低第一电极130的成本。第二电极140形成于第二半导体层123上，其结构及材质相似于第一电极130，容此不再赘述。虽然本专利技术实施例的电极数量是以二个(第一电极130及第二电极140)为例说明，然亦可为单个或二个以上。包覆层150用以包覆第一电极130及第二电极140。包覆层150是由贱金属所组成，例如是由铬、铬合金、镍、锡、钛、镍合金或其组合所组成。由于包覆层150的材质是选自价格便宜的贱金属，故可大幅降低发光二极管100的成本。于另一实施例中，包覆层150的材质亦可由其它具有抗氧化及/或抗腐蚀特性的材质所组成。此外，包覆层150的厚度介于约300至500埃之间。包覆层150包覆第一电极130的整个上表面130u及整个侧面130s，可避免第一电极130的铝材料露出而受到后续工艺环境或大气环境的酸蚀。同理，第二电极140亦被包覆层150包覆，于此不再赘述。接垫层160形成于包覆层150上，其可作为一金属线(未绘示)的承载垫。接垫层160的材质例如是金(Au)或含金的合金。由于电极内含有一定含量导电性佳的铝，故此接垫层160的用量可减少，例如，接垫层160的厚度仅500埃或更薄，如此可大幅降低发光二极管100的成本。由于第一电极130及第二电极140受到包覆层150的保护，可避免电极被后续工艺环境、封装环境或大气环境的酸蚀而易脱落，进而使焊合在接垫层160上金属线稳固地形成于电极上，避免其跟着电极一起脱落。另一实施例中，发光二极管100更包括一透明导电层(未绘示)形成于第二半导体层123上。此透明导电层的材质例如是铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)等透明材质，其具有电流扩散的效果，使电流能均匀地由第二半导体层123流至发光层122。此透明导电层的厚度约2800埃。请参照图2，其绘示依照本专利技术另一实施例的发光二极管20本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管，包括：一半导体复合层，用以提供空穴和电子并使空穴和电子结合而释放光；以及一电极，形成于该半导体复合层上，其中该电极含有30％至98％的铝含量。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：孙谢阳，
申请(专利权)人：华新丽华股份有限公司，
类型：发明
国别省市：