等离子体处理装置及等离子体处理方法制造方法及图纸

技术编号:9492929 阅读:93 留言:0更新日期:2013-12-26 02:48
一种等离子体处理装置及等离子体处理的方法,其中,所述等离子体处理装置包括:设置于反应腔顶部的若干呈同心分布的多个电感耦合线圈,用于将反应腔内的气体等离子体化,所述电感耦合线圈与所述承片台相对;若干射频功率源,用于分别向电感耦合线圈提供脉冲式射频信号;至少连接到所述第一射频功率源和第二射频功率源的控制单元,所述控制单元用于控制第一射频功率源和第二射频功率源输出的射频功率在高功率输出和低功率输出之间切换形成脉冲式射频信号,且所述低功率输出大于零,所述控制单元使第一射频功率源和第二射频功率源输出的脉冲式射频功率均独立可调。所述等离子体处理装置中的等离子体分布更均匀,等离子体处理的效果更好。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种等离子体处理装置及等离子体处理的方法,其中,所述等离子体处理装置包括:设置于反应腔顶部的若干呈同心分布的多个电感耦合线圈,用于将反应腔内的气体等离子体化,所述电感耦合线圈与所述承片台相对;若干射频功率源,用于分别向电感耦合线圈提供脉冲式射频信号;至少连接到所述第一射频功率源和第二射频功率源的控制单元,所述控制单元用于控制第一射频功率源和第二射频功率源输出的射频功率在高功率输出和低功率输出之间切换形成脉冲式射频信号,且所述低功率输出大于零,所述控制单元使第一射频功率源和第二射频功率源输出的脉冲式射频功率均独立可调。所述等离子体处理装置中的等离子体分布更均匀,等离子体处理的效果更好。【专利说明】
本专利技术涉及半导体制造
,尤其涉及一种等离子体处理装置及等离子体处理的方法。
技术介绍
等离子体处理装置广泛应用于集成电路的制造工艺中,如沉积、刻蚀等,其中,电感率禹合型等离子体(ICP, Inductively Coupled Plasma)装置是等离子体处理装置中的主流技术之一,其原理主要是使用射频功率驱动电感耦合线圈产生较强的高频交变磁场,使得低压的反应本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种等离子体处理装置,其特征在于,包括:反应腔;位于所述反应腔内的承片台,所述承片台用于放置待处理基底;设置于所述反应腔顶部的若干呈同心分布的多个电感耦合线圈,所述电感耦合线圈用于将反应腔内的气体等离子体化,所述电感耦合线圈与所述承片台相对,所述多个电感耦合线圈中包括第一电感耦合线圈、以及位于所述第一电感耦合线圈内一圈的第二电感耦合线圈,所述第一电感耦合线圈包围所述第二电感耦合线圈;若干射频功率源,所述若干射频功率源用于分别向电感耦合线圈提供脉冲式射频信号,所述若干射频功率源中包括第一射频功率源和第二射频功率源,第一射频功率源与第一电感耦合线圈连接,第二射频功率源与第二电感耦合线圈连接;至少连...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:叶如彬倪图强
申请(专利权)人:中微半导体设备上海有限公司
类型:发明
国别省市:

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