【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，该方法包括：在第一半导体衬底上形成第一电极，该第一电极包括突起于所述第一半导体衬底的主表面的第一部分；采用绝缘材料涂敷该主表面和该第一电极，该绝缘材料在第一温度处具有第一粘度，在高于该第一温度的第二温度处具有低于该第一粘度的第二粘度，在高于该第二温度的第三温度处具有高于该第二粘度的第三粘度；以及通过固化该绝缘材料形成第一绝缘膜，其中，形成该第一绝缘膜包括：在涂敷之后，通过在第一条件下加热该绝缘材料，使具有第一粘度的该绝缘材料达到该第二粘度；以及在使该绝缘材料达到第二粘度之后，通过在第二条件下加热该绝缘材料，使该绝缘材料达到该第三粘度，以及作为该第一...
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：大和田保，大平光，落水洋聪，
申请(专利权)人：富士通半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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