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一种半导体器件及其制造方法，该方法包括：在第一半导体衬底上形成第一电极；采用绝缘材料涂敷该半导体衬底，该绝缘材料在第一温度处具有第一粘度，在高于该第一温度的第二温度处具有低于该第一粘度的第二粘度，在高于该第二温度的第三温度处具有高于该第二粘...
该专利属于富士通半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过富士通半导体股份有限公司授权不得商用。

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