【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种金属硅化物阻挡层的表面处理方法，应用于自对准工艺中，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底；于所述衬底的上表面制备一金属硅化物阻挡层；对所述金属硅化物阻挡层进行等离子体工艺，以去除所述金属硅化物阻挡层中的杂质；旋涂光刻胶覆盖所述金属硅化物阻挡层的上表面；继续后续的自对准硅化物工艺步骤。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：顾梅梅，张景春，陈建维，张旭升，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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